Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ

  • სახლი
  •  
  • ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ
MOCD213R1VM
ON Semiconductor

MOCD213R1VM

ნაწილი საფონდო: 5623

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 2.8µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1.6µs, 2.2µs,

სასურველი
MOCD208R1VM
ON Semiconductor

MOCD208R1VM

ნაწილი საფონდო: 5606

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 40% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 125% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 2.8µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1.6µs, 2.2µs,

სასურველი
CNY17F13S
ON Semiconductor

CNY17F13S

ნაწილი საფონდო: 5595

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 40% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 80% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 2µs,

სასურველი
FOD250LS
ON Semiconductor

FOD250LS

ნაწილი საფონდო: 5667

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 15% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 1µs, 1µs (Max),

სასურველი
CNW82S
ON Semiconductor

CNW82S

ნაწილი საფონდო: 5699

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5900Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 0.4% @ 10mA,

სასურველი
CNY17F2TM
ON Semiconductor

CNY17F2TM

ნაწილი საფონდო: 5728

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4170Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 63% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 125% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3.5µs (Max),

სასურველი
MCT2200
ON Semiconductor

MCT2200

ნაწილი საფონდო: 5541

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
FOD617DSD
ON Semiconductor

FOD617DSD

ნაწილი საფონდო: 5589

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 160% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 320% @ 10mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3µs,

სასურველი
TIL113300
ON Semiconductor

TIL113300

ნაწილი საფონდო: 5691

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 300% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 350ns, 55µs,

სასურველი
H11A2VM
ON Semiconductor

H11A2VM

ნაწილი საფონდო: 5600

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
MOC80503S
ON Semiconductor

MOC80503S

ნაწილი საფონდო: 5564

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 500% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3.5µs, 95µs,

სასურველი
FOD2743B
ON Semiconductor

FOD2743B

ნაწილი საფონდო: 96266

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 100% @ 1mA,

სასურველი
MOC206R1M
ON Semiconductor

MOC206R1M

ნაწილი საფონდო: 5699

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 63% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 125% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 7.5µs, 5.7µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3.2µs, 4.7µs,

სასურველი
H11F3W
ON Semiconductor

H11F3W

ნაწილი საფონდო: 5736

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 25µs, 25µs (Max),

სასურველი
CNX39U300W
ON Semiconductor

CNX39U300W

ნაწილი საფონდო: 5531

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 60% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 100% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 20µs, 20µs,

სასურველი
HMA121A
ON Semiconductor

HMA121A

ნაწილი საფონდო: 5525

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
MOC81123S
ON Semiconductor

MOC81123S

ნაწილი საფონდო: 5735

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 4.2µs, 23µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 14µs,

სასურველი
CNY1713SD
ON Semiconductor

CNY1713SD

ნაწილი საფონდო: 5637

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 40% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 80% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 2µs,

სასურველი
H11A817BSD
ON Semiconductor

H11A817BSD

ნაწილი საფონდო: 2633

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 130% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 260% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2.4µs, 2.4µs,

სასურველი
H11A617BW
ON Semiconductor

H11A617BW

ნაწილი საფონდო: 5722

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 63% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 125% @ 10mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2.4µs, 2.4µs,

სასურველი
H11A817B3SD
ON Semiconductor

H11A817B3SD

ნაწილი საფონდო: 5586

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 130% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 260% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2.4µs, 2.4µs,

სასურველი
H11AV1FVM
ON Semiconductor

H11AV1FVM

ნაწილი საფონდო: 5558

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4170Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 15µs, 15µs (Max),

სასურველი
CNY172
ON Semiconductor

CNY172

ნაწილი საფონდო: 5528

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 63% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 125% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 2µs,

სასურველი
MOC8112M
ON Semiconductor

MOC8112M

ნაწილი საფონდო: 5571

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 4.2µs, 23µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 14µs,

სასურველი
H11A33SD
ON Semiconductor

H11A33SD

ნაწილი საფონდო: 5669

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
CNY17F3SR2M_F132
ON Semiconductor

CNY17F3SR2M_F132

ნაწილი საფონდო: 5670

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4170Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3.5µs (Max),

სასურველი
MOC215VM
ON Semiconductor

MOC215VM

ნაწილი საფონდო: 5694

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 4µs, 4µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
TIL111SVM
ON Semiconductor

TIL111SVM

ნაწილი საფონდო: 5567

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 10µs, 10µs (Max),

სასურველი
MOC1193S
ON Semiconductor

MOC1193S

ნაწილი საფონდო: 5734

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 300% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3.5µs, 95µs,

სასურველი
TIL111TM
ON Semiconductor

TIL111TM

ნაწილი საფონდო: 5566

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 10µs, 10µs (Max),

სასურველი
MCT2EFR2VM
ON Semiconductor

MCT2EFR2VM

ნაწილი საფონდო: 5588

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 1.5µs,

სასურველი
H11D4S
ON Semiconductor

H11D4S

ნაწილი საფონდო: 5524

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 10% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 5µs,

სასურველი
H11G2W
ON Semiconductor

H11G2W

ნაწილი საფონდო: 5546

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 1000% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 100µs,

სასურველი
HMA121FR1V
ON Semiconductor

HMA121FR1V

ნაწილი საფონდო: 5556

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
MCT2713SD
ON Semiconductor

MCT2713SD

ნაწილი საფონდო: 5637

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 45% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 90% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 1µs, 48µs,

სასურველი
MOC80803S
ON Semiconductor

MOC80803S

ნაწილი საფონდო: 2571

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3.5µs, 25µs,

სასურველი