ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

TDH35PR300JE

TDH35PR300JE

ნაწილი საფონდო: 9985

წინააღმდეგობა: 300 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
TDH35PR470JE

TDH35PR470JE

ნაწილი საფონდო: 9953

წინააღმდეგობა: 470 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
MC102821752J

MC102821752J

ნაწილი საფონდო: 31948

წინააღმდეგობა: 17.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TDH35P5K00J

TDH35P5K00J

ნაწილი საფონდო: 1669

წინააღმდეგობა: 5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
MC102827502J

MC102827502J

ნაწილი საფონდო: 1699

წინააღმდეგობა: 75 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
MC102825001J

MC102825001J

ნაწილი საფონდო: 31861

წინააღმდეგობა: 5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RC0S2CA20R0J

RC0S2CA20R0J

ნაწილი საფონდო: 1710

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C,

სასურველი
RW3R5EA1R00J

RW3R5EA1R00J

ნაწილი საფონდო: 24129

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BAR050FT

RW1S0BAR050FT

ნაწილი საფონდო: 24254

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW3R0DBR036JT

RW3R0DBR036JT

ნაწილი საფონდო: 26218

წინააღმდეგობა: 36 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
TDH35P3K00J

TDH35P3K00J

ნაწილი საფონდო: 1711

წინააღმდეგობა: 3 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BAR200JT

RW1S0BAR200JT

ნაწილი საფონდო: 24405

წინააღმდეგობა: 200 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
TDH35PR360J

TDH35PR360J

ნაწილი საფონდო: 1680

წინააღმდეგობა: 360 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
RC0S2CA30R0JT

RC0S2CA30R0JT

ნაწილი საფონდო: 1689

წინააღმდეგობა: 30 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C,

სასურველი
RW1S5CAR040JT

RW1S5CAR040JT

ნაწილი საფონდო: 28567

წინააღმდეგობა: 40 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
TDH35PR500J

TDH35PR500J

ნაწილი საფონდო: 1640

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RW3R5EAR036JT

RW3R5EAR036JT

ნაწილი საფონდო: 41805

წინააღმდეგობა: 36 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW3R0DBR075JT

RW3R0DBR075JT

ნაწილი საფონდო: 23795

წინააღმდეგობა: 75 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW1S0CKR025DE

RW1S0CKR025DE

ნაწილი საფონდო: 10372

წინააღმდეგობა: 25 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW1S0CKR050DE

RW1S0CKR050DE

ნაწილი საფონდო: 10411

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW1S0CKR005DE

RW1S0CKR005DE

ნაწილი საფონდო: 10408

წინააღმდეგობა: 5 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW1S0CKR010DE

RW1S0CKR010DE

ნაწილი საფონდო: 10360

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVC4020Z2508KET

HVC4020Z2508KET

ნაწილი საფონდო: 10080

წინააღმდეგობა: 25 GOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
RC1R0EA100RKE

RC1R0EA100RKE

ნაწილი საფონდო: 10283

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -1300ppm/°C,

სასურველი
RC1R0EA47R0KE

RC1R0EA47R0KE

ნაწილი საფონდო: 10290

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -1300ppm/°C,

სასურველი
RW1S0CKR025FE

RW1S0CKR025FE

ნაწილი საფონდო: 11012

წინააღმდეგობა: 25 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW1S0CKR050FE

RW1S0CKR050FE

ნაწილი საფონდო: 11092

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW1S0CKR010FE

RW1S0CKR010FE

ნაწილი საფონდო: 11024

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TDH35P1K50JE

TDH35P1K50JE

ნაწილი საფონდო: 11245

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TDH35P39R0JE

TDH35P39R0JE

ნაწილი საფონდო: 11284

წინააღმდეგობა: 39 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TDH35P75R0JE

TDH35P75R0JE

ნაწილი საფონდო: 11296

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TDH35P750RJE

TDH35P750RJE

ნაწილი საფონდო: 11265

წინააღმდეგობა: 750 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TDH35P3K00JE

TDH35P3K00JE

ნაწილი საფონდო: 11271

წინააღმდეგობა: 3 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW1S0CKR005FE

RW1S0CKR005FE

ნაწილი საფონდო: 11826

წინააღმდეგობა: 5 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW2R0DAR050J

RW2R0DAR050J

ნაწილი საფონდო: 12095

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
HVC0402N5007KET

HVC0402N5007KET

ნაწილი საფონდო: 12138

წინააღმდეგობა: 5 GOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±1000ppm/°C,

სასურველი