ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RW1S0BAR030FT

RW1S0BAR030FT

ნაწილი საფონდო: 24208

წინააღმდეგობა: 30 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
MC102822002J

MC102822002J

ნაწილი საფონდო: 31929

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
MC102821003J

MC102821003J

ნაწილი საფონდო: 31858

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
MC102825004J

MC102825004J

ნაწილი საფონდო: 31889

წინააღმდეგობა: 5 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BAR200J

RW1S0BAR200J

ნაწილი საფონდო: 16504

წინააღმდეგობა: 200 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
TDH35P200RJ

TDH35P200RJ

ნაწილი საფონდო: 5576

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW2R0DAR030JT

RW2R0DAR030JT

ნაწილი საფონდო: 28079

წინააღმდეგობა: 30 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RC1R0EA6R80KT

RC1R0EA6R80KT

ნაწილი საფონდო: 5560

წინააღმდეგობა: 6.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -1300ppm/°C,

სასურველი
TDH35PR100J

TDH35PR100J

ნაწილი საფონდო: 5549

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C,

სასურველი
MC102821252J

MC102821252J

ნაწილი საფონდო: 31863

წინააღმდეგობა: 12.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW3R0DBR015JT

RW3R0DBR015JT

ნაწილი საფონდო: 26229

წინააღმდეგობა: 15 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW1S0BAR047F

RW1S0BAR047F

ნაწილი საფონდო: 16344

წინააღმდეგობა: 47 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
TDH35P7R50J

TDH35P7R50J

ნაწილი საფონდო: 5568

წინააღმდეგობა: 7.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
TDH35PR750J

TDH35PR750J

ნაწილი საფონდო: 5531

წინააღმდეგობა: 750 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RW3R0DBR036J

RW3R0DBR036J

ნაწილი საფონდო: 18063

წინააღმდეგობა: 36 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RC0S2CA68R0JT

RC0S2CA68R0JT

ნაწილი საფონდო: 5473

წინააღმდეგობა: 68 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C,

სასურველი
TDH35P47R0J

TDH35P47R0J

ნაწილი საფონდო: 5545

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RC1R0EA8R20K

RC1R0EA8R20K

ნაწილი საფონდო: 5525

წინააღმდეგობა: 8.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -1300ppm/°C,

სასურველი
MC102821253J

MC102821253J

ნაწილი საფონდო: 31915

წინააღმდეგობა: 125 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TDH35P500RJ

TDH35P500RJ

ნაწილი საფონდო: 2602

წინააღმდეგობა: 500 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW2R0DAR015J

RW2R0DAR015J

ნაწილი საფონდო: 18010

წინააღმდეგობა: 15 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW1S0BAR015FT

RW1S0BAR015FT

ნაწილი საფონდო: 24263

წინააღმდეგობა: 15 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW1S0BAR025J

RW1S0BAR025J

ნაწილი საფონდო: 17033

წინააღმდეგობა: 25 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
TDH35P750RJ

TDH35P750RJ

ნაწილი საფონდო: 5609

წინააღმდეგობა: 750 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW2S0CB1R00JT

RW2S0CB1R00JT

ნაწილი საფონდო: 24176

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TDH35P25R0J

TDH35P25R0J

ნაწილი საფონდო: 5561

წინააღმდეგობა: 25 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BAR024JT

RW1S0BAR024JT

ნაწილი საფონდო: 27229

წინააღმდეგობა: 24 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW1S0BAR033FT

RW1S0BAR033FT

ნაწილი საფონდო: 24299

წინააღმდეგობა: 33 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
TDH35P1K00J

TDH35P1K00J

ნაწილი საფონდო: 5552

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BAR150JT

RW1S0BAR150JT

ნაწილი საფონდო: 24487

წინააღმდეგობა: 150 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
TDH35P150RJ

TDH35P150RJ

ნაწილი საფონდო: 5534

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
MC102822504J

MC102822504J

ნაწილი საფონდო: 31909

წინააღმდეგობა: 2.5 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TDH35P39R0J

TDH35P39R0J

ნაწილი საფონდო: 5571

წინააღმდეგობა: 39 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
MC102822004J

MC102822004J

ნაწილი საფონდო: 31868

წინააღმდეგობა: 2 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RC1R0EA100RK

RC1R0EA100RK

ნაწილი საფონდო: 5532

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -1300ppm/°C,

სასურველი
RC0S2CA4R70J

RC0S2CA4R70J

ნაწილი საფონდო: 5528

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C,

სასურველი