კერამიკული კონდენსატორები

GRM319R71E274KA01D

GRM319R71E274KA01D

ნაწილი საფონდო: 133382

ტევადობა: 0.27µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C1H6R3DA01D

GRM1885C1H6R3DA01D

ნაწილი საფონდო: 105892

ტევადობა: 6.3pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H1R1CZ01D

GRM1886S1H1R1CZ01D

ნაწილი საფონდო: 2965

ტევადობა: 1.1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0337U1H6R9CD01D

GRM0337U1H6R9CD01D

ნაწილი საფონდო: 1685

ტევადობა: 6.9pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DHS4E4C342MRXB

DHS4E4C342MRXB

ნაწილი საფონდო: 1281

ტევადობა: 3400pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 15000V (15kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: N4700, ოპერაციული ტემპერატურა: 20°C ~ 85°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM1556S1H5R0CZ01D

GRM1556S1H5R0CZ01D

ნაწილი საფონდო: 8965

ტევადობა: 5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0225C1E4R9WDAEL

GRM0225C1E4R9WDAEL

ნაწილი საფონდო: 151865

ტევადობა: 4.9pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H161JZ01D

GRM1886S1H161JZ01D

ნაწილი საფონდო: 1375

ტევადობა: 160pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H7R9DZ01D

GRM1886S1H7R9DZ01D

ნაწილი საფონდო: 3153

ტევადობა: 7.9pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM219R71A225KE15J

GRM219R71A225KE15J

ნაწილი საფონდო: 103886

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DHR4E4C221K2BB

DHR4E4C221K2BB

ნაწილი საფონდო: 60107

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 15000V (15kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: ZM, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 100°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
DEHR32E472KB2B

DEHR32E472KB2B

ნაწილი საფონდო: 8207

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
DEHR32E331KN2A

DEHR32E331KN2A

ნაწილი საფონდო: 9448

ტევადობა: 330pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
GRM2167U1H102JZ01D

GRM2167U1H102JZ01D

ნაწილი საფონდო: 2835

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0225C1E180JDAEL

GRM0225C1E180JDAEL

ნაწილი საფონდო: 197257

ტევადობა: 18pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E3R2CD01D

GRM0335C1E3R2CD01D

ნაწილი საფონდო: 5828

ტევადობა: 3.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
RPER71H106MWM1C60A

RPER71H106MWM1C60A

ნაწილი საფონდო: 7333

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GCM188R71H332JA37D

GCM188R71H332JA37D

ნაწილი საფონდო: 120580

ტევადობა: 3300pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM188R71H103JA01D

GRM188R71H103JA01D

ნაწილი საფონდო: 156673

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C1H101FA01D

GRM1885C1H101FA01D

ნაწილი საფონდო: 3529

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±1%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2166T1H680JD01D

GRM2166T1H680JD01D

ნაწილი საფონდო: 4665

ტევადობა: 68pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H7R5DZ01D

GRM1886S1H7R5DZ01D

ნაწილი საფონდო: 435

ტევადობა: 7.5pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H8R9CZ01D

GRM1556S1H8R9CZ01D

ნაწილი საფონდო: 5362

ტევადობა: 8.9pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM31CC81C106KE19K

GRM31CC81C106KE19K

ნაწილი საფონდო: 5668

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C,

სასურველი
GRM0337U1H7R4DD01D

GRM0337U1H7R4DD01D

ნაწილი საფონდო: 2865

ტევადობა: 7.4pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H3R5CZ01D

GRM1556S1H3R5CZ01D

ნაწილი საფონდო: 5648

ტევადობა: 3.5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DHS4E4C371MCXB

DHS4E4C371MCXB

ნაწილი საფონდო: 3557

ტევადობა: 370pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 15000V (15kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: N4700, ოპერაციული ტემპერატურა: 20°C ~ 85°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM0337U1H110JD01D

GRM0337U1H110JD01D

ნაწილი საფონდო: 5502

ტევადობა: 11pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H6R4DZ01D

GRM1886S1H6R4DZ01D

ნაწილი საფონდო: 3979

ტევადობა: 6.4pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C1H6R7DA01D

GRM1885C1H6R7DA01D

ნაწილი საფონდო: 117588

ტევადობა: 6.7pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0337U1E680JD01D

GRM0337U1E680JD01D

ნაწილი საფონდო: 507

ტევადობა: 68pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRT32DR61C106KE01L

GRT32DR61C106KE01L

ნაწილი საფონდო: 107355

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM188R61H472KA01D

GRM188R61H472KA01D

ნაწილი საფონდო: 116638

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM1887U1H2R1CZ01D

GRM1887U1H2R1CZ01D

ნაწილი საფონდო: 8186

ტევადობა: 2.1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H4R3CZ01D

GRM1556S1H4R3CZ01D

ნაწილი საფონდო: 2311

ტევადობა: 4.3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM216R71H103JA01D

GRM216R71H103JA01D

ნაწილი საფონდო: 103073

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი