რეზისტორული ქსელები, მასივები

EXB-V8V151JV

EXB-V8V151JV

ნაწილი საფონდო: 151687

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-34V303JV

EXB-34V303JV

ნაწილი საფონდო: 196214

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 30k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V8V332JV

EXB-V8V332JV

ნაწილი საფონდო: 182956

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-34V1R8JV

EXB-34V1R8JV

ნაწილი საფონდო: 155667

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.8, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-24V474JX

EXB-24V474JX

ნაწილი საფონდო: 164508

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-34V910JV

EXB-34V910JV

ნაწილი საფონდო: 187476

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 91, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-24V1R3JX

EXB-24V1R3JX

ნაწილი საფონდო: 136521

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.3, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V8V200JV

EXB-V8V200JV

ნაწილი საფონდო: 130396

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 20, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V8V682JV

EXB-V8V682JV

ნაწილი საფონდო: 147196

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.8k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-24V623JX

EXB-24V623JX

ნაწილი საფონდო: 115066

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 62k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-34V472JV

EXB-34V472JV

ნაწილი საფონდო: 104782

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V8V271JV

EXB-V8V271JV

ნაწილი საფონდო: 152017

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V8V913JV

EXB-V8V913JV

ნაწილი საფონდო: 116783

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 91k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V8V162JV

EXB-V8V162JV

ნაწილი საფონდო: 182293

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.6k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V8V510JV

EXB-V8V510JV

ნაწილი საფონდო: 120470

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 51, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-34V5R6JV

EXB-34V5R6JV

ნაწილი საფონდო: 189874

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.6, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V8V471JV

EXB-V8V471JV

ნაწილი საფონდო: 132090

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V8V111JV

EXB-V8V111JV

ნაწილი საფონდო: 176994

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 110, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-24V224JX

EXB-24V224JX

ნაწილი საფონდო: 144685

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-24V201JX

EXB-24V201JX

ნაწილი საფონდო: 138849

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 200, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-34V4R7JV

EXB-34V4R7JV

ნაწილი საფონდო: 156272

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-34V331JV

EXB-34V331JV

ნაწილი საფონდო: 198073

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-34V1R2JV

EXB-34V1R2JV

ნაწილი საფონდო: 185870

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.2, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-24V163JX

EXB-24V163JX

ნაწილი საფონდო: 180760

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 16k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-24V114JX

EXB-24V114JX

ნაწილი საფონდო: 101933

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 110k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V8V272JV

EXB-V8V272JV

ნაწილი საფონდო: 167112

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-34V151JV

EXB-34V151JV

ნაწილი საფონდო: 124153

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V8V132JV

EXB-V8V132JV

ნაწილი საფონდო: 120951

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-34V204JV

EXB-34V204JV

ნაწილი საფონდო: 123520

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 200k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V8V112JV

EXB-V8V112JV

ნაწილი საფონდო: 187245

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V8V101JV

EXB-V8V101JV

ნაწილი საფონდო: 100836

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-34V432JV

EXB-34V432JV

ნაწილი საფონდო: 124583

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-24V105JX

EXB-24V105JX

ნაწილი საფონდო: 169819

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1M, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-28N100JX

EXB-28N100JX

ნაწილი საფონდო: 111194

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-24V164JX

EXB-24V164JX

ნაწილი საფონდო: 145765

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 160k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-24V271JX

EXB-24V271JX

ნაწილი საფონდო: 113229

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი