Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ

  • სახლი
  •  
  • ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ
H11A2FR2VM
ON Semiconductor

H11A2FR2VM

ნაწილი საფონდო: 5599

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
FODM121BR1V
ON Semiconductor

FODM121BR1V

ნაწილი საფონდო: 5759

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 150% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
HCPL0501V
ON Semiconductor

HCPL0501V

ნაწილი საფონდო: 80068

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 19% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 450ns, 300ns,

სასურველი
FOD2741CSV
ON Semiconductor

FOD2741CSV

ნაწილი საფონდო: 5595

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA,

სასურველი
FOD617CW
ON Semiconductor

FOD617CW

ნაწილი საფონდო: 5654

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3µs,

სასურველი
FODM2701AV
ON Semiconductor

FODM2701AV

ნაწილი საფონდო: 5597

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
H11G1S
ON Semiconductor

H11G1S

ნაწილი საფონდო: 5645

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 1000% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 100µs,

სასურველი
CNY17F3TM
ON Semiconductor

CNY17F3TM

ნაწილი საფონდო: 5726

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4170Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3.5µs (Max),

სასურველი
H11A3FM
ON Semiconductor

H11A3FM

ნაწილი საფონდო: 5568

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
HCPL0452R2V
ON Semiconductor

HCPL0452R2V

ნაწილი საფონდო: 5579

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 19% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 450ns, 300ns,

სასურველი
CNY17F3300W
ON Semiconductor

CNY17F3300W

ნაწილი საფონდო: 5762

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 2µs,

სასურველი
HMHA2801CR4V
ON Semiconductor

HMHA2801CR4V

ნაწილი საფონდო: 5526

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 200% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 400% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
CNW85300
ON Semiconductor

CNW85300

ნაწილი საფონდო: 5658

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5900Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 0.63% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 3.20% @ 10mA,

სასურველი
CNW83
ON Semiconductor

CNW83

ნაწილი საფონდო: 5566

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5900Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 0.4% @ 10mA,

სასურველი
FOD617BW
ON Semiconductor

FOD617BW

ნაწილი საფონდო: 5538

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 63% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 125% @ 10mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3µs,

სასურველი
H11AG3
ON Semiconductor

H11AG3

ნაწილი საფონდო: 5605

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 5µs,

სასურველი
HMHA2801CR4
ON Semiconductor

HMHA2801CR4

ნაწილი საფონდო: 5523

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 200% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 400% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
H11AA1300
ON Semiconductor

H11AA1300

ნაწილი საფონდო: 5678

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA,

სასურველი
CNW85
ON Semiconductor

CNW85

ნაწილი საფონდო: 5622

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5900Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 0.63% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 3.20% @ 10mA,

სასურველი
HCPL4502S
ON Semiconductor

HCPL4502S

ნაწილი საფონდო: 5662

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 19% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 450ns, 300ns,

სასურველი
MOCD211R2VM
ON Semiconductor

MOCD211R2VM

ნაწილი საფონდო: 5759

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 7.5µs, 5.7µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3.2µs, 4.7µs,

სასურველი
FODM121R1
ON Semiconductor

FODM121R1

ნაწილი საფონდო: 5649

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
HMHA2801R4
ON Semiconductor

HMHA2801R4

ნაწილი საფონდო: 5684

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 80% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
H11G3300
ON Semiconductor

H11G3300

ნაწილი საფონდო: 5542

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 200% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 100µs,

სასურველი
H11A3SM
ON Semiconductor

H11A3SM

ნაწილი საფონდო: 5610

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
MOC8020300
ON Semiconductor

MOC8020300

ნაწილი საფონდო: 5533

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 500% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3.5µs, 95µs,

სასურველი
H11D1SVM
ON Semiconductor

H11D1SVM

ნაწილი საფონდო: 5588

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4170Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 5µs,

სასურველი
HMA121AR3
ON Semiconductor

HMA121AR3

ნაწილი საფონდო: 5567

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
HMA121B
ON Semiconductor

HMA121B

ნაწილი საფონდო: 5631

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 150% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
H11AG1W
ON Semiconductor

H11AG1W

ნაწილი საფონდო: 5670

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 5µs,

სასურველი
HCPL0500R1V
ON Semiconductor

HCPL0500R1V

ნაწილი საფონდო: 5514

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 7% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 450ns, 500ns,

სასურველი
MOC8050
ON Semiconductor

MOC8050

ნაწილი საფონდო: 2627

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 500% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3.5µs, 95µs,

სასურველი
CNX36UW
ON Semiconductor

CNX36UW

ნაწილი საფონდო: 5633

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 80% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 20µs, 20µs,

სასურველი
H11A23S
ON Semiconductor

H11A23S

ნაწილი საფონდო: 5579

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
FOD053LR1
ON Semiconductor

FOD053LR1

ნაწილი საფონდო: 2592

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 15% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 1µs, 1µs (Max),

სასურველი
MOC8112300
ON Semiconductor

MOC8112300

ნაწილი საფონდო: 5557

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 4.2µs, 23µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 14µs,

სასურველი