ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RW2S0DAR005FE

RW2S0DAR005FE

ნაწილი საფონდო: 28293

წინააღმდეგობა: 5 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW1S5CAR010JE

RW1S5CAR010JE

ნაწილი საფონდო: 33296

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
MC102521506JE

MC102521506JE

ნაწილი საფონდო: 28214

წინააღმდეგობა: 150 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW2R0DAR030JE

RW2R0DAR030JE

ნაწილი საფონდო: 32535

წინააღმდეგობა: 30 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
MC102821754JE

MC102821754JE

ნაწილი საფონდო: 32848

წინააღმდეგობა: 1.75 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW2R0DAR020JE

RW2R0DAR020JE

ნაწილი საფონდო: 32447

წინააღმდეგობა: 20 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW2R0DAR015JE

RW2R0DAR015JE

ნაწილი საფონდო: 32490

წინააღმდეგობა: 15 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
MC102821504JE

MC102821504JE

ნაწილი საფონდო: 32811

წინააღმდეგობა: 1.5 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
MC102821004J

MC102821004J

ნაწილი საფონდო: 31873

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
MC102822501JE

MC102822501JE

ნაწილი საფონდო: 32876

წინააღმდეგობა: 2.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
MC102522506JE

MC102522506JE

ნაწილი საფონდო: 28221

წინააღმდეგობა: 250 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW1S5CAR030JE

RW1S5CAR030JE

ნაწილი საფონდო: 33356

წინააღმდეგობა: 30 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW2S0CBR005JE

RW2S0CBR005JE

ნაწილი საფონდო: 33625

წინააღმდეგობა: 5 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW2R0DAR025JE

RW2R0DAR025JE

ნაწილი საფონდო: 32496

წინააღმდეგობა: 25 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
MC102821503JE

MC102821503JE

ნაწილი საფონდო: 32848

წინააღმდეგობა: 150 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
MC102821001J

MC102821001J

ნაწილი საფონდო: 31921

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW2S0DAR010JE

RW2S0DAR010JE

ნაწილი საფონდო: 32534

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW2R0CBR010JE

RW2R0CBR010JE

ნაწილი საფონდო: 33596

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
HVC1206Z2506JET

HVC1206Z2506JET

ნაწილი საფონდო: 31270

წინააღმდეგობა: 250 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
HVC2512T5004JET

HVC2512T5004JET

ნაწილი საფონდო: 31308

წინააღმდეგობა: 5 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVC2512T1006JET

HVC2512T1006JET

ნაწილი საფონდო: 31261

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVC2512T1004JET

HVC2512T1004JET

ნაწილი საფონდო: 31317

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BAR100FET

RW1S0BAR100FET

ნაწილი საფონდო: 35023

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW2S0DAR005JE

RW2S0DAR005JE

ნაწილი საფონდო: 32455

წინააღმდეგობა: 5 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
HVC4020V5004JET

HVC4020V5004JET

ნაწილი საფონდო: 32122

წინააღმდეგობა: 5 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW2S0DAR050JE

RW2S0DAR050JE

ნაწილი საფონდო: 32504

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
HVC2512T1005JET

HVC2512T1005JET

ნაწილი საფონდო: 31256

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVC4020V1004JET

HVC4020V1004JET

ნაწილი საფონდო: 32200

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVC2512T5005JET

HVC2512T5005JET

ნაწილი საფონდო: 31245

წინააღმდეგობა: 50 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVC4020V2504JET

HVC4020V2504JET

ნაწილი საფონდო: 32813

წინააღმდეგობა: 2.5 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
FC4L110R010DER

FC4L110R010DER

ნაწილი საფონდო: 39348

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
EBWB-NR0010FE

EBWB-NR0010FE

ნაწილი საფონდო: 40629

წინააღმდეგობა: 1 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 6W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±120ppm/°C,

სასურველი
FC4L110R020DER

FC4L110R020DER

ნაწილი საფონდო: 39419

წინააღმდეგობა: 20 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
EBWB-MR0002FE

EBWB-MR0002FE

ნაწილი საფონდო: 40580

წინააღმდეგობა: 200 µOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 7W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
EBWB-MR0005FE

EBWB-MR0005FE

ნაწილი საფონდო: 40600

წინააღმდეგობა: 500 µOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 6W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RW3R5EA1R00JT

RW3R5EA1R00JT

ნაწილი საფონდო: 39347

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი