კერამიკული კონდენსატორები

GRM1886S1H8R3DZ01D

GRM1886S1H8R3DZ01D

ნაწილი საფონდო: 4825

ტევადობა: 8.3pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM219R61A226MEA0J

GRM219R61A226MEA0J

ნაწილი საფონდო: 112674

ტევადობა: 22µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM1885C1H7R5BA01J

GRM1885C1H7R5BA01J

ნაწილი საფონდო: 141498

ტევადობა: 7.5pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H9R4DZ01D

GRM1556S1H9R4DZ01D

ნაწილი საფონდო: 3544

ტევადობა: 9.4pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DHS4E4A122KH2B

DHS4E4A122KH2B

ნაწილი საფონდო: 2714

ტევადობა: 1200pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10000V (10kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: N4700, ოპერაციული ტემპერატურა: 20°C ~ 85°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM1886S1H750JZ01D

GRM1886S1H750JZ01D

ნაწილი საფონდო: 2304

ტევადობა: 75pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DHRB34C681M2BB

DHRB34C681M2BB

ნაწილი საფონდო: 64168

ტევადობა: 680pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 15000V (15kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 100°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
DHS4E4D142KL2B

DHS4E4D142KL2B

ნაწილი საფონდო: 1928

ტევადობა: 1400pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 20000V (20kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: N4700, ოპერაციული ტემპერატურა: 20°C ~ 85°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM219D71A475KE15J

GRM219D71A475KE15J

ნაწილი საფონდო: 131396

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7T, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C1H7R0DA01J

GRM1885C1H7R0DA01J

ნაწილი საფონდო: 142336

ტევადობა: 7pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886T1H4R8CD01D

GRM1886T1H4R8CD01D

ნაწილი საფონდო: 56

ტევადობა: 4.8pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H130JZ01D

GRM1886S1H130JZ01D

ნაწილი საფონდო: 5184

ტევადობა: 13pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E3R9CD01J

GRM0335C1E3R9CD01J

ნაწილი საფონდო: 5420

ტევადობა: 3.9pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H8R5DZ01D

GRM1886S1H8R5DZ01D

ნაწილი საფონდო: 4066

ტევადობა: 8.5pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H180JZ01D

GRM1886S1H180JZ01D

ნაწილი საფონდო: 432

ტევადობა: 18pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM21BR60J106KE19K

GRM21BR60J106KE19K

ნაწილი საფონდო: 149691

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM31CC8YA106MA12L

GRM31CC8YA106MA12L

ნაწილი საფონდო: 5837

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 35V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C,

სასურველი
GRM033R61A682KA01E

GRM033R61A682KA01E

ნაწილი საფონდო: 6218

ტევადობა: 6800pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM0335C1E3R1BD01D

GRM0335C1E3R1BD01D

ნაწილი საფონდო: 8260

ტევადობა: 3.1pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E390JD01J

GRM0335C1E390JD01J

ნაწილი საფონდო: 3813

ტევადობა: 39pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRT31CR61E335KE01L

GRT31CR61E335KE01L

ნაწილი საფონდო: 123666

ტევადობა: 3.3µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM0337U1E750JD01D

GRM0337U1E750JD01D

ნაწილი საფონდო: 4113

ტევადობა: 75pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM219R60J226ME47J

GRM219R60J226ME47J

ნაწილი საფონდო: 160874

ტევადობა: 22µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM1556S1H8R7DZ01D

GRM1556S1H8R7DZ01D

ნაწილი საფონდო: 7738

ტევადობა: 8.7pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0337U1H6R6CD01D

GRM0337U1H6R6CD01D

ნაწილი საფონდო: 1659

ტევადობა: 6.6pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H7R8DZ01D

GRM1886S1H7R8DZ01D

ნაწილი საფონდო: 3469

ტევადობა: 7.8pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1887U1H272JA01D

GRM1887U1H272JA01D

ნაწილი საფონდო: 163509

ტევადობა: 2700pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2166T1H7R0DD01D

GRM2166T1H7R0DD01D

ნაწილი საფონდო: 781

ტევადობა: 7pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C1H5R8DA01D

GRM1885C1H5R8DA01D

ნაწილი საფონდო: 176285

ტევადობა: 5.8pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM219D71A475KE15D

GRM219D71A475KE15D

ნაწილი საფონდო: 105451

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7T, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E3R5CD01D

GRM0335C1E3R5CD01D

ნაწილი საფონდო: 2307

ტევადობა: 3.5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C1H5R9DA01D

GRM1885C1H5R9DA01D

ნაწილი საფონდო: 136728

ტევადობა: 5.9pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEHR32E332KA2B

DEHR32E332KA2B

ნაწილი საფონდო: 5472

ტევადობა: 3300pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
GRM1886S1H7R6DZ01D

GRM1886S1H7R6DZ01D

ნაწილი საფონდო: 7190

ტევადობა: 7.6pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0337U1H120JD01D

GRM0337U1H120JD01D

ნაწილი საფონდო: 1076

ტევადობა: 12pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0337U1E910GD01D

GRM0337U1E910GD01D

ნაწილი საფონდო: 6481

ტევადობა: 91pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი