ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RW2S0CBR240JT

RW2S0CBR240JT

ნაწილი საფონდო: 24129

წინააღმდეგობა: 240 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BAR033J

RW1S0BAR033J

ნაწილი საფონდო: 17056

წინააღმდეგობა: 33 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW3R5EA50R0JT

RW3R5EA50R0JT

ნაწილი საფონდო: 39352

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
RW2S0CBR220J

RW2S0CBR220J

ნაწილი საფონდო: 17556

წინააღმდეგობა: 220 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW2R0CBR150J

RW2R0CBR150J

ნაწილი საფონდო: 17469

წინააღმდეგობა: 150 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW2S0DAR100F

RW2S0DAR100F

ნაწილი საფონდო: 16030

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW2S0DAR150JT

RW2S0DAR150JT

ნაწილი საფონდო: 25474

წინააღმდეგობა: 150 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW2S0DAR500JT

RW2S0DAR500JT

ნაწილი საფონდო: 25382

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW2S0DAR100FT

RW2S0DAR100FT

ნაწილი საფონდო: 23489

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW1S5CAR500JT

RW1S5CAR500JT

ნაწილი საფონდო: 24673

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW2S0CBR010J

RW2S0CBR010J

ნაწილი საფონდო: 18354

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW2S0CBR005JT

RW2S0CBR005JT

ნაწილი საფონდო: 28951

წინააღმდეგობა: 5 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW2S0CBR150JT

RW2S0CBR150JT

ნაწილი საფონდო: 24156

წინააღმდეგობა: 150 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW1S5CAR500J

RW1S5CAR500J

ნაწილი საფონდო: 17030

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BAR020J

RW1S0BAR020J

ნაწილი საფონდო: 17041

წინააღმდეგობა: 20 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW1S5CAR200J

RW1S5CAR200J

ნაწილი საფონდო: 16972

წინააღმდეგობა: 200 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BAR020JT

RW1S0BAR020JT

ნაწილი საფონდო: 27283

წინააღმდეგობა: 20 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW3R0DBR010J

RW3R0DBR010J

ნაწილი საფონდო: 18092

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW1S5CAR010J

RW1S5CAR010J

ნაწილი საფონდო: 18243

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW1S0BAR050JT

RW1S0BAR050JT

ნაწილი საფონდო: 27246

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW2R0DAR020JT

RW2R0DAR020JT

ნაწილი საფონდო: 28149

წინააღმდეგობა: 20 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW1S0BAR680JT

RW1S0BAR680JT

ნაწილი საფონდო: 24486

წინააღმდეგობა: 680 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BAR470J

RW1S0BAR470J

ნაწილი საფონდო: 16529

წინააღმდეგობა: 470 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW3R5EAR030JT

RW3R5EAR030JT

ნაწილი საფონდო: 41825

წინააღმდეგობა: 30 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW2S0CBR005J

RW2S0CBR005J

ნაწილი საფონდო: 18342

წინააღმდეგობა: 5 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW3R5EAR200J

RW3R5EAR200J

ნაწილი საფონდო: 24125

წინააღმდეგობა: 200 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW3R0DBR010JT

RW3R0DBR010JT

ნაწილი საფონდო: 26236

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW1S0BAR010FT

RW1S0BAR010FT

ნაწილი საფონდო: 24258

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW1S0BAR470JT

RW1S0BAR470JT

ნაწილი საფონდო: 24426

წინააღმდეგობა: 470 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BAR100JT

RW1S0BAR100JT

ნაწილი საფონდო: 24466

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW1S5CAR030JT

RW1S5CAR030JT

ნაწილი საფონდო: 28502

წინააღმდეგობა: 30 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW3R5EAR020J

RW3R5EAR020J

ნაწილი საფონდო: 25843

წინააღმდეგობა: 20 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW2R0DAR010JT

RW2R0DAR010JT

ნაწილი საფონდო: 28120

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW2S0CBR300J

RW2S0CBR300J

ნაწილი საფონდო: 17469

წინააღმდეგობა: 300 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW1S5CAR030J

RW1S5CAR030J

ნაწილი საფონდო: 18212

წინააღმდეგობა: 30 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW1S5CAR100J

RW1S5CAR100J

ნაწილი საფონდო: 16952

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი