ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

TDH35P250RJ

TDH35P250RJ

ნაწილი საფონდო: 5544

წინააღმდეგობა: 250 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
MC102821754J

MC102821754J

ნაწილი საფონდო: 31879

წინააღმდეგობა: 1.75 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BAR033F

RW1S0BAR033F

ნაწილი საფონდო: 16377

წინააღმდეგობა: 33 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW3R0DBR015J

RW3R0DBR015J

ნაწილი საფონდო: 18068

წინააღმდეგობა: 15 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
TDH35P2R00J

TDH35P2R00J

ნაწილი საფონდო: 2625

წინააღმდეგობა: 2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
TDH35P100RJ

TDH35P100RJ

ნაწილი საფონდო: 5599

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RC0S2CA470RJ

RC0S2CA470RJ

ნაწილი საფონდო: 5522

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C,

სასურველი
TDH35PR250J

TDH35PR250J

ნაწილი საფონდო: 5532

წინააღმდეგობა: 250 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BAR360J

RW1S0BAR360J

ნაწილი საფონდო: 16479

წინააღმდეგობა: 360 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
MC102821254J

MC102821254J

ნაწილი საფონდო: 31936

წინააღმდეგობა: 1.25 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TDH35P15R0J

TDH35P15R0J

ნაწილი საფონდო: 5524

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BAR039F

RW1S0BAR039F

ნაწილი საფონდო: 16301

წინააღმდეგობა: 39 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
MC102822501J

MC102822501J

ნაწილი საფონდო: 31923

წინააღმდეგობა: 2.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TDH35P3R00J

TDH35P3R00J

ნაწილი საფონდო: 5551

წინააღმდეგობა: 3 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC0S2CA4R70JT

RC0S2CA4R70JT

ნაწილი საფონდო: 5464

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BAR047FT

RW1S0BAR047FT

ნაწილი საფონდო: 24224

წინააღმდეგობა: 47 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
MC102825002J

MC102825002J

ნაწილი საფონდო: 31864

წინააღმდეგობა: 50 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TDH35PR200J

TDH35PR200J

ნაწილი საფონდო: 2646

წინააღმდეგობა: 200 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
TDH35P300RJ

TDH35P300RJ

ნაწილი საფონდო: 5568

წინააღმდეგობა: 300 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RC0S2CA1K00JT

RC0S2CA1K00JT

ნაწილი საფონდო: 5540

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C,

სასურველი
TDH35P15R0JE

TDH35P15R0JE

ნაწილი საფონდო: 7561

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TDH35P20R0JE

TDH35P20R0JE

ნაწილი საფონდო: 7540

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TDH35P300RJE

TDH35P300RJE

ნაწილი საფონდო: 7516

წინააღმდეგობა: 300 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TDH35P10R0JE

TDH35P10R0JE

ნაწილი საფონდო: 7512

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TDH35P33R0JE

TDH35P33R0JE

ნაწილი საფონდო: 7551

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TDH35P5K00JE

TDH35P5K00JE

ნაწილი საფონდო: 7535

წინააღმდეგობა: 5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TDH35P47R0JE

TDH35P47R0JE

ნაწილი საფონდო: 7549

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TDH35P2K50JE

TDH35P2K50JE

ნაწილი საფონდო: 7494

წინააღმდეგობა: 2.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TDH35P68R0JE

TDH35P68R0JE

ნაწილი საფონდო: 7528

წინააღმდეგობა: 68 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TDH35P500RJE

TDH35P500RJE

ნაწილი საფონდო: 7510

წინააღმდეგობა: 500 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TDH35P250RJE

TDH35P250RJE

ნაწილი საფონდო: 7491

წინააღმდეგობა: 250 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TDH35P25R0JE

TDH35P25R0JE

ნაწილი საფონდო: 7548

წინააღმდეგობა: 25 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TDH35P150RJE

TDH35P150RJE

ნაწილი საფონდო: 7484

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
MC104522506FE

MC104522506FE

ნაწილი საფონდო: 23807

წინააღმდეგობა: 250 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TDH35P200RJE

TDH35P200RJE

ნაწილი საფონდო: 7541

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TDH35P1K00JE

TDH35P1K00JE

ნაწილი საფონდო: 7572

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი