Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ

  • სახლი
  •  
  • ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ
CNY17F4SD
ON Semiconductor

CNY17F4SD

ნაწილი საფონდო: 5539

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 160% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 320% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 2µs,

სასურველი
H11D4
ON Semiconductor

H11D4

ნაწილი საფონდო: 5679

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 10% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 5µs,

სასურველი
HMA124R1
ON Semiconductor

HMA124R1

ნაწილი საფონდო: 2648

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 1200% @ 1mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
H11AA814300W
ON Semiconductor

H11AA814300W

ნაწილი საფონდო: 5621

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 1mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2.4µs, 2.4µs,

სასურველი
MOC8101W
ON Semiconductor

MOC8101W

ნაწილი საფონდო: 5699

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 80% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 2µs,

სასურველი
CNW139S
ON Semiconductor

CNW139S

ნაწილი საფონდო: 5718

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 1000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 500% @ 1.6mA,

სასურველი
HMA121CR3
ON Semiconductor

HMA121CR3

ნაწილი საფონდო: 5563

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
HMA2701AR2
ON Semiconductor

HMA2701AR2

ნაწილი საფონდო: 5479

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 150% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
CNX35U
ON Semiconductor

CNX35U

ნაწილი საფონდო: 5636

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 40% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 160% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 20µs, 20µs,

სასურველი
HMAA2705R4V
ON Semiconductor

HMAA2705R4V

ნაწილი საფონდო: 5690

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
MCT2FR2VM
ON Semiconductor

MCT2FR2VM

ნაწილი საფონდო: 5577

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 1.5µs,

სასურველი
MOC80303S
ON Semiconductor

MOC80303S

ნაწილი საფონდო: 5580

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 300% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3.5µs, 95µs,

სასურველი
H11G23SD
ON Semiconductor

H11G23SD

ნაწილი საფონდო: 5711

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 1000% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 100µs,

სასურველი
FOD617B300W
ON Semiconductor

FOD617B300W

ნაწილი საფონდო: 5634

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 63% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 125% @ 10mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3µs,

სასურველი
FOD816
ON Semiconductor

FOD816

ნაწილი საფონდო: 5599

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 600% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 7500% @ 1mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 60µs, 53µs,

სასურველი
H11A617B3S
ON Semiconductor

H11A617B3S

ნაწილი საფონდო: 5629

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 63% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 125% @ 10mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2.4µs, 2.4µs,

სასურველი
HMA121FV
ON Semiconductor

HMA121FV

ნაწილი საფონდო: 5665

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
FOD2742BR1V
ON Semiconductor

FOD2742BR1V

ნაწილი საფონდო: 2566

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA,

სასურველი
HMA2701BR3V
ON Semiconductor

HMA2701BR3V

ნაწილი საფონდო: 5718

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 80% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 160% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
H11B2300W
ON Semiconductor

H11B2300W

ნაწილი საფონდო: 5691

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 200% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 25µs, 18µs,

სასურველი
H11F2W
ON Semiconductor

H11F2W

ნაწილი საფონდო: 5770

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 25µs, 25µs (Max),

სასურველი
H11B255SD
ON Semiconductor

H11B255SD

ნაწილი საფონდო: 5749

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 25µs, 18µs,

სასურველი
HCPL0452V
ON Semiconductor

HCPL0452V

ნაწილი საფონდო: 4341

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 19% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 450ns, 300ns,

სასურველი
H11F3
ON Semiconductor

H11F3

ნაწილი საფონდო: 5578

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 25µs, 25µs (Max),

სასურველი
FOD816W
ON Semiconductor

FOD816W

ნაწილი საფონდო: 5651

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 600% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 7500% @ 1mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 60µs, 53µs,

სასურველი
CNX39US
ON Semiconductor

CNX39US

ნაწილი საფონდო: 5549

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 60% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 100% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 20µs, 20µs,

სასურველი
MCT2103S
ON Semiconductor

MCT2103S

ნაწილი საფონდო: 5725

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 150% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 1µs, 50µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 11µs,

სასურველი
HCPL2731SM
ON Semiconductor

HCPL2731SM

ნაწილი საფონდო: 63867

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 500% @ 1.6mA,

სასურველი
HMA2701AR2V
ON Semiconductor

HMA2701AR2V

ნაწილი საფონდო: 5569

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 150% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
FODM1008
ON Semiconductor

FODM1008

ნაწილი საფონდო: 199861

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 130% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 260% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 5.7µs, 8.5µs,

სასურველი
CNY171FR2M
ON Semiconductor

CNY171FR2M

ნაწილი საფონდო: 5696

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4170Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 40% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 80% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3.5µs (Max),

სასურველი
TIL111SM
ON Semiconductor

TIL111SM

ნაწილი საფონდო: 5502

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 10µs, 10µs (Max),

სასურველი
MCT270
ON Semiconductor

MCT270

ნაწილი საფონდო: 5688

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 115% @ 10mA,

სასურველი
H11AV1FR2M
ON Semiconductor

H11AV1FR2M

ნაწილი საფონდო: 5580

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4170Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 15µs, 15µs (Max),

სასურველი
MOC8113
ON Semiconductor

MOC8113

ნაწილი საფონდო: 5573

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 4.2µs, 23µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 14µs,

სასურველი
H11A817D3S
ON Semiconductor

H11A817D3S

ნაწილი საფონდო: 5621

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 300% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2.4µs, 2.4µs,

სასურველი