Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

თირისტორები - SCR

MCR12DCNT4
ON Semiconductor

MCR12DCNT4

ნაწილი საფონდო: 7630

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 20mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.9V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 7.8A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 12A,

სასურველი
MCR08MT1
ON Semiconductor

MCR08MT1

ნაწილი საფონდო: 4808

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 800mA,

სასურველი
MCR22-2RL1G
ON Semiconductor

MCR22-2RL1G

ნაწილი საფონდო: 7680

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 50V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1.5A,

სასურველი
MCR22-6RLRP
ON Semiconductor

MCR22-6RLRP

ნაწილი საფონდო: 7657

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1.5A,

სასურველი
MCR72-6T
ON Semiconductor

MCR72-6T

ნაწილი საფონდო: 7593

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 8A,

სასურველი
MCR12LMG
ON Semiconductor

MCR12LMG

ნაწილი საფონდო: 7541

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 8mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.2V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 7.6A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 12A,

სასურველი
MCR100-6RLG
ON Semiconductor

MCR100-6RLG

ნაწილი საფონდო: 7591

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 800mA,

სასურველი
MCR8DSMT4
ON Semiconductor

MCR8DSMT4

ნაწილი საფონდო: 7588

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.8V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 5.1A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 8A,

სასურველი
MCR22-8RL1G
ON Semiconductor

MCR22-8RL1G

ნაწილი საფონდო: 7546

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1.5A,

სასურველი
MCR12LD
ON Semiconductor

MCR12LD

ნაწილი საფონდო: 7523

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 8mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.2V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 7.6A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 12A,

სასურველი
MCR12LM
ON Semiconductor

MCR12LM

ნაწილი საფონდო: 7600

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 8mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.2V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 7.6A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 12A,

სასურველი
MCR100-6ZL1G
ON Semiconductor

MCR100-6ZL1G

ნაწილი საფონდო: 7552

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 800mA,

სასურველი