Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ

  • სახლი
  •  
  • ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ
MOCD223R1VM
ON Semiconductor

MOCD223R1VM

ნაწილი საფონდო: 5928

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 500% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3.5µs, 95µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 2µs,

სასურველი
MCT2201300
ON Semiconductor

MCT2201300

ნაწილი საფონდო: 5731

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
HMA121DR4
ON Semiconductor

HMA121DR4

ნაწილი საფონდო: 5808

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 100% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
FODM1009
ON Semiconductor

FODM1009

ნაწილი საფონდო: 104185

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 200% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 400% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 5.7µs, 8.5µs,

სასურველი
H11AA4W
ON Semiconductor

H11AA4W

ნაწილი საფონდო: 5853

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA,

სასურველი
H11A3TVM
ON Semiconductor

H11A3TVM

ნაწილი საფონდო: 5903

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
CNY174W
ON Semiconductor

CNY174W

ნაწილი საფონდო: 5884

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 160% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 320% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 2µs,

სასურველი
H11AG3300
ON Semiconductor

H11AG3300

ნაწილი საფონდო: 5741

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 5µs,

სასურველი
MOC8103S
ON Semiconductor

MOC8103S

ნაწილი საფონდო: 5819

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 108% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 173% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 2µs,

სასურველი
MOC8107
ON Semiconductor

MOC8107

ნაწილი საფონდო: 5763

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 2µs,

სასურველი
FOD817AW
ON Semiconductor

FOD817AW

ნაწილი საფონდო: 5832

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 80% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 160% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3µs,

სასურველი
HMHA2801BR1
ON Semiconductor

HMHA2801BR1

ნაწილი საფონდო: 5915

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 130% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 260% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
H11A817CW
ON Semiconductor

H11A817CW

ნაწილი საფონდო: 5874

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 200% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 400% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2.4µs, 2.4µs,

სასურველი
CNY17F33SD
ON Semiconductor

CNY17F33SD

ნაწილი საფონდო: 5770

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 2µs,

სასურველი
TIL111300
ON Semiconductor

TIL111300

ნაწილი საფონდო: 5979

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 10µs, 10µs (Max),

სასურველი
H11AA3SVM
ON Semiconductor

H11AA3SVM

ნაწილი საფონდო: 5932

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 10mA,

სასურველი
HMHA281R1
ON Semiconductor

HMHA281R1

ნაწილი საფონდო: 5893

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
MOC8020-M
ON Semiconductor

MOC8020-M

ნაწილი საფონდო: 5832

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 500% @ 10mA,

სასურველი
MOCD207R1VM
ON Semiconductor

MOCD207R1VM

ნაწილი საფონდო: 5809

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 2.8µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1.6µs, 2.2µs,

სასურველი
HMHA2801CR1
ON Semiconductor

HMHA2801CR1

ნაწილი საფონდო: 5878

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 200% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 400% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
HMA124R2
ON Semiconductor

HMA124R2

ნაწილი საფონდო: 2664

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 1200% @ 1mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
H11AA2W
ON Semiconductor

H11AA2W

ნაწილი საფონდო: 5880

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 10% @ 10mA,

სასურველი
MOC81023SD
ON Semiconductor

MOC81023SD

ნაწილი საფონდო: 5808

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 73% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 117% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 2µs,

სასურველი
SL55113SD
ON Semiconductor

SL55113SD

ნაწილი საფონდო: 5802

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 25% @ 2mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 20µs, 50µs (Max),

სასურველი
HCPL0701R1
ON Semiconductor

HCPL0701R1

ნაწილი საფონდო: 5841

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 500% @ 1.6mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 2600% @ 1.6mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 300ns, 1.6µs,

სასურველი
CNY171300
ON Semiconductor

CNY171300

ნაწილი საფონდო: 5823

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 40% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 80% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 2µs,

სასურველი
H11AG1S
ON Semiconductor

H11AG1S

ნაწილი საფონდო: 5854

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 5µs,

სასურველი
H11D2W
ON Semiconductor

H11D2W

ნაწილი საფონდო: 2638

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 5µs,

სასურველი
MOC215R2VM
ON Semiconductor

MOC215R2VM

ნაწილი საფონდო: 5894

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 4µs, 4µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
H11AA23SD
ON Semiconductor

H11AA23SD

ნაწილი საფონდო: 5732

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 10% @ 10mA,

სასურველი
MCT623S
ON Semiconductor

MCT623S

ნაწილი საფონდო: 199705

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2.4µs, 2.4µs,

სასურველი
H11AA3W
ON Semiconductor

H11AA3W

ნაწილი საფონდო: 5719

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 10mA,

სასურველი
MOC212R1M
ON Semiconductor

MOC212R1M

ნაწილი საფონდო: 5804

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 7.5µs, 5.7µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3.2µs, 4.7µs,

სასურველი
FODM121FR1
ON Semiconductor

FODM121FR1

ნაწილი საფონდო: 5880

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
H11AA814AS
ON Semiconductor

H11AA814AS

ნაწილი საფონდო: 6007

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 150% @ 1mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2.4µs, 2.4µs,

სასურველი
H11B255300W
ON Semiconductor

H11B255300W

ნაწილი საფონდო: 5717

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 25µs, 18µs,

სასურველი