ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

TDH35P100RJE

TDH35P100RJE

ნაწილი საფონდო: 7507

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW2S0DAR500FET

RW2S0DAR500FET

ნაწილი საფონდო: 54732

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
HVC0603Z2506FET

HVC0603Z2506FET

ნაწილი საფონდო: 2032

წინააღმდეგობა: 250 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
RW3R5EA7R50J

RW3R5EA7R50J

ნაწილი საფონდო: 24091

წინააღმდეგობა: 7.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW2R0CBR400JT

RW2R0CBR400JT

ნაწილი საფონდო: 25325

წინააღმდეგობა: 400 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW2S0DAR150J

RW2S0DAR150J

ნაწილი საფონდო: 17678

წინააღმდეგობა: 150 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
LVK12R015DER

LVK12R015DER

ნაწილი საფონდო: 2270

წინააღმდეგობა: 15 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Anti-Corrosive, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
LVK12R100DER

LVK12R100DER

ნაწილი საფონდო: 2039

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Anti-Corrosive, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
MC102827500FE

MC102827500FE

ნაწილი საფონდო: 30814

წინააღმდეგობა: 750 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW2R0CBR330JT

RW2R0CBR330JT

ნაწილი საფონდო: 25324

წინააღმდეგობა: 330 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW2S0DAR500J

RW2S0DAR500J

ნაწილი საფონდო: 17621

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW3R5EA47R0JT

RW3R5EA47R0JT

ნაწილი საფონდო: 39347

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
LVK24R100FER

LVK24R100FER

ნაწილი საფონდო: 2098

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Anti-Corrosive, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW1S5CA1R00J

RW1S5CA1R00J

ნაწილი საფონდო: 17010

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
RW3R5EA50R0J

RW3R5EA50R0J

ნაწილი საფონდო: 24098

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
RW2S0DAR005J

RW2S0DAR005J

ნაწილი საფონდო: 18035

წინააღმდეგობა: 5 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW2S0CBR470J

RW2S0CBR470J

ნაწილი საფონდო: 17483

წინააღმდეგობა: 470 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW2S0CBR220JT

RW2S0CBR220JT

ნაწილი საფონდო: 24184

წინააღმდეგობა: 220 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW2S0DAR020F

RW2S0DAR020F

ნაწილი საფონდო: 18138

წინააღმდეგობა: 20 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW2R0CBR300J

RW2R0CBR300J

ნაწილი საფონდო: 17513

წინააღმდეგობა: 300 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW2S0CBR240J

RW2S0CBR240J

ნაწილი საფონდო: 17500

წინააღმდეგობა: 240 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW2R0CBR400J

RW2R0CBR400J

ნაწილი საფონდო: 17535

წინააღმდეგობა: 400 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW2R0CBR150JT

RW2R0CBR150JT

ნაწილი საფონდო: 25344

წინააღმდეგობა: 150 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW1S5CA1R00JT

RW1S5CA1R00JT

ნაწილი საფონდო: 24651

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BAR033JT

RW1S0BAR033JT

ნაწილი საფონდო: 27254

წინააღმდეგობა: 33 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW2R0CBR300JT

RW2R0CBR300JT

ნაწილი საფონდო: 25309

წინააღმდეგობა: 300 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW2R0CB20R0J

RW2R0CB20R0J

ნაწილი საფონდო: 17019

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
RW2R0CBR330J

RW2R0CBR330J

ნაწილი საფონდო: 17541

წინააღმდეგობა: 330 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW3R5EA7R50JT

RW3R5EA7R50JT

ნაწილი საფონდო: 39315

წინააღმდეგობა: 7.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW2S0DAR005FT

RW2S0DAR005FT

ნაწილი საფონდო: 26335

წინააღმდეგობა: 5 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW1S0BAR025JT

RW1S0BAR025JT

ნაწილი საფონდო: 27307

წინააღმდეგობა: 25 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW2S0DAR050J

RW2S0DAR050J

ნაწილი საფონდო: 18024

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW2S0DAR020FT

RW2S0DAR020FT

ნაწილი საფონდო: 26332

წინააღმდეგობა: 20 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW2R0CBR100JT

RW2R0CBR100JT

ნაწილი საფონდო: 25354

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW2R0CBR010J

RW2R0CBR010J

ნაწილი საფონდო: 18309

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW2S0CBR470JT

RW2S0CBR470JT

ნაწილი საფონდო: 24206

წინააღმდეგობა: 470 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი