რეზისტორული ქსელები, მასივები

EXB-V4V2R0JV

EXB-V4V2R0JV

ნაწილი საფონდო: 159046

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-28N330JX

EXB-28N330JX

ნაწილი საფონდო: 186522

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V8V184JV

EXB-V8V184JV

ნაწილი საფონდო: 184664

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 180k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V8V244JV

EXB-V8V244JV

ნაწილი საფონდო: 146528

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 240k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-34V221JV

EXB-34V221JV

ნაწილი საფონდო: 177493

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-24V510JX

EXB-24V510JX

ნაწილი საფონდო: 134423

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 51, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-24V363JX

EXB-24V363JX

ნაწილი საფონდო: 143851

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 36k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V4V123JV

EXB-V4V123JV

ნაწილი საფონდო: 103428

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-34V512JV

EXB-34V512JV

ნაწილი საფონდო: 127530

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V8V134JV

EXB-V8V134JV

ნაწილი საფონდო: 119200

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 130k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V8V131JV

EXB-V8V131JV

ნაწილი საფონდო: 105797

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 130, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-24V102JX

EXB-24V102JX

ნაწილი საფონდო: 121726

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V8V163JV

EXB-V8V163JV

ნაწილი საფონდო: 199597

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 16k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-34V912JV

EXB-34V912JV

ნაწილი საფონდო: 144592

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 9.1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V8V204JV

EXB-V8V204JV

ნაწილი საფონდო: 196133

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 200k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-24V330JX

EXB-24V330JX

ნაწილი საფონდო: 126658

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-34V913JV

EXB-34V913JV

ნაწილი საფონდო: 169259

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 91k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-24V1R8JX

EXB-24V1R8JX

ნაწილი საფონდო: 155481

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.8, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V8V182JV

EXB-V8V182JV

ნაწილი საფონდო: 137347

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.8k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V8V912JV

EXB-V8V912JV

ნაწილი საფონდო: 142923

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 9.1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-24V5R6JX

EXB-24V5R6JX

ნაწილი საფონდო: 175827

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.6, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-28N3R0JX

EXB-28N3R0JX

ნაწილი საფონდო: 115462

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-34V564JV

EXB-34V564JV

ნაწილი საფონდო: 186489

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 560k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-34V244JV

EXB-34V244JV

ნაწილი საფონდო: 180849

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 240k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V8V910JV

EXB-V8V910JV

ნაწილი საფონდო: 130434

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 91, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V8V300JV

EXB-V8V300JV

ნაწილი საფონდო: 158248

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 30, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V8V754JV

EXB-V8V754JV

ნაწილი საფონდო: 153256

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 750k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-34V124JV

EXB-34V124JV

ნაწილი საფონდო: 152159

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-34V161JV

EXB-34V161JV

ნაწილი საფონდო: 101652

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 160, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V8V270JV

EXB-V8V270JV

ნაწილი საფონდო: 116244

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-24V182JX

EXB-24V182JX

ნაწილი საფონდო: 145027

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.8k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-24V8R2JX

EXB-24V8R2JX

ნაწილი საფონდო: 115510

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 8.2, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-34V271JV

EXB-34V271JV

ნაწილი საფონდო: 186344

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-24V333JX

EXB-24V333JX

ნაწილი საფონდო: 160540

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-24V361JX

EXB-24V361JX

ნაწილი საფონდო: 154463

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 360, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-34V621JV

EXB-34V621JV

ნაწილი საფონდო: 147930

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 620, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი