ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RW3R0DB24R0JE

RW3R0DB24R0JE

ნაწილი საფონდო: 16970

წინააღმდეგობა: 24 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
RC1R0EA33R0KE

RC1R0EA33R0KE

ნაწილი საფონდო: 15430

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -1300ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BAR470JE

RW1S0BAR470JE

ნაწილი საფონდო: 17312

წინააღმდეგობა: 470 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
HVC0805Z1008KET

HVC0805Z1008KET

ნაწილი საფონდო: 14220

წინააღმდეგობა: 10 GOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
RW2R0DAR010J

RW2R0DAR010J

ნაწილი საფონდო: 18036

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
MC102821002JE

MC102821002JE

ნაწილი საფონდო: 17043

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RC0R5DB75R0JE

RC0R5DB75R0JE

ნაწილი საფონდო: 16319

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C,

სასურველი
RC0R5DB39R0JE

RC0R5DB39R0JE

ნაწილი საფონდო: 16311

წინააღმდეგობა: 39 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BAR020FE

RW1S0BAR020FE

ნაწილი საფონდო: 16976

წინააღმდეგობა: 20 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW3R0DB10R0JE

RW3R0DB10R0JE

ნაწილი საფონდო: 16955

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
HVC1206Z1008KET

HVC1206Z1008KET

ნაწილი საფონდო: 16033

წინააღმდეგობა: 10 GOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
RC0S2CA10R0JE

RC0S2CA10R0JE

ნაწილი საფონდო: 16272

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C,

სასურველი
RW3R0DB5R00J

RW3R0DB5R00J

ნაწილი საფონდო: 16242

წინააღმდეგობა: 5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW1S5CAR040J

RW1S5CAR040J

ნაწილი საფონდო: 18289

წინააღმდეგობა: 40 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RC0R5DB560RJE

RC0R5DB560RJE

ნაწილი საფონდო: 16319

წინააღმდეგობა: 560 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C,

სასურველი
RW2S0CB1R00J

RW2S0CB1R00J

ნაწილი საფონდო: 17473

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW3R0DBR075J

RW3R0DBR075J

ნაწილი საფონდო: 16284

წინააღმდეგობა: 75 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW2S0CBR500J

RW2S0CBR500J

ნაწილი საფონდო: 17550

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
MC102825005JE

MC102825005JE

ნაწილი საფონდო: 17060

წინააღმდეგობა: 50 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW3R5EAR100JE

RW3R5EAR100JE

ნაწილი საფონდო: 17608

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RC0R5DB56R0JE

RC0R5DB56R0JE

ნაწილი საფონდო: 16326

წინააღმდეგობა: 56 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C,

სასურველი
HVC1206Z1007JET

HVC1206Z1007JET

ნაწილი საფონდო: 14856

წინააღმდეგობა: 1 GOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
RW3R0DBR005J

RW3R0DBR005J

ნაწილი საფონდო: 18086

წინააღმდეგობა: 5 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
MC102825004JE

MC102825004JE

ნაწილი საფონდო: 17080

წინააღმდეგობა: 5 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BAR750JE

RW1S0BAR750JE

ნაწილი საფონდო: 17362

წინააღმდეგობა: 750 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BAR100JE

RW1S0BAR100JE

ნაწილი საფონდო: 17342

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RC1R0EA6R80KE

RC1R0EA6R80KE

ნაწილი საფონდო: 15401

წინააღმდეგობა: 6.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -1300ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BAR750J

RW1S0BAR750J

ნაწილი საფონდო: 16529

წინააღმდეგობა: 750 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW3R5EAR200JE

RW3R5EAR200JE

ნაწილი საფონდო: 17649

წინააღმდეგობა: 200 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RC0R5DB2R70JE

RC0R5DB2R70JE

ნაწილი საფონდო: 16302

წინააღმდეგობა: 2.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C,

სასურველი
RW3R0DB15R0JE

RW3R0DB15R0JE

ნაწილი საფონდო: 16957

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
MC102825003JE

MC102825003JE

ნაწილი საფონდო: 17078

წინააღმდეგობა: 500 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RC0R5DB1K00JE

RC0R5DB1K00JE

ნაწილი საფონდო: 16267

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C,

სასურველი
RW3R5EAR500JE

RW3R5EAR500JE

ნაწილი საფონდო: 17635

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BAR050J

RW1S0BAR050J

ნაწილი საფონდო: 17086

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
MC102822503JE

MC102822503JE

ნაწილი საფონდო: 17062

წინააღმდეგობა: 250 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი