ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RC1R0EA10R0KT

RC1R0EA10R0KT

ნაწილი საფონდო: 5502

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -1300ppm/°C,

სასურველი
RC1R0EA6R80K

RC1R0EA6R80K

ნაწილი საფონდო: 5569

წინააღმდეგობა: 6.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -1300ppm/°C,

სასურველი
RC0S2CA47R0J

RC0S2CA47R0J

ნაწილი საფონდო: 5539

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C,

სასურველი
TDH35P33R0J

TDH35P33R0J

ნაწილი საფონდო: 5534

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW2R0DAR030J

RW2R0DAR030J

ნაწილი საფონდო: 17977

წინააღმდეგობა: 30 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
MC102821002J

MC102821002J

ნაწილი საფონდო: 31903

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW2R0DAR005J

RW2R0DAR005J

ნაწილი საფონდო: 18049

წინააღმდეგობა: 5 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW2R0DAR050JT

RW2R0DAR050JT

ნაწილი საფონდო: 28157

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RC1R0EA68R0K

RC1R0EA68R0K

ნაწილი საფონდო: 5541

წინააღმდეგობა: 68 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -1300ppm/°C,

სასურველი
TDH35PR150J

TDH35PR150J

ნაწილი საფონდო: 2571

წინააღმდეგობა: 150 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C,

სასურველი
RC1R0EA100RKT

RC1R0EA100RKT

ნაწილი საფონდო: 5556

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -1300ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BAR024J

RW1S0BAR024J

ნაწილი საფონდო: 17060

წინააღმდეგობა: 24 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
TDH35P75R0J

TDH35P75R0J

ნაწილი საფონდო: 2590

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BAR020FT

RW1S0BAR020FT

ნაწილი საფონდო: 24284

წინააღმდეგობა: 20 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
MC102822003J

MC102822003J

ნაწილი საფონდო: 31880

წინააღმდეგობა: 200 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BAR030J

RW1S0BAR030J

ნაწილი საფონდო: 17076

წინააღმდეგობა: 30 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
MC102821502J

MC102821502J

ნაწილი საფონდო: 31884

წინააღმდეგობა: 15 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
MC102821504J

MC102821504J

ნაწილი საფონდო: 31909

წინააღმდეგობა: 1.5 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BAR039FT

RW1S0BAR039FT

ნაწილი საფონდო: 24278

წინააღმდეგობა: 39 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
TDH35P10R0J

TDH35P10R0J

ნაწილი საფონდო: 5561

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RC1R0EA10R0K

RC1R0EA10R0K

ნაწილი საფონდო: 5545

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -1300ppm/°C,

სასურველი
RC0S2CA30R0J

RC0S2CA30R0J

ნაწილი საფონდო: 5540

წინააღმდეგობა: 30 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C,

სასურველი
TDH35P1R00J

TDH35P1R00J

ნაწილი საფონდო: 5523

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC0S2CA68R0J

RC0S2CA68R0J

ნაწილი საფონდო: 5495

წინააღმდეგობა: 68 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C,

სასურველი
RC1R0EA4R70KT

RC1R0EA4R70KT

ნაწილი საფონდო: 2567

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -1300ppm/°C,

სასურველი
RW2R0DAR025J

RW2R0DAR025J

ნაწილი საფონდო: 18034

წინააღმდეგობა: 25 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RC0S2CA47R0JT

RC0S2CA47R0JT

ნაწილი საფონდო: 2614

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C,

სასურველი
MC102822505J

MC102822505J

ნაწილი საფონდო: 31899

წინააღმდეგობა: 25 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW3R5EAR036J

RW3R5EAR036J

ნაწილი საფონდო: 25857

წინააღმდეგობა: 36 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
TDH35P5R00J

TDH35P5R00J

ნაწილი საფონდო: 5550

წინააღმდეგობა: 5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MC102822503J

MC102822503J

ნაწილი საფონდო: 31902

წინააღმდეგობა: 250 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RC1R0EA47R0KT

RC1R0EA47R0KT

ნაწილი საფონდო: 5536

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -1300ppm/°C,

სასურველი
MC102827501J

MC102827501J

ნაწილი საფონდო: 31859

წინააღმდეგობა: 7.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW2R0DAR025JT

RW2R0DAR025JT

ნაწილი საფონდო: 28085

წინააღმდეგობა: 25 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW1S0BAR015F

RW1S0BAR015F

ნაწილი საფონდო: 16342

წინააღმდეგობა: 15 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW1S0BAR015JT

RW1S0BAR015JT

ნაწილი საფონდო: 27228

წინააღმდეგობა: 15 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი