რეზისტორული ქსელები, მასივები

EXB-34V3R0JV

EXB-34V3R0JV

ნაწილი საფონდო: 197302

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-34V202JV

EXB-34V202JV

ნაწილი საფონდო: 117483

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V8V121JV

EXB-V8V121JV

ნაწილი საფონდო: 141135

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-34V130JV

EXB-34V130JV

ნაწილი საფონდო: 164879

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 13, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V8V360JV

EXB-V8V360JV

ნაწილი საფონდო: 141525

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 36, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-34V333JV

EXB-34V333JV

ნაწილი საფონდო: 147025

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V8V220JV

EXB-V8V220JV

ნაწილი საფონდო: 124296

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V8V180JV

EXB-V8V180JV

ნაწილი საფონდო: 198408

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 18, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-34V131JV

EXB-34V131JV

ნაწილი საფონდო: 195572

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 130, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-24V223JX

EXB-24V223JX

ნაწილი საფონდო: 191380

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-24V134JX

EXB-24V134JX

ნაწილი საფონდო: 165168

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 130k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-24V200JX

EXB-24V200JX

ნაწილი საფონდო: 119048

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 20, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V8V512JV

EXB-V8V512JV

ნაწილი საფონდო: 147443

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-34V164JV

EXB-34V164JV

ნაწილი საფონდო: 121004

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 160k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-24V104JX

EXB-24V104JX

ნაწილი საფონდო: 178847

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-24V121JX

EXB-24V121JX

ნაწილი საფონდო: 149366

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V8V304JV

EXB-V8V304JV

ნაწილი საფონდო: 165143

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 300k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V8V514JV

EXB-V8V514JV

ნაწილი საფონდო: 157728

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 510k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V8V183JV

EXB-V8V183JV

ნაწილი საფონდო: 159647

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 18k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-24V2R4JX

EXB-24V2R4JX

ნაწილი საფონდო: 187638

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.4, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-34V184JV

EXB-34V184JV

ნაწილი საფონდო: 186570

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 180k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V8V124JV

EXB-V8V124JV

ნაწილი საფონდო: 189769

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-24V1R2JX

EXB-24V1R2JX

ნაწილი საფონდო: 183823

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.2, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V8V242JV

EXB-V8V242JV

ნაწილი საფონდო: 159116

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.4k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-24V392JX

EXB-24V392JX

ნაწილი საფონდო: 114160

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.9k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V8V241JV

EXB-V8V241JV

ნაწილი საფონდო: 135633

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 240, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V8V911JV

EXB-V8V911JV

ნაწილი საფონდო: 133887

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 910, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-34V300JV

EXB-34V300JV

ნაწილი საფონდო: 135880

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 30, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-34V390JV

EXB-34V390JV

ნაწილი საფონდო: 160036

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V8V103JV

EXB-V8V103JV

ნაწილი საფონდო: 102605

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-34V2R7JV

EXB-34V2R7JV

ნაწილი საფონდო: 164205

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.7, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-34V1R6JV

EXB-34V1R6JV

ნაწილი საფონდო: 103063

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.6, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-34V332JV

EXB-34V332JV

ნაწილი საფონდო: 170685

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V8V160JV

EXB-V8V160JV

ნაწილი საფონდო: 131260

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 16, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V8V330JV

EXB-V8V330JV

ნაწილი საფონდო: 105306

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-34V273JV

EXB-34V273JV

ნაწილი საფონდო: 183584

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი