კერამიკული კონდენსატორები

GRM1886S1H131JZ01D

GRM1886S1H131JZ01D

ნაწილი საფონდო: 6308

ტევადობა: 130pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H9R5CZ01D

GRM1556S1H9R5CZ01D

ნაწილი საფონდო: 6430

ტევადობა: 9.5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM216R71E471KA01D

GRM216R71E471KA01D

ნაწილი საფონდო: 101795

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0337U1H7R2CD01D

GRM0337U1H7R2CD01D

ნაწილი საფონდო: 4283

ტევადობა: 7.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEHR32E472KA2B

DEHR32E472KA2B

ნაწილი საფონდო: 5974

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
GRM0225C1E5R6CDAEL

GRM0225C1E5R6CDAEL

ნაწილი საფონდო: 105509

ტევადობა: 5.6pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM319R71H104KA01J

GRM319R71H104KA01J

ნაწილი საფონდო: 127699

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1887U1H360JZ01D

GRM1887U1H360JZ01D

ნაწილი საფონდო: 7366

ტევადობა: 36pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C1H7R3DA01D

GRM1885C1H7R3DA01D

ნაწილი საფონდო: 158872

ტევადობა: 7.3pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2195C2A300JZ01D

GRM2195C2A300JZ01D

ნაწილი საფონდო: 2243

ტევადობა: 30pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2166T1H471JD15D

GRM2166T1H471JD15D

ნაწილი საფონდო: 5760

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM31CR61E106KA12K

GRM31CR61E106KA12K

ნაწილი საფონდო: 180739

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM2166T1H681JD15D

GRM2166T1H681JD15D

ნაწილი საფონდო: 1020

ტევადობა: 680pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H4R8CZ01D

GRM1556S1H4R8CZ01D

ნაწილი საფონდო: 9426

ტევადობა: 4.8pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0225C1E1R0WDAEL

GRM0225C1E1R0WDAEL

ნაწილი საფონდო: 168070

ტევადობა: 1pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM31CD71A226KE15K

GRM31CD71A226KE15K

ნაწილი საფონდო: 7972

ტევადობა: 22µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7T, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H120JZ01D

GRM1886S1H120JZ01D

ნაწილი საფონდო: 6220

ტევადობა: 12pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GCM188R72A152KA37D

GCM188R72A152KA37D

ნაწილი საფონდო: 141344

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0337U1H7R0DD01D

GRM0337U1H7R0DD01D

ნაწილი საფონდო: 6668

ტევადობა: 7pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C1H7R5CA01J

GRM1885C1H7R5CA01J

ნაწილი საფონდო: 100296

ტევადობა: 7.5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H7R4DZ01D

GRM1886S1H7R4DZ01D

ნაწილი საფონდო: 4590

ტევადობა: 7.4pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRT31CR61C335KE01L

GRT31CR61C335KE01L

ნაწილი საფონდო: 121544

ტევადობა: 3.3µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM0335C1E4R1BD01D

GRM0335C1E4R1BD01D

ნაწილი საფონდო: 2451

ტევადობა: 4.1pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H3R9CZ01D

GRM1556S1H3R9CZ01D

ნაწილი საფონდო: 1660

ტევადობა: 3.9pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DHS4E4A502KR2B

DHS4E4A502KR2B

ნაწილი საფონდო: 1378

ტევადობა: 5000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10000V (10kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: N4700, ოპერაციული ტემპერატურა: 20°C ~ 85°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM216R71H122KA01D

GRM216R71H122KA01D

ნაწილი საფონდო: 129990

ტევადობა: 1200pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E330JD01J

GRM0335C1E330JD01J

ნაწილი საფონდო: 4231

ტევადობა: 33pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2165C1H271GA01J

GRM2165C1H271GA01J

ნაწილი საფონდო: 167614

ტევადობა: 270pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2195C2A2R2CD01D

GRM2195C2A2R2CD01D

ნაწილი საფონდო: 9112

ტევადობა: 2.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H4R0CZ01D

GRM1556S1H4R0CZ01D

ნაწილი საფონდო: 4274

ტევადობა: 4pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886T1H4R3CD01D

GRM1886T1H4R3CD01D

ნაწილი საფონდო: 9600

ტევადობა: 4.3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2195C2A3R0CD01D

GRM2195C2A3R0CD01D

ნაწილი საფონდო: 9380

ტევადობა: 3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0337U1H130GD01D

GRM0337U1H130GD01D

ნაწილი საფონდო: 4333

ტევადობა: 13pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886T1HR40CD01D

GRM1886T1HR40CD01D

ნაწილი საფონდო: 3128

ტევადობა: 0.4pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEHR32E681KB2B

DEHR32E681KB2B

ნაწილი საფონდო: 10014

ტევადობა: 680pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
GRM0337U1H6R9DD01D

GRM0337U1H6R9DD01D

ნაწილი საფონდო: 7512

ტევადობა: 6.9pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი