Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ

  • სახლი
  •  
  • ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ
MOC8030300
ON Semiconductor

MOC8030300

ნაწილი საფონდო: 5740

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 300% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3.5µs, 95µs,

სასურველი
H11A3TM
ON Semiconductor

H11A3TM

ნაწილი საფონდო: 5713

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
H11D3S
ON Semiconductor

H11D3S

ნაწილი საფონდო: 5844

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 5µs,

სასურველი
MOCD207M_F132
ON Semiconductor

MOCD207M_F132

ნაწილი საფონდო: 5904

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 7.5µs, 5.7µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3.2µs, 4.7µs,

სასურველი
H11D4300W
ON Semiconductor

H11D4300W

ნაწილი საფონდო: 5864

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 10% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 5µs,

სასურველი
H11AA814A
ON Semiconductor

H11AA814A

ნაწილი საფონდო: 2638

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 150% @ 1mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2.4µs, 2.4µs,

სასურველი
MOC205R1VM
ON Semiconductor

MOC205R1VM

ნაწილი საფონდო: 5945

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 40% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 80% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 7.5µs, 5.7µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3.2µs, 4.7µs,

სასურველი
FODM121ER1V
ON Semiconductor

FODM121ER1V

ნაწილი საფონდო: 5764

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
CNY17F2SR2M_F132
ON Semiconductor

CNY17F2SR2M_F132

ნაწილი საფონდო: 2590

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4170Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 63% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 125% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3.5µs (Max),

სასურველი
HCPL0452R2
ON Semiconductor

HCPL0452R2

ნაწილი საფონდო: 5725

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 19% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 450ns, 300ns,

სასურველი
H11AA4VM
ON Semiconductor

H11AA4VM

ნაწილი საფონდო: 136549

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4170Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA,

სასურველი
HMHA2801BR3
ON Semiconductor

HMHA2801BR3

ნაწილი საფონდო: 5806

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 130% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 260% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
MOC8204S
ON Semiconductor

MOC8204S

ნაწილი საფონდო: 5750

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 5µs,

სასურველი
FOD2742CV
ON Semiconductor

FOD2742CV

ნაწილი საფონდო: 5879

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA,

სასურველი
CNY17F3W
ON Semiconductor

CNY17F3W

ნაწილი საფონდო: 5814

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 2µs,

სასურველი
H11AV2FVM
ON Semiconductor

H11AV2FVM

ნაწილი საფონდო: 2684

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 15µs, 15µs,

სასურველი
H11A13S
ON Semiconductor

H11A13S

ნაწილი საფონდო: 5921

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
H11A5FR2M
ON Semiconductor

H11A5FR2M

ნაწილი საფონდო: 5903

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 30% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
FOD2743ASV
ON Semiconductor

FOD2743ASV

ნაწილი საფონდო: 5748

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 100% @ 1mA,

სასურველი
HCPL2531W
ON Semiconductor

HCPL2531W

ნაწილი საფონდო: 5712

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 19% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 450ns, 300ns,

სასურველი
MCT5201
ON Semiconductor

MCT5201

ნაწილი საფონდო: 5917

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 120% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 12µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2.5µs, 16µs,

სასურველი
HCPL0701R2V
ON Semiconductor

HCPL0701R2V

ნაწილი საფონდო: 5876

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 500% @ 1.6mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 2600% @ 1.6mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 300ns, 1.6µs,

სასურველი
FOD817BW
ON Semiconductor

FOD817BW

ნაწილი საფონდო: 5818

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 130% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 260% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3µs,

სასურველი
HMA121FR3V
ON Semiconductor

HMA121FR3V

ნაწილი საფონდო: 5762

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
TIL111300W
ON Semiconductor

TIL111300W

ნაწილი საფონდო: 5953

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 10µs, 10µs (Max),

სასურველი
MCT271W
ON Semiconductor

MCT271W

ნაწილი საფონდო: 5750

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 45% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 90% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 1µs, 48µs,

სასურველი
H11A53SD
ON Semiconductor

H11A53SD

ნაწილი საფონდო: 5759

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 30% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
FOD815300
ON Semiconductor

FOD815300

ნაწილი საფონდო: 5893

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 600% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 7500% @ 1mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 60µs, 53µs,

სასურველი
H11A43SD
ON Semiconductor

H11A43SD

ნაწილი საფონდო: 5825

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 10% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
MOC8020S
ON Semiconductor

MOC8020S

ნაწილი საფონდო: 5929

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 500% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3.5µs, 95µs,

სასურველი
HCPL3700W
ON Semiconductor

HCPL3700W

ნაწილი საფონდო: 5791

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 6µs, 25µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 45µs, 0.5µs,

სასურველი
H11A2SD
ON Semiconductor

H11A2SD

ნაწილი საფონდო: 5831

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
TIL117SR2M
ON Semiconductor

TIL117SR2M

ნაწილი საფონდო: 5813

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 10µs, 10µs (Max), აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
H11AV1FM
ON Semiconductor

H11AV1FM

ნაწილი საფონდო: 5849

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4170Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 15µs, 15µs (Max),

სასურველი
MCT2EFVM
ON Semiconductor

MCT2EFVM

ნაწილი საფონდო: 5900

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 1.5µs,

სასურველი
MOC8050W
ON Semiconductor

MOC8050W

ნაწილი საფონდო: 5819

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 500% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3.5µs, 95µs,

სასურველი