ოპტიკური სენსორები - ამრეკლი - ანალოგური გამომავალ | სენსორები, გადამყვანები | 1

QRE00034

ნაწილი საფონდო: 2759

ზონდირების მანძილი: 0.157" (4mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი

ON Semiconductor

OPB704W

ნაწილი საფონდო: 2756

ზონდირების მანძილი: 0.200" (5.08mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 25mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 40mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი

ON Semiconductor

QRE1113GR

ნაწილი საფონდო: 178615

ზონდირების მანძილი: 0.197" (5mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი

ON Semiconductor

QRD1113

ნაწილი საფონდო: 38545

ზონდირების მანძილი: 0.050" (1.27mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი

ON Semiconductor

QRC1113

ნაწილი საფონდო: 2734

ზონდირების მანძილი: 0.150" (3.81mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი

ON Semiconductor

QRB1133

ნაწილი საფონდო: 2798

ზონდირების მანძილი: 0.150" (3.81mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი

ON Semiconductor

QRB1134

ნაწილი საფონდო: 2734

ზონდირების მანძილი: 0.150" (3.81mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი

ON Semiconductor

QRE1113

ნაწილი საფონდო: 57727

ზონდირების მანძილი: 0.197" (5mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი

ON Semiconductor

QRD1114

ნაწილი საფონდო: 39835

ზონდირების მანძილი: 0.050" (1.27mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი

ON Semiconductor

QRD1313

ნაწილი საფონდო: 2740

ზონდირების მანძილი: 0.050" (1.27mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 15V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Photodarlington,

სასურველი

ON Semiconductor

QRB1113

ნაწილი საფონდო: 2703

ზონდირების მანძილი: 0.150" (3.81mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი

ON Semiconductor

QRB1114

ნაწილი საფონდო: 2747

ზონდირების მანძილი: 0.150" (3.81mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი

ON Semiconductor

QRC1133

ნაწილი საფონდო: 2700

ზონდირების მანძილი: 0.150" (3.81mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

სასურველი