ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

FCSL76R0005JER

FCSL76R0005JER

ნაწილი საფონდო: 7917

წინააღმდეგობა: 500 µOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
FCSL90R0005JER

FCSL90R0005JER

ნაწილი საფონდო: 8004

წინააღმდეგობა: 500 µOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RW2S0DAR010J

RW2S0DAR010J

ნაწილი საფონდო: 17982

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW2R0CBR010JT

RW2R0CBR010JT

ნაწილი საფონდო: 28952

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
HVF1206T5004FE

HVF1206T5004FE

ნაწილი საფონდო: 7113

წინააღმდეგობა: 5 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVF2512T2503FE

HVF2512T2503FE

ნაწილი საფონდო: 7134

წინააღმდეგობა: 250 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVF2512T5007FE

HVF2512T5007FE

ნაწილი საფონდო: 7167

წინააღმდეგობა: 5 GOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVF1206T2004FE

HVF1206T2004FE

ნაწილი საფონდო: 7120

წინააღმდეგობა: 2 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVF2512T1003FE

HVF2512T1003FE

ნაწილი საფონდო: 13570

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVF2512T1007FE

HVF2512T1007FE

ნაწილი საფონდო: 7126

წინააღმდეგობა: 1 GOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVF2512T2504FE

HVF2512T2504FE

ნაწილი საფონდო: 13517

წინააღმდეგობა: 2.5 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
LVK25R010FE

LVK25R010FE

ნაწილი საფონდო: 7179

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Anti-Corrosive, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVF1206T7502FE

HVF1206T7502FE

ნაწილი საფონდო: 7101

წინააღმდეგობა: 75 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVF1206T1008JE

HVF1206T1008JE

ნაწილი საფონდო: 7078

წინააღმდეგობა: 10 GOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVF2512T5004FE

HVF2512T5004FE

ნაწილი საფონდო: 13570

წინააღმდეგობა: 5 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVF2512T5003FE

HVF2512T5003FE

ნაწილი საფონდო: 7145

წინააღმდეგობა: 500 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVF1206T2503FE

HVF1206T2503FE

ნაწილი საფონდო: 14332

წინააღმდეგობა: 250 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVF1206T5003FE

HVF1206T5003FE

ნაწილი საფონდო: 7174

წინააღმდეგობა: 500 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVF2512T2502FE

HVF2512T2502FE

ნაწილი საფონდო: 13486

წინააღმდეგობა: 25 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVF2512T2004FE

HVF2512T2004FE

ნაწილი საფონდო: 7189

წინააღმდეგობა: 2 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVF1206T1004FE

HVF1206T1004FE

ნაწილი საფონდო: 7161

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVF1206T5002FE

HVF1206T5002FE

ნაწილი საფონდო: 14313

წინააღმდეგობა: 50 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVF1206T1007JE

HVF1206T1007JE

ნაწილი საფონდო: 7172

წინააღმდეგობა: 1 GOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVF2512T7502FE

HVF2512T7502FE

ნაწილი საფონდო: 7172

წინააღმდეგობა: 75 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVF2512T1004FE

HVF2512T1004FE

ნაწილი საფონდო: 13554

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVF1206T7504FE

HVF1206T7504FE

ნაწილი საფონდო: 14395

წინააღმდეგობა: 7.5 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVF2512T5002FE

HVF2512T5002FE

ნაწილი საფონდო: 13523

წინააღმდეგობა: 50 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVF2512T7504FE

HVF2512T7504FE

ნაწილი საფონდო: 13533

წინააღმდეგობა: 7.5 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
FCSL64R0005JER

FCSL64R0005JER

ნაწილი საფონდო: 7128

წინააღმდეგობა: 500 µOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
HVF2512T1504FE

HVF2512T1504FE

ნაწილი საფონდო: 7183

წინააღმდეგობა: 1.5 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
TDH35PR150JE

TDH35PR150JE

ნაწილი საფონდო: 9356

წინააღმდეგობა: 150 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C,

სასურველი
RW2S0DA24R0JT

RW2S0DA24R0JT

ნაწილი საფონდო: 24782

წინააღმდეგობა: 24 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
RW3R0DB100RJT

RW3R0DB100RJT

ნაწილი საფონდო: 23801

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
RW3R0DB10R0JT

RW3R0DB10R0JT

ნაწილი საფონდო: 23762

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
RW2S0DA68R0J

RW2S0DA68R0J

ნაწილი საფონდო: 17125

წინააღმდეგობა: 68 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
TDH35PR250JE

TDH35PR250JE

ნაწილი საფონდო: 9944

წინააღმდეგობა: 250 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი