ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

HVF1206T2502FE

HVF1206T2502FE

ნაწილი საფონდო: 14313

წინააღმდეგობა: 25 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BAR100FE

RW1S0BAR100FE

ნაწილი საფონდო: 13425

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
HVF1206T2504FE

HVF1206T2504FE

ნაწილი საფონდო: 14396

წინააღმდეგობა: 2.5 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVF1206T1003FE

HVF1206T1003FE

ნაწილი საფონდო: 14365

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVC2512Z1007JET

HVC2512Z1007JET

ნაწილი საფონდო: 12422

წინააღმდეგობა: 1 GOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
HVF1206T1504FE

HVF1206T1504FE

ნაწილი საფონდო: 14402

წინააღმდეგობა: 1.5 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Moisture Resistant, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVC4020V5007JET

HVC4020V5007JET

ნაწილი საფონდო: 13252

წინააღმდეგობა: 5 GOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVC4020V1008KET

HVC4020V1008KET

ნაწილი საფონდო: 13188

წინააღმდეგობა: 10 GOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVC0603N5007KET

HVC0603N5007KET

ნაწილი საფონდო: 14503

წინააღმდეგობა: 5 GOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±1000ppm/°C,

სასურველი
HVC0805Z1007JET

HVC0805Z1007JET

ნაწილი საფონდო: 13297

წინააღმდეგობა: 1 GOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
RC1R0EA10R0KE

RC1R0EA10R0KE

ნაწილი საფონდო: 15389

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -1300ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BAR010J

RW1S0BAR010J

ნაწილი საფონდო: 17073

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW3R0DB150RJE

RW3R0DB150RJE

ნაწილი საფონდო: 16937

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BAR100J

RW1S0BAR100J

ნაწილი საფონდო: 16474

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RC0R5DB360RJE

RC0R5DB360RJE

ნაწილი საფონდო: 16312

წინააღმდეგობა: 360 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C,

სასურველი
MC102822505JE

MC102822505JE

ნაწილი საფონდო: 17069

წინააღმდეგობა: 25 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BA1R00JE

RW1S0BA1R00JE

ნაწილი საფონდო: 17348

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW2S0DA47R0JE

RW2S0DA47R0JE

ნაწილი საფონდო: 18401

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
RW2S0DA150RJ

RW2S0DA150RJ

ნაწილი საფონდო: 17104

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
RW3R0DBR025J

RW3R0DBR025J

ნაწილი საფონდო: 16266

წინააღმდეგობა: 25 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW3R0DB47R0JE

RW3R0DB47R0JE

ნაწილი საფონდო: 16875

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
RW2S0CBR030J

RW2S0CBR030J

ნაწილი საფონდო: 18314

წინააღმდეგობა: 30 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW2S0CBR020J

RW2S0CBR020J

ნაწილი საფონდო: 18309

წინააღმდეგობა: 20 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RC1R0EA3R30KE

RC1R0EA3R30KE

ნაწილი საფონდო: 15403

წინააღმდეგობა: 3.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -1300ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BAR075J

RW1S0BAR075J

ნაწილი საფონდო: 16510

წინააღმდეგობა: 75 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW2R0DA1R00JE

RW2R0DA1R00JE

ნაწილი საფონდო: 17801

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW3R0DB1R00JE

RW3R0DB1R00JE

ნაწილი საფონდო: 17788

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW2S0CBR300JE

RW2S0CBR300JE

ნაწილი საფონდო: 17587

წინააღმდეგობა: 300 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BAR240JE

RW1S0BAR240JE

ნაწილი საფონდო: 17346

წინააღმდეგობა: 240 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
MC102821004JE

MC102821004JE

ნაწილი საფონდო: 17008

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RC1R0EA4R70KE

RC1R0EA4R70KE

ნაწილი საფონდო: 15366

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -1300ppm/°C,

სასურველი
RC1R0EA15R0KE

RC1R0EA15R0KE

ნაწილი საფონდო: 15397

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -1300ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BAR075JE

RW1S0BAR075JE

ნაწილი საფონდო: 17282

წინააღმდეგობა: 75 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RC0R5DB270RJE

RC0R5DB270RJE

ნაწილი საფონდო: 16277

წინააღმდეგობა: 270 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C,

სასურველი
HVC0805E5007KET

HVC0805E5007KET

ნაწილი საფონდო: 14192

წინააღმდეგობა: 5 GOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C,

სასურველი
RW3R0DB150RJ

RW3R0DB150RJ

ნაწილი საფონდო: 16262

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი