კონდენსატორების ქსელები, მასივები

GNM1M2R61A473MA01D

GNM1M2R61A473MA01D

ნაწილი საფონდო: 7235

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM0M2R61A103ME17D

GNM0M2R61A103ME17D

ნაწილი საფონდო: 5847

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM2145C1H101KD01D

GNM2145C1H101KD01D

ნაწილი საფონდო: 2770

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM0M2R60J473ME17D

GNM0M2R60J473ME17D

ნაწილი საფონდო: 5786

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM1M2R61A225ME18D

GNM1M2R61A225ME18D

ნაწილი საფონდო: 1324

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM314R61C105MA15D

GNM314R61C105MA15D

ნაწილი საფონდო: 7304

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM1M2R61A105ME19D

GNM1M2R61A105ME19D

ნაწილი საფონდო: 8329

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM0M2R60J104ME17D

GNM0M2R60J104ME17D

ნაწილი საფონდო: 5654

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM214C80J105MEA2D

GNM214C80J105MEA2D

ნაწილი საფონდო: 6450

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM1M2R61C105ME18D

GNM1M2R61C105ME18D

ნაწილი საფონდო: 6692

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM2145C1H151KD01D

GNM2145C1H151KD01D

ნაწილი საფონდო: 8148

ტევადობა: 150pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM1M25C1H470KD01D

GNM1M25C1H470KD01D

ნაწილი საფონდო: 6756

ტევადობა: 47pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM0M2R61C104ME18D

GNM0M2R61C104ME18D

ნაწილი საფონდო: 6154

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM214R60J225ME18D

GNM214R60J225ME18D

ნაწილი საფონდო: 6992

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM1M2R61A223MA01D

GNM1M2R61A223MA01D

ნაწილი საფონდო: 2774

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM0M2R61A473ME17D

GNM0M2R61A473ME17D

ნაწილი საფონდო: 6090

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM0M2R61C103ME18D

GNM0M2R61C103ME18D

ნაწილი საფონდო: 6173

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM212R60J225ME16D

GNM212R60J225ME16D

ნაწილი საფონდო: 7912

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM0M2R60J223ME17D

GNM0M2R60J223ME17D

ნაწილი საფონდო: 5795

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
NFA31CC223R1C4D

NFA31CC223R1C4D

ნაწილი საფონდო: 169643

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Bussed,

სასურველი
GNM1M2R60J225ME18D

GNM1M2R60J225ME18D

ნაწილი საფონდო: 6615

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM212R61C474MA16D

GNM212R61C474MA16D

ნაწილი საფონდო: 8082

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM3145C1H221KD01D

GNM3145C1H221KD01D

ნაწილი საფონდო: 5568

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM1M2R61H102MA01D

GNM1M2R61H102MA01D

ნაწილი საფონდო: 7647

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
NFA31CC102R1E4D

NFA31CC102R1E4D

ნაწილი საფონდო: 181776

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Bussed,

სასურველი
GNM214R61A105MEA2D

GNM214R61A105MEA2D

ნაწილი საფონდო: 2704

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
NFA31CC221S1E4D

NFA31CC221S1E4D

ნაწილი საფონდო: 180327

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Bussed,

სასურველი
GNM0M2R61A223ME17D

GNM0M2R61A223ME17D

ნაწილი საფონდო: 8197

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM1M2R71C104MA01D

GNM1M2R71C104MA01D

ნაწილი საფონდო: 7812

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM2145C1H330KD01D

GNM2145C1H330KD01D

ნაწილი საფონდო: 8299

ტევადობა: 33pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM1M2R61E472MA01D

GNM1M2R61E472MA01D

ნაწილი საფონდო: 7587

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM1M25C1H151KD01D

GNM1M25C1H151KD01D

ნაწილი საფონდო: 6591

ტევადობა: 150pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM2145C1H470KD01D

GNM2145C1H470KD01D

ნაწილი საფონდო: 2789

ტევადობა: 47pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM1M25C1H100KD01D

GNM1M25C1H100KD01D

ნაწილი საფონდო: 6374

ტევადობა: 10pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM2145C1H680KD01D

GNM2145C1H680KD01D

ნაწილი საფონდო: 8358

ტევადობა: 68pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM1M2R61C473MA01D

GNM1M2R61C473MA01D

ნაწილი საფონდო: 7429

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი