რეზისტორული ქსელები, მასივები

EXB-34V823JV

EXB-34V823JV

ნაწილი საფონდო: 145058

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 82k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-24V273JX

EXB-24V273JX

ნაწილი საფონდო: 108580

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-28V3R6JX

EXB-28V3R6JX

ნაწილი საფონდო: 125112

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.6, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-24V334JX

EXB-24V334JX

ნაწილი საფონდო: 193594

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V4V1R0JV

EXB-V4V1R0JV

ნაწილი საფონდო: 104552

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-34V561JV

EXB-34V561JV

ნაწილი საფონდო: 109421

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 560, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-24V682JX

EXB-24V682JX

ნაწილი საფონდო: 102360

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.8k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-34V392JV

EXB-34V392JV

ნაწილი საფონდო: 190657

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.9k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-28V8R2JX

EXB-28V8R2JX

ნაწილი საფონდო: 151109

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 8.2, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V564JV

EXB-V4V564JV

ნაწილი საფონდო: 115263

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 560k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-28V1R6JX

EXB-28V1R6JX

ნაწილი საფონდო: 107303

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.6, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V2R7JX

EXB-28V2R7JX

ნაწილი საფონდო: 113006

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.7, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V680JV

EXB-V4V680JV

ნაწილი საფონდო: 130572

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V4V561JV

EXB-V4V561JV

ნაწილი საფონდო: 139976

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 560, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-28V1R1JX

EXB-28V1R1JX

ნაწილი საფონდო: 151606

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.1, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V822JV

EXB-V4V822JV

ნაწილი საფონდო: 100632

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 8.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-34V181JV

EXB-34V181JV

ნაწილი საფონდო: 185080

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 180, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-24V820JX

EXB-24V820JX

ნაწილი საფონდო: 103934

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 82, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V4V101JV

EXB-V4V101JV

ნაწილი საფონდო: 160596

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V4V392JV

EXB-V4V392JV

ნაწილი საფონდო: 140830

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.9k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-28V4R3JX

EXB-28V4R3JX

ნაწილი საფონდო: 107247

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.3, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-34V563JV

EXB-34V563JV

ნაწილი საფონდო: 134579

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-34V683JV

EXB-34V683JV

ნაწილი საფონდო: 185722

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-28V6R2JX

EXB-28V6R2JX

ნაწილი საფონდო: 114498

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.2, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V124JV

EXB-V4V124JV

ნაწილი საფონდო: 109542

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V8V8R2JV

EXB-V8V8R2JV

ნაწილი საფონდო: 170120

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 8.2, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-U28270JX

EXB-U28270JX

ნაწილი საფონდო: 164679

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-U28390JX

EXB-U28390JX

ნაწილი საფონდო: 196609

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-U28470JX

EXB-U28470JX

ნაწილი საფონდო: 170878

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-U28330JX

EXB-U28330JX

ნაწილი საფონდო: 173756

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V8V564JV

EXB-V8V564JV

ნაწილი საფონდო: 126477

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 560k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V8V6R8JV

EXB-V8V6R8JV

ნაწილი საფონდო: 120043

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.8, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V131JX

EXB-28V131JX

ნაწილი საფონდო: 190065

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 130, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V154JV

EXB-V4V154JV

ნაწილი საფონდო: 157511

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V8V3R3JV

EXB-V8V3R3JV

ნაწილი საფონდო: 141432

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V8V3R9JV

EXB-V8V3R9JV

ნაწილი საფონდო: 172747

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.9, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი