Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ

  • სახლი
  •  
  • ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ
MOC8204300
ON Semiconductor

MOC8204300

ნაწილი საფონდო: 5527

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 5µs,

სასურველი
H11D2S
ON Semiconductor

H11D2S

ნაწილი საფონდო: 5652

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 5µs,

სასურველი
H11G2S
ON Semiconductor

H11G2S

ნაწილი საფონდო: 2646

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 1000% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 100µs,

სასურველი
MCT9001W
ON Semiconductor

MCT9001W

ნაწილი საფონდო: 5743

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2.4µs, 2.4µs,

სასურველი
CNY17F4SVM
ON Semiconductor

CNY17F4SVM

ნაწილი საფონდო: 154989

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4170Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 160% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 320% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3.5µs (Max),

სასურველი
H11AA3TVM
ON Semiconductor

H11AA3TVM

ნაწილი საფონდო: 5597

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 10mA,

სასურველი
HMA121E
ON Semiconductor

HMA121E

ნაწილი საფონდო: 5729

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 150% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
H11AA1VM
ON Semiconductor

H11AA1VM

ნაწილი საფონდო: 74037

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4170Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA,

სასურველი
H11F33SD
ON Semiconductor

H11F33SD

ნაწილი საფონდო: 5562

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 25µs, 25µs (Max),

სასურველი
MCT210SD
ON Semiconductor

MCT210SD

ნაწილი საფონდო: 5574

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 150% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 1µs, 50µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 11µs,

სასურველი
MOC8108SD
ON Semiconductor

MOC8108SD

ნაწილი საფონდო: 5590

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 250% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 2µs,

სასურველი
HMHA2801CR3
ON Semiconductor

HMHA2801CR3

ნაწილი საფონდო: 5484

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 200% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 400% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
MOC212R2VM
ON Semiconductor

MOC212R2VM

ნაწილი საფონდო: 5730

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 7.5µs, 5.7µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3.2µs, 4.7µs,

სასურველი
CNX35UW
ON Semiconductor

CNX35UW

ნაწილი საფონდო: 5663

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 40% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 160% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 20µs, 20µs,

სასურველი
HCPL2530V
ON Semiconductor

HCPL2530V

ნაწილი საფონდო: 5565

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 7% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 450ns, 500ns,

სასურველი
MOC80503SD
ON Semiconductor

MOC80503SD

ნაწილი საფონდო: 2598

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 500% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3.5µs, 95µs,

სასურველი
H11A617AS
ON Semiconductor

H11A617AS

ნაწილი საფონდო: 5539

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 40% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 80% @ 10mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2.4µs, 2.4µs,

სასურველი
H11A817C3S
ON Semiconductor

H11A817C3S

ნაწილი საფონდო: 5709

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 200% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 400% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2.4µs, 2.4µs,

სასურველი
MCT271300
ON Semiconductor

MCT271300

ნაწილი საფონდო: 5500

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 45% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 90% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 1µs, 48µs,

სასურველი
FOD2742AR1V
ON Semiconductor

FOD2742AR1V

ნაწილი საფონდო: 5658

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA,

სასურველი
HMA2701R3
ON Semiconductor

HMA2701R3

ნაწილი საფონდო: 5605

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
MCT210W
ON Semiconductor

MCT210W

ნაწილი საფონდო: 5498

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 150% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 1µs, 50µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 11µs,

სასურველი
MCT2201S
ON Semiconductor

MCT2201S

ნაწილი საფონდო: 5600

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
H11A43S
ON Semiconductor

H11A43S

ნაწილი საფონდო: 5570

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 10% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
MOC8100FR2VM
ON Semiconductor

MOC8100FR2VM

ნაწილი საფონდო: 5500

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 30% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 20µs, 20µs (Max), აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
FOD070L
ON Semiconductor

FOD070L

ნაწილი საფონდო: 5632

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 400% @ 500µA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 7000% @ 500µA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 50µs,

სასურველი
MOC82043S
ON Semiconductor

MOC82043S

ნაწილი საფონდო: 5567

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 5µs,

სასურველი
SL5501
ON Semiconductor

SL5501

ნაწილი საფონდო: 5623

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 25% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 400% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 20µs, 50µs (Max),

სასურველი
H11G3
ON Semiconductor

H11G3

ნაწილი საფონდო: 2566

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 200% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 100µs,

სასურველი
CNY17F1SD
ON Semiconductor

CNY17F1SD

ნაწილი საფონდო: 5601

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 40% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 80% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 2µs,

სასურველი
HCPL0730
ON Semiconductor

HCPL0730

ნაწილი საფონდო: 5562

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 300% @ 1.6mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 5000% @ 1.6mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 7µs,

სასურველი
H11D1SD
ON Semiconductor

H11D1SD

ნაწილი საფონდო: 2637

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 5µs,

სასურველი
CNY17F4S
ON Semiconductor

CNY17F4S

ნაწილი საფონდო: 5719

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 160% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 320% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 2µs,

სასურველი
H11G3S
ON Semiconductor

H11G3S

ნაწილი საფონდო: 5644

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 200% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 100µs,

სასურველი
H11A617D3S
ON Semiconductor

H11A617D3S

ნაწილი საფონდო: 5481

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 160% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 320% @ 10mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2.4µs, 2.4µs,

სასურველი
H11A3FVM
ON Semiconductor

H11A3FVM

ნაწილი საფონდო: 5689

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი