რეზისტორული ქსელები, მასივები

EXB-V8V3R0JV

EXB-V8V3R0JV

ნაწილი საფონდო: 145760

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V8V9R1JV

EXB-V8V9R1JV

ნაწილი საფონდო: 150496

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 9.1, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V8V2R2JV

EXB-V8V2R2JV

ნაწილი საფონდო: 152923

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V433JX

EXB-28V433JX

ნაწილი საფონდო: 163561

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 43k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V564JX

EXB-28V564JX

ნაწილი საფონდო: 124741

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 560k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V391JX

EXB-28V391JX

ნაწილი საფონდო: 120346

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 390, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V8V1R1JV

EXB-V8V1R1JV

ნაწილი საფონდო: 118583

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.1, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-38V8R2JV

EXB-38V8R2JV

ნაწილი საფონდო: 167919

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 8.2, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-38V6R2JV

EXB-38V6R2JV

ნაწილი საფონდო: 137393

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.2, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-38V6R8JV

EXB-38V6R8JV

ნაწილი საფონდო: 160480

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.8, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-38V3R9JV

EXB-38V3R9JV

ნაწილი საფონდო: 136906

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.9, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-38V5R1JV

EXB-38V5R1JV

ნაწილი საფონდო: 147035

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.1, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V8V2R4JV

EXB-V8V2R4JV

ნაწილი საფონდო: 103291

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.4, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V3R0JV

EXB-V4V3R0JV

ნაწილი საფონდო: 189818

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-28V111JX

EXB-28V111JX

ნაწილი საფონდო: 100314

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 110, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V3R3JV

EXB-V4V3R3JV

ნაწილი საფონდო: 108237

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-28V161JX

EXB-28V161JX

ნაწილი საფონდო: 115143

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 160, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-38V1R0JV

EXB-38V1R0JV

ნაწილი საფონდო: 134232

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V8V1R6JV

EXB-V8V1R6JV

ნაწილი საფონდო: 123853

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.6, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-38V564JV

EXB-38V564JV

ნაწილი საფონდო: 126356

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 560k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-38V2R2JV

EXB-38V2R2JV

ნაწილი საფონდო: 147474

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V1R2JV

EXB-V4V1R2JV

ნაწილი საფონდო: 104651

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.2, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-38V1R2JV

EXB-38V1R2JV

ნაწილი საფონდო: 100906

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.2, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-38V3R0JV

EXB-38V3R0JV

ნაწილი საფონდო: 102561

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-38V2R0JV

EXB-38V2R0JV

ნაწილი საფონდო: 196781

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V5R1JV

EXB-V4V5R1JV

ნაწილი საფონდო: 197482

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.1, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V8V5R6JV

EXB-V8V5R6JV

ნაწილი საფონდო: 112633

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.6, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-38V9R1JV

EXB-38V9R1JV

ნაწილი საფონდო: 125721

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 9.1, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V334JX

EXB-28V334JX

ნაწილი საფონდო: 150284

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V754JX

EXB-28V754JX

ნაწილი საფონდო: 187837

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 750k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V1R5JV

EXB-V4V1R5JV

ნაწილი საფონდო: 104638

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-38V120JV

EXB-38V120JV

ნაწილი საფონდო: 175093

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V7R5JV

EXB-V4V7R5JV

ნაწილი საფონდო: 175572

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 7.5, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-38V1R8JV

EXB-38V1R8JV

ნაწილი საფონდო: 155264

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.8, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-38V1R3JV

EXB-38V1R3JV

ნაწილი საფონდო: 141971

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.3, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V1R8JX

EXB-28V1R8JX

ნაწილი საფონდო: 143297

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.8, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი