რეზისტორული ქსელები, მასივები

EXB-2HV223JV

EXB-2HV223JV

ნაწილი საფონდო: 162482

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-18V273JX

EXB-18V273JX

ნაწილი საფონდო: 140218

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-18V561JX

EXB-18V561JX

ნაწილი საფონდო: 152071

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 560, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-2HV1R0JV

EXB-2HV1R0JV

ნაწილი საფონდო: 147766

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-18V391JX

EXB-18V391JX

ნაწილი საფონდო: 100198

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 390, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-18V220JX

EXB-18V220JX

ნაწილი საფონდო: 163891

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-18V472JX

EXB-18V472JX

ნაწილი საფონდო: 120482

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-18V181JX

EXB-18V181JX

ნაწილი საფონდო: 125841

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 180, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-2HV623JV

EXB-2HV623JV

ნაწილი საფონდო: 102839

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 62k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV753JV

EXB-2HV753JV

ნაწილი საფონდო: 134669

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 75k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV121JV

EXB-2HV121JV

ნაწილი საფონდო: 177558

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV101JV

EXB-2HV101JV

ნაწილი საფონდო: 182657

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV102JV

EXB-2HV102JV

ნაწილი საფონდო: 103962

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-18V682JX

EXB-18V682JX

ნაწილი საფონდო: 155109

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.8k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-2HV823JV

EXB-2HV823JV

ნაწილი საფონდო: 132850

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 82k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV914JV

EXB-2HV914JV

ნაწილი საფონდო: 184858

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 910k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-18V122JX

EXB-18V122JX

ნაწილი საფონდო: 185217

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-18V102JX

EXB-18V102JX

ნაწილი საფონდო: 147711

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-2HV244JV

EXB-2HV244JV

ნაწილი საფონდო: 145655

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 240k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV130JV

EXB-2HV130JV

ნაწილი საფონდო: 100765

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 13, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV103JV

EXB-2HV103JV

ნაწილი საფონდო: 160168

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV513JV

EXB-2HV513JV

ნაწილი საფონდო: 134903

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 51k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV302JV

EXB-2HV302JV

ნაწილი საფონდო: 115081

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV563JV

EXB-2HV563JV

ნაწილი საფონდო: 102260

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV330JV

EXB-2HV330JV

ნაწილი საფონდო: 150788

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-28V361JX

EXB-28V361JX

ნაწილი საფონდო: 183834

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 360, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-18V331JX

EXB-18V331JX

ნაწილი საფონდო: 125604

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-2HV1R5JV

EXB-2HV1R5JV

ნაწილი საფონდო: 173602

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV241JV

EXB-2HV241JV

ნაწილი საფონდო: 135910

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 240, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV164JV

EXB-2HV164JV

ნაწილი საფონდო: 143974

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 160k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-18V124JX

EXB-18V124JX

ნაწილი საფონდო: 181333

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-2HV562JV

EXB-2HV562JV

ნაწილი საფონდო: 167839

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.6k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV111JV

EXB-2HV111JV

ნაწილი საფონდო: 121154

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 110, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV131JV

EXB-2HV131JV

ნაწილი საფონდო: 142943

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 130, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-28V112JX

EXB-28V112JX

ნაწილი საფონდო: 172389

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-18V474JX

EXB-18V474JX

ნაწილი საფონდო: 162820

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი