Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ

  • სახლი
  •  
  • ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ
FODM121BR2V
ON Semiconductor

FODM121BR2V

ნაწილი საფონდო: 5697

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 150% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
MCT271M
ON Semiconductor

MCT271M

ნაწილი საფონდო: 5629

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 45% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 90% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 1µs, 48µs,

სასურველი
FOD2743AT
ON Semiconductor

FOD2743AT

ნაწილი საფონდო: 5565

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 100% @ 1mA,

სასურველი
H11A5100
ON Semiconductor

H11A5100

ნაწილი საფონდო: 5618

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 30% @ 10mA,

სასურველი
H11A5TVM
ON Semiconductor

H11A5TVM

ნაწილი საფონდო: 5676

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 30% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
FOD2743CSV
ON Semiconductor

FOD2743CSV

ნაწილი საფონდო: 5506

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 100% @ 1mA,

სასურველი
MOC8030-M
ON Semiconductor

MOC8030-M

ნაწილი საფონდო: 5746

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 300% @ 10mA,

სასურველი
H11A617C300
ON Semiconductor

H11A617C300

ნაწილი საფონდო: 5577

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2.4µs, 2.4µs,

სასურველი
MCT2SVM
ON Semiconductor

MCT2SVM

ნაწილი საფონდო: 5602

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 1.5µs,

სასურველი
HMHA2801CR2V
ON Semiconductor

HMHA2801CR2V

ნაწილი საფონდო: 2549

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 200% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 400% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
H11A3FR2VM
ON Semiconductor

H11A3FR2VM

ნაწილი საფონდო: 5586

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
H11A617DW
ON Semiconductor

H11A617DW

ნაწილი საფონდო: 5678

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 160% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 320% @ 10mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2.4µs, 2.4µs,

სასურველი
CNX39USD
ON Semiconductor

CNX39USD

ნაწილი საფონდო: 5504

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 60% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 100% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 20µs, 20µs,

სასურველი
CNY171VM
ON Semiconductor

CNY171VM

ნაწილი საფონდო: 103184

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4170Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 40% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 80% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3.5µs (Max),

სასურველი
H11AV2FR2VM
ON Semiconductor

H11AV2FR2VM

ნაწილი საფონდო: 5644

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 15µs, 15µs,

სასურველი
H11A617CSD
ON Semiconductor

H11A617CSD

ნაწილი საფონდო: 5711

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2.4µs, 2.4µs,

სასურველი
TIL111FR2VM
ON Semiconductor

TIL111FR2VM

ნაწილი საფონდო: 2602

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 10µs, 10µs (Max),

სასურველი
FOD2741C
ON Semiconductor

FOD2741C

ნაწილი საფონდო: 5647

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA,

სასურველი
H11B2553SD
ON Semiconductor

H11B2553SD

ნაწილი საფონდო: 5588

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 25µs, 18µs,

სასურველი
FODM2701AR2V
ON Semiconductor

FODM2701AR2V

ნაწილი საფონდო: 5633

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
MOC8100SM
ON Semiconductor

MOC8100SM

ნაწილი საფონდო: 5712

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 30% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 20µs, 20µs (Max), აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
H11F33S
ON Semiconductor

H11F33S

ნაწილი საფონდო: 5660

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 25µs, 25µs (Max),

სასურველი
MOC80303SD
ON Semiconductor

MOC80303SD

ნაწილი საფონდო: 5595

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 300% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3.5µs, 95µs,

სასურველი
CNY17F23S
ON Semiconductor

CNY17F23S

ნაწილი საფონდო: 5615

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 63% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 125% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 2µs,

სასურველი
H11D3300W
ON Semiconductor

H11D3300W

ნაწილი საფონდო: 5703

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 5µs,

სასურველი
HMA121AR2V
ON Semiconductor

HMA121AR2V

ნაწილი საფონდო: 5533

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
H11G1
ON Semiconductor

H11G1

ნაწილი საფონდო: 5713

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 1000% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 100µs,

სასურველი
HCPL2730WV
ON Semiconductor

HCPL2730WV

ნაწილი საფონდო: 5721

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 300% @ 1.6mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 300ns, 5µs,

სასურველი
MOC81083S
ON Semiconductor

MOC81083S

ნაწილი საფონდო: 5555

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 250% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 2µs,

სასურველი
TIL113SD
ON Semiconductor

TIL113SD

ნაწილი საფონდო: 5627

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 300% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 350ns, 55µs,

სასურველი
FODM2701A
ON Semiconductor

FODM2701A

ნაწილი საფონდო: 5716

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
TIL1113SD
ON Semiconductor

TIL1113SD

ნაწილი საფონდო: 5546

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 10µs, 10µs (Max),

სასურველი
FOD2712
ON Semiconductor

FOD2712

ნაწილი საფონდო: 5509

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA,

სასურველი
H11A817AW
ON Semiconductor

H11A817AW

ნაწილი საფონდო: 5701

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 80% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 160% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2.4µs, 2.4µs,

სასურველი
CNX39U300
ON Semiconductor

CNX39U300

ნაწილი საფონდო: 5686

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 60% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 100% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 20µs, 20µs,

სასურველი
H11AV2AM
ON Semiconductor

H11AV2AM

ნაწილი საფონდო: 2655

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 15µs, 15µs,

სასურველი