კონდენსატორების ქსელები, მასივები

GNM1M2R71C104MAA1D

GNM1M2R71C104MAA1D

ნაწილი საფონდო: 6769

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM2145C1H221KD01D

GNM2145C1H221KD01D

ნაწილი საფონდო: 8223

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM1M2R71H102MA01D

GNM1M2R71H102MA01D

ნაწილი საფონდო: 7810

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM1M25C1H680KD01D

GNM1M25C1H680KD01D

ნაწილი საფონდო: 6873

ტევადობა: 68pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM214R60J105MEA2D

GNM214R60J105MEA2D

ნაწილი საფონდო: 6455

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM1M2R61C224ME18D

GNM1M2R61C224ME18D

ნაწილი საფონდო: 7299

ტევადობა: 0.22µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM1M2R61A105ME17D

GNM1M2R61A105ME17D

ნაწილი საფონდო: 6986

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
NFA31CC101S1E4D

NFA31CC101S1E4D

ნაწილი საფონდო: 189126

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Bussed,

სასურველი
GNM1M25C1H330KD01D

GNM1M25C1H330KD01D

ნაწილი საფონდო: 2718

ტევადობა: 33pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM1M25C1H150KD01D

GNM1M25C1H150KD01D

ნაწილი საფონდო: 2656

ტევადობა: 15pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM0M2R60G105ME17D

GNM0M2R60G105ME17D

ნაწილი საფონდო: 6595

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 4V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM212R61A225ME16D

GNM212R61A225ME16D

ნაწილი საფონდო: 2854

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM0M2R60J103ME17D

GNM0M2R60J103ME17D

ნაწილი საფონდო: 5631

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM0M2R61A104ME17D

GNM0M2R61A104ME17D

ნაწილი საფონდო: 5917

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM1M2R71A223MA01D

GNM1M2R71A223MA01D

ნაწილი საფონდო: 8353

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
NFA31CC220S1E4D

NFA31CC220S1E4D

ნაწილი საფონდო: 145406

ტევადობა: 22pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Bussed,

სასურველი
GNM0M2R61C223ME18D

GNM0M2R61C223ME18D

ნაწილი საფონდო: 2708

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM1M2R61E222MA01D

GNM1M2R61E222MA01D

ნაწილი საფონდო: 7477

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM314R71H104MA11D

GNM314R71H104MA11D

ნაწილი საფონდო: 7310

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM1M25C1H101KD01D

GNM1M25C1H101KD01D

ნაწილი საფონდო: 8217

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM2145C1H100KD01D

GNM2145C1H100KD01D

ნაწილი საფონდო: 2170

ტევადობა: 10pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM1M25C1H221KD01D

GNM1M25C1H221KD01D

ნაწილი საფონდო: 6700

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM214R71C104MAA1D

GNM214R71C104MAA1D

ნაწილი საფონდო: 7197

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM1M2C71A104MA01D

GNM1M2C71A104MA01D

ნაწილი საფონდო: 6968

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
NFA31CC470S1E4D

NFA31CC470S1E4D

ნაწილი საფონდო: 129705

ტევადობა: 47pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Bussed,

სასურველი
GNM314F51H223ZD01D

GNM314F51H223ZD01D

ნაწილი საფონდო: 7431

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM0M2R61C473ME18D

GNM0M2R61C473ME18D

ნაწილი საფონდო: 6377

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM314R72A821MD01D

GNM314R72A821MD01D

ნაწილი საფონდო: 7364

ტევადობა: 820pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM1M25C1H220KD01D

GNM1M25C1H220KD01D

ნაწილი საფონდო: 6594

ტევადობა: 22pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM1M2R71A473MA01D

GNM1M2R71A473MA01D

ნაწილი საფონდო: 7728

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM2145C1H150KD01D

GNM2145C1H150KD01D

ნაწილი საფონდო: 2878

ტევადობა: 15pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM214R61A105ME17D

GNM214R61A105ME17D

ნაწილი საფონდო: 7091

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM1M2R61C223MA01D

GNM1M2R61C223MA01D

ნაწილი საფონდო: 7293

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM314R71C473MA01L

GNM314R71C473MA01L

ნაწილი საფონდო: 7204

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM0M2R60J105ME18D

GNM0M2R60J105ME18D

ნაწილი საფონდო: 3486

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
NFA31CC222R1E4D

NFA31CC222R1E4D

ნაწილი საფონდო: 3574

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Bussed,

სასურველი