Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ

  • სახლი
  •  
  • ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ
HMHA2801AR4V
ON Semiconductor

HMHA2801AR4V

ნაწილი საფონდო: 5889

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 80% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 160% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
HCPL2503SDV
ON Semiconductor

HCPL2503SDV

ნაწილი საფონდო: 5845

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 12% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 450ns, 300ns,

სასურველი
FOD2742C
ON Semiconductor

FOD2742C

ნაწილი საფონდო: 5796

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA,

სასურველი
HMHA2801BR4
ON Semiconductor

HMHA2801BR4

ნაწილი საფონდო: 2610

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 130% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 260% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
HCPL4502SDV
ON Semiconductor

HCPL4502SDV

ნაწილი საფონდო: 5823

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 19% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 450ns, 300ns,

სასურველი
FODM452R1V
ON Semiconductor

FODM452R1V

ნაწილი საფონდო: 5804

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 400ns, 350ns,

სასურველი
H11A4300
ON Semiconductor

H11A4300

ნაწილი საფონდო: 5836

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 10% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
MOC119M
ON Semiconductor

MOC119M

ნაწილი საფონდო: 5724

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 300% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3.5µs, 95µs,

სასურველი
HMA121FR3
ON Semiconductor

HMA121FR3

ნაწილი საფონდო: 5926

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
FODM121EV
ON Semiconductor

FODM121EV

ნაწილი საფონდო: 5850

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
MCT2VM
ON Semiconductor

MCT2VM

ნაწილი საფონდო: 5744

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 1.5µs,

სასურველი
CNW11AV1SD
ON Semiconductor

CNW11AV1SD

ნაწილი საფონდო: 5889

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 10mA,

სასურველი
H11B2W
ON Semiconductor

H11B2W

ნაწილი საფონდო: 5921

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 200% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 25µs, 18µs,

სასურველი
SL55043S
ON Semiconductor

SL55043S

ნაწილი საფონდო: 5887

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 25% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 400% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 50µs, 150µs (Max),

სასურველი
H11F3VM
ON Semiconductor

H11F3VM

ნაწილი საფონდო: 55573

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 45µs, 45µs (Max),

სასურველი
HCPL2730W
ON Semiconductor

HCPL2730W

ნაწილი საფონდო: 5861

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 300% @ 1.6mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 300ns, 5µs,

სასურველი
H11AV2FR2M
ON Semiconductor

H11AV2FR2M

ნაწილი საფონდო: 5819

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 15µs, 15µs,

სასურველი
MOC217R1VM
ON Semiconductor

MOC217R1VM

ნაწილი საფონდო: 5940

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 7.5µs, 5.7µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3.2µs, 4.7µs,

სასურველი
H11AG2S
ON Semiconductor

H11AG2S

ნაწილი საფონდო: 5757

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 5µs,

სასურველი
HMHA2801BR2
ON Semiconductor

HMHA2801BR2

ნაწილი საფონდო: 5778

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 130% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 260% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
SL55003S
ON Semiconductor

SL55003S

ნაწილი საფონდო: 5854

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 40% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 20µs, 50µs (Max),

სასურველი
H11AG1TVM
ON Semiconductor

H11AG1TVM

ნაწილი საფონდო: 151628

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4170Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 5µs,

სასურველი
CNW83300
ON Semiconductor

CNW83300

ნაწილი საფონდო: 5926

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5900Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 0.4% @ 10mA,

სასურველი
MOC205R1M
ON Semiconductor

MOC205R1M

ნაწილი საფონდო: 5902

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 40% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 80% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 7.5µs, 5.7µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3.2µs, 4.7µs,

სასურველი
MOCD213R1M
ON Semiconductor

MOCD213R1M

ნაწილი საფონდო: 5939

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 2.8µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1.6µs, 2.2µs,

სასურველი
H11F3SVM
ON Semiconductor

H11F3SVM

ნაწილი საფონდო: 54970

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 45µs, 45µs (Max),

სასურველი
MCT2FVM
ON Semiconductor

MCT2FVM

ნაწილი საფონდო: 5966

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 1.5µs,

სასურველი
H11AA2SD
ON Semiconductor

H11AA2SD

ნაწილი საფონდო: 5775

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 10% @ 10mA,

სასურველი
MCT5211SD
ON Semiconductor

MCT5211SD

ნაწილი საფონდო: 6001

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 150% @ 1.6mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 14µs, 2.5µs,

სასურველი
MCT22023S
ON Semiconductor

MCT22023S

ნაწილი საფონდო: 5805

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 63% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 125% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
MCT52003SD
ON Semiconductor

MCT52003SD

ნაწილი საფონდო: 5879

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 75% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 1.6µs, 18µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1.3µs, 16µs,

სასურველი
H11B33S
ON Semiconductor

H11B33S

ნაწილი საფონდო: 5711

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 25µs, 18µs,

სასურველი
H11A817C300W
ON Semiconductor

H11A817C300W

ნაწილი საფონდო: 2641

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 200% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 400% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2.4µs, 2.4µs,

სასურველი
FOD617A300W
ON Semiconductor

FOD617A300W

ნაწილი საფონდო: 5579

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 40% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 80% @ 10mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3µs,

სასურველი
MOC213R1VM
ON Semiconductor

MOC213R1VM

ნაწილი საფონდო: 5520

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 7.5µs, 5.7µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3.2µs, 4.7µs,

სასურველი
H11D3W
ON Semiconductor

H11D3W

ნაწილი საფონდო: 5516

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 5µs,

სასურველი