ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RC1R0EA68R0KE

RC1R0EA68R0KE

ნაწილი საფონდო: 15382

წინააღმდეგობა: 68 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -1300ppm/°C,

სასურველი
RW3R5EA1R00JE

RW3R5EA1R00JE

ნაწილი საფონდო: 17606

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVC1206Z5007KET

HVC1206Z5007KET

ნაწილი საფონდო: 15974

წინააღმდეგობა: 5 GOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
RW3R0DB1R00J

RW3R0DB1R00J

ნაწილი საფონდო: 16827

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVC0402N1007KET

HVC0402N1007KET

ნაწილი საფონდო: 14772

წინააღმდეგობა: 1 GOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±1000ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BAR010FE

RW1S0BAR010FE

ნაწილი საფონდო: 17025

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW3R0DB24R0J

RW3R0DB24R0J

ნაწილი საფონდო: 16294

წინააღმდეგობა: 24 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
MC102821003JE

MC102821003JE

ნაწილი საფონდო: 17067

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RC1R0EA8R20KE

RC1R0EA8R20KE

ნაწილი საფონდო: 15362

წინააღმდეგობა: 8.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -1300ppm/°C,

სასურველი
RW3R0DBR050J

RW3R0DBR050J

ნაწილი საფონდო: 18041

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW2S0CBR150J

RW2S0CBR150J

ნაწილი საფონდო: 17564

წინააღმდეგობა: 150 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW2S0DA68R0JE

RW2S0DA68R0JE

ნაწილი საფონდო: 18341

წინააღმდეგობა: 68 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
RW2S0DA5R00J

RW2S0DA5R00J

ნაწილი საფონდო: 17085

წინააღმდეგობა: 5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW2R0DAR100J

RW2R0DAR100J

ნაწილი საფონდო: 17612

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW2S0CBR200JE

RW2S0CBR200JE

ნაწილი საფონდო: 17593

წინააღმდეგობა: 200 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW2S0DA100RJ

RW2S0DA100RJ

ნაწილი საფონდო: 17124

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
RW3R0DBR100JE

RW3R0DBR100JE

ნაწილი საფონდო: 17763

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BAR300JE

RW1S0BAR300JE

ნაწილი საფონდო: 17352

წინააღმდეგობა: 300 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW2R0DAR100JE

RW2R0DAR100JE

ნაწილი საფონდო: 17867

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW3R5EAR010JE

RW3R5EAR010JE

ნაწილი საფონდო: 17626

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW1S0BAR030F

RW1S0BAR030F

ნაწილი საფონდო: 16355

წინააღმდეგობა: 30 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RC0S2CA100RJE

RC0S2CA100RJE

ნაწილი საფონდო: 16319

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C,

სასურველი
RC1R0EA22R0KE

RC1R0EA22R0KE

ნაწილი საფონდო: 15371

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -1300ppm/°C,

სასურველი
RW2R0DA1R00J

RW2R0DA1R00J

ნაწილი საფონდო: 17692

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RC0R5DB150RJE

RC0R5DB150RJE

ნაწილი საფონდო: 16326

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C,

სასურველი
RW2S0DA150RJE

RW2S0DA150RJE

ნაწილი საფონდო: 18361

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
RW1S5CAR080J

RW1S5CAR080J

ნაწილი საფონდო: 17019

წინააღმდეგობა: 80 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW2S0CBR500JE

RW2S0CBR500JE

ნაწილი საფონდო: 17619

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
HVC2512Z5006JET

HVC2512Z5006JET

ნაწილი საფონდო: 16033

წინააღმდეგობა: 500 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
MC102821005JE

MC102821005JE

ნაწილი საფონდო: 17062

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BAR010F

RW1S0BAR010F

ნაწილი საფონდო: 16322

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW1S0BA1R00J

RW1S0BA1R00J

ნაწილი საფონდო: 16551

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BAR050FE

RW1S0BAR050FE

ნაწილი საფონდო: 16978

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW3R0DB68R0JE

RW3R0DB68R0JE

ნაწილი საფონდო: 16946

წინააღმდეგობა: 68 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
RC0R5DB15R0JE

RC0R5DB15R0JE

ნაწილი საფონდო: 16290

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BAR036J

RW1S0BAR036J

ნაწილი საფონდო: 17065

წინააღმდეგობა: 36 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი