Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

თირისტორები - SCR

2N5064RLRMG
ON Semiconductor

2N5064RLRMG

ნაწილი საფონდო: 7685

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 200V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 510mA, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 800mA,

სასურველი
2N5060RLRMG
ON Semiconductor

2N5060RLRMG

ნაწილი საფონდო: 7656

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 30V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 510mA, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 800mA,

სასურველი
2N6509T
ON Semiconductor

2N6509T

ნაწილი საფონდო: 7661

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 30mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.8V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 16A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 25A,

სასურველი
2N6401
ON Semiconductor

2N6401

ნაწილი საფონდო: 4823

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 100V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 30mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 10A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 16A,

სასურველი
2N6400
ON Semiconductor

2N6400

ნაწილი საფონდო: 7723

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 50V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 30mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 10A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 16A,

სასურველი
2N6394
ON Semiconductor

2N6394

ნაწილი საფონდო: 7735

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 50V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 30mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.2V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 12A,

სასურველი
2N5064RLRM
ON Semiconductor

2N5064RLRM

ნაწილი საფონდო: 7735

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 200V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 510mA, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 800mA,

სასურველი
2N5062G
ON Semiconductor

2N5062G

ნაწილი საფონდო: 7644

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 100V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 510mA, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 800mA,

სასურველი
2N5060RLRM
ON Semiconductor

2N5060RLRM

ნაწილი საფონდო: 7686

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 30V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 510mA, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 800mA,

სასურველი
2N5060RLRAG
ON Semiconductor

2N5060RLRAG

ნაწილი საფონდო: 7692

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 30V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 510mA, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 800mA,

სასურველი
2N5064G
ON Semiconductor

2N5064G

ნაწილი საფონდო: 7694

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 200V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 510mA, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 800mA,

სასურველი
2N5061G
ON Semiconductor

2N5061G

ნაწილი საფონდო: 7617

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 60V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 510mA, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 800mA,

სასურველი
2N5064RLRAG
ON Semiconductor

2N5064RLRAG

ნაწილი საფონდო: 7644

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 200V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 510mA, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 800mA,

სასურველი
2N5060G
ON Semiconductor

2N5060G

ნაწილი საფონდო: 4808

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 30V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 510mA, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 800mA,

სასურველი
2N5061RLRAG
ON Semiconductor

2N5061RLRAG

ნაწილი საფონდო: 7622

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 60V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 510mA, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 800mA,

სასურველი
2N5062RLRAG
ON Semiconductor

2N5062RLRAG

ნაწილი საფონდო: 7629

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 100V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 510mA, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 800mA,

სასურველი
2N5062RLRA
ON Semiconductor

2N5062RLRA

ნაწილი საფონდო: 4782

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 100V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 510mA, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 800mA,

სასურველი
2N5064RLRA
ON Semiconductor

2N5064RLRA

ნაწილი საფონდო: 7597

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 200V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 510mA, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 800mA,

სასურველი
2N5061RLRA
ON Semiconductor

2N5061RLRA

ნაწილი საფონდო: 7659

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 60V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 510mA, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 800mA,

სასურველი
C122F1
ON Semiconductor

C122F1

ნაწილი საფონდო: 7726

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 50V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 25mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.83V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 8A,

სასურველი
MCR12LDG
ON Semiconductor

MCR12LDG

ნაწილი საფონდო: 7633

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 8mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.2V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 7.6A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 12A,

სასურველი
MCR68-002
ON Semiconductor

MCR68-002

ნაწილი საფონდო: 7675

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 50V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 30mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.2V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 8A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 12A,

სასურველი
MCR8SM
ON Semiconductor

MCR8SM

ნაწილი საფონდო: 7641

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.8V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 8A,

სასურველი
MCR22-8G
ON Semiconductor

MCR22-8G

ნაწილი საფონდო: 7721

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1.5A,

სასურველი
MCR12DSMT4
ON Semiconductor

MCR12DSMT4

ნაწილი საფონდო: 7684

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.9V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 7.6A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 12A,

სასურველი
MCR100-6RL
ON Semiconductor

MCR100-6RL

ნაწილი საფონდო: 7666

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 800mA,

სასურველი
MCR12DSN-001
ON Semiconductor

MCR12DSN-001

ნაწილი საფონდო: 7596

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.9V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 7.6A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 12A,

სასურველი
MCR22-6RLRA
ON Semiconductor

MCR22-6RLRA

ნაწილი საფონდო: 7626

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1.5A,

სასურველი
NCR169DG
ON Semiconductor

NCR169DG

ნაწილი საფონდო: 7646

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 800mA,

სასურველი
NYC008-6JG
ON Semiconductor

NYC008-6JG

ნაწილი საფონდო: 4837

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 800mA,

სასურველი
MCR100-4G
ON Semiconductor

MCR100-4G

ნაწილი საფონდო: 7672

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 200V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 800mA,

სასურველი
MCR100-4RLRMG
ON Semiconductor

MCR100-4RLRMG

ნაწილი საფონდო: 7729

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 200V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 800mA,

სასურველი
MCR8DCMT4
ON Semiconductor

MCR8DCMT4

ნაწილი საფონდო: 7693

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 15mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.8V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 5.1A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 8A,

სასურველი
MCR708A1
ON Semiconductor

MCR708A1

ნაწილი საფონდო: 7698

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 75µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.2V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1.6A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 4A,

სასურველი
MCR218-002
ON Semiconductor

MCR218-002

ნაწილი საფონდო: 7713

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 50V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 25mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.8V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 8A,

სასურველი
MCR100-004
ON Semiconductor

MCR100-004

ნაწილი საფონდო: 4793

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 200V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 800mA,

სასურველი