ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RW2S0DAR010F

RW2S0DAR010F

ნაწილი საფონდო: 18185

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW3R0DBR005JE

RW3R0DBR005JE

ნაწილი საფონდო: 18549

წინააღმდეგობა: 5 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW1S0BAR010JE

RW1S0BAR010JE

ნაწილი საფონდო: 19588

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW1S0BAR027JE

RW1S0BAR027JE

ნაწილი საფონდო: 19529

წინააღმდეგობა: 27 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW2S0CBR200JT

RW2S0CBR200JT

ნაწილი საფონდო: 24211

წინააღმდეგობა: 200 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW3R0DBR025JT

RW3R0DBR025JT

ნაწილი საფონდო: 23729

წინააღმდეგობა: 25 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW3R0DBR500JT

RW3R0DBR500JT

ნაწილი საფონდო: 23813

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
HVC0805Z2506JET

HVC0805Z2506JET

ნაწილი საფონდო: 75300

წინააღმდეგობა: 250 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
HVC0805Z5006JET

HVC0805Z5006JET

ნაწილი საფონდო: 21896

წინააღმდეგობა: 500 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
RW1S5CAR015JE

RW1S5CAR015JE

ნაწილი საფონდო: 22008

წინააღმდეგობა: 15 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW3R0DB150RJT

RW3R0DB150RJT

ნაწილი საფონდო: 23806

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BAR100FT

RW1S0BAR100FT

ნაწილი საფონდო: 21021

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW1S0CKR050FET

RW1S0CKR050FET

ნაწილი საფონდო: 23985

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVC4020V2506JET

HVC4020V2506JET

ნაწილი საფონდო: 20622

წინააღმდეგობა: 250 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVC4020V5006JET

HVC4020V5006JET

ნაწილი საფონდო: 20536

წინააღმდეგობა: 500 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW1S0CKR025DET

RW1S0CKR025DET

ნაწილი საფონდო: 22589

წინააღმდეგობა: 25 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW1S0CKR025FET

RW1S0CKR025FET

ნაწილი საფონდო: 23962

წინააღმდეგობა: 25 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW2S0CBR010JE

RW2S0CBR010JE

ნაწილი საფონდო: 22223

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW1S0CKR050DET

RW1S0CKR050DET

ნაწილი საფონდო: 22607

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW2S0CBR500JT

RW2S0CBR500JT

ნაწილი საფონდო: 24175

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW1S0CKR005FET

RW1S0CKR005FET

ნაწილი საფონდო: 23995

წინააღმდეგობა: 5 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW2S0CBR020JE

RW2S0CBR020JE

ნაწილი საფონდო: 22249

წინააღმდეგობა: 20 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW2S0CBR300JT

RW2S0CBR300JT

ნაწილი საფონდო: 24187

წინააღმდეგობა: 300 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW1S0CKR010FET

RW1S0CKR010FET

ნაწილი საფონდო: 23970

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW1S0CKR010DET

RW1S0CKR010DET

ნაწილი საფონდო: 22541

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW1S0CKR005DET

RW1S0CKR005DET

ნაწილი საფონდო: 22619

წინააღმდეგობა: 5 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW2S0DA100RJE

RW2S0DA100RJE

ნაწილი საფონდო: 27213

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
RW2S0CBR240JE

RW2S0CBR240JE

ნაწილი საფონდო: 26610

წინააღმდეგობა: 240 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW1S5CAR100JT

RW1S5CAR100JT

ნაწილი საფონდო: 24704

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
FCSL150R002GER

FCSL150R002GER

ნაწილი საფონდო: 25195

წინააღმდეგობა: 2 mOhms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RW3R5EA7R50JE

RW3R5EA7R50JE

ნაწილი საფონდო: 26214

წინააღმდეგობა: 7.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
FCSL150R030FER

FCSL150R030FER

ნაწილი საფონდო: 25194

წინააღმდეგობა: 30 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW1S5CAR200JE

RW1S5CAR200JE

ნაწილი საფონდო: 26916

წინააღმდეგობა: 200 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW3R5EAR036JE

RW3R5EAR036JE

ნაწილი საფონდო: 26606

წინააღმდეგობა: 36 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW2S0DAR150JE

RW2S0DAR150JE

ნაწილი საფონდო: 26967

წინააღმდეგობა: 150 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW2R0DAR470JE

RW2R0DAR470JE

ნაწილი საფონდო: 27021

წინააღმდეგობა: 470 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი