რეზისტორული ქსელები, მასივები

EXB-V8V823JV

EXB-V8V823JV

ნაწილი საფონდო: 126607

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 82k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-24V1R6JX

EXB-24V1R6JX

ნაწილი საფონდო: 146224

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.6, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-24V472JX

EXB-24V472JX

ნაწილი საფონდო: 109625

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-24V100JX

EXB-24V100JX

ნაწილი საფონდო: 145847

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-24VR000X

EXB-24VR000X

ნაწილი საფონდო: 152975

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 0.0, ტოლერანტობა: Jumper, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-34V753JV

EXB-34V753JV

ნაწილი საფონდო: 163955

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 75k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V8V824JV

EXB-V8V824JV

ნაწილი საფონდო: 123480

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 820k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-24V133JX

EXB-24V133JX

ნაწილი საფონდო: 95

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 13k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V8V133JV

EXB-V8V133JV

ნაწილი საფონდო: 135984

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 13k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-24V9R1JX

EXB-24V9R1JX

ნაწილი საფონდო: 175954

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 9.1, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-34V203JV

EXB-34V203JV

ნაწილი საფონდო: 192692

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 20k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V8V511JV

EXB-V8V511JV

ნაწილი საფონდო: 123540

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 510, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-34V6R8JV

EXB-34V6R8JV

ნაწილი საფონდო: 175873

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.8, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-24V3R6JX

EXB-24V3R6JX

ნაწილი საფონდო: 195811

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.6, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-34V510JV

EXB-34V510JV

ნაწილი საფონდო: 192936

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 51, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-34V430JV

EXB-34V430JV

ნაწილი საფონდო: 124048

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 43, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-24V473JX

EXB-24V473JX

ნაწილი საფონდო: 192993

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-34V624JV

EXB-34V624JV

ნაწილი საფონდო: 100577

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 620k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-24V431JX

EXB-24V431JX

ნაწილი საფონდო: 197486

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 430, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-34V1R1JV

EXB-34V1R1JV

ნაწილი საფონდო: 110346

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.1, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-34V220JV

EXB-34V220JV

ნაწილი საფონდო: 103618

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-24V2R2JX

EXB-24V2R2JX

ნაწილი საფონდო: 114296

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-24V272JX

EXB-24V272JX

ნაწილი საფონდო: 119504

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-34V752JV

EXB-34V752JV

ნაწილი საფონდო: 134180

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 7.5k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-24V390JX

EXB-24V390JX

ნაწილი საფონდო: 144254

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-34V751JV

EXB-34V751JV

ნაწილი საფონდო: 196417

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 750, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V8V624JV

EXB-V8V624JV

ნაწილი საფონდო: 169679

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 620k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V8V620JV

EXB-V8V620JV

ნაწილი საფონდო: 121339

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 62, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-24V113JX

EXB-24V113JX

ნაწილი საფონდო: 113781

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 11k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V8V562JV

EXB-V8V562JV

ნაწილი საფონდო: 160896

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.6k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V8V433JV

EXB-V8V433JV

ნაწილი საფონდო: 176174

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 43k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-34V4R3JV

EXB-34V4R3JV

ნაწილი საფონდო: 181309

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.3, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V8V331JV

EXB-V8V331JV

ნაწილი საფონდო: 157217

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-34V360JV

EXB-34V360JV

ნაწილი საფონდო: 144772

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 36, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V8V243JV

EXB-V8V243JV

ნაწილი საფონდო: 162437

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 24k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-34V754JV

EXB-34V754JV

ნაწილი საფონდო: 182501

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 750k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი