კონდენსატორების ქსელები, მასივები

GNM314R71C104MA01L

GNM314R71C104MA01L

ნაწილი საფონდო: 6899

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM2145C1H220KD01D

GNM2145C1H220KD01D

ნაწილი საფონდო: 3415

ტევადობა: 22pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM1M2R61A105MEA4D

GNM1M2R61A105MEA4D

ნაწილი საფონდო: 1528

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM314R71H561KD01D

GNM314R71H561KD01D

ნაწილი საფონდო: 7969

ტევადობა: 560pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM214R71C104MA01D

GNM214R71C104MA01D

ნაწილი საფონდო: 6757

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM1M2R60J105ME12D

GNM1M2R60J105ME12D

ნაწილი საფონდო: 6122

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM314R71H392KD01D

GNM314R71H392KD01D

ნაწილი საფონდო: 1866

ტევადობა: 3900pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM314R72A681KD01D

GNM314R72A681KD01D

ნაწილი საფონდო: 6919

ტევადობა: 680pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM314R71H473MA11D

GNM314R71H473MA11D

ნაწილი საფონდო: 9541

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM314F51H333ZD01D

GNM314F51H333ZD01D

ნაწილი საფონდო: 7548

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM214R71E222MA01D

GNM214R71E222MA01D

ნაწილი საფონდო: 6265

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM214R71C223MA01D

GNM214R71C223MA01D

ნაწილი საფონდო: 6439

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM314R72A561MD01D

GNM314R72A561MD01D

ნაწილი საფონდო: 8297

ტევადობა: 560pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
NFA31CC471R1E4D

NFA31CC471R1E4D

ნაწილი საფონდო: 139502

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Bussed,

სასურველი
GNM214R71H102MA01D

GNM214R71H102MA01D

ნაწილი საფონდო: 6156

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM1M2R71C223MA01D

GNM1M2R71C223MA01D

ნაწილი საფონდო: 5782

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM314R61A105MA13D

GNM314R61A105MA13D

ნაწილი საფონდო: 6825

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM212R61A105MA13D

GNM212R61A105MA13D

ნაწილი საფონდო: 6575

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM1M2R61A105ME14D

GNM1M2R61A105ME14D

ნაწილი საფონდო: 5992

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM212R61C105MA16D

GNM212R61C105MA16D

ნაწილი საფონდო: 6720

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM314R71E104MA11D

GNM314R71E104MA11D

ნაწილი საფონდო: 6913

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM1M2R71E472MA01D

GNM1M2R71E472MA01D

ნაწილი საფონდო: 5593

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM1M2R71E103MA01D

GNM1M2R71E103MA01D

ნაწილი საფონდო: 5660

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM314R72A102KD01D

GNM314R72A102KD01D

ნაწილი საფონდო: 7023

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM1M2R71E222MA01D

GNM1M2R71E222MA01D

ნაწილი საფონდო: 5483

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM214R60J105ME17D

GNM214R60J105ME17D

ნაწილი საფონდო: 578

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM314R71C683MA01L

GNM314R71C683MA01L

ნაწილი საფონდო: 7343

ტევადობა: 0.068µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM314F52A222ZD01D

GNM314F52A222ZD01D

ნაწილი საფონდო: 7482

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM314R72A392KD01D

GNM314R72A392KD01D

ნაწილი საფონდო: 8209

ტევადობა: 3900pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM1M2R61E103MA01D

GNM1M2R61E103MA01D

ნაწილი საფონდო: 1314

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM214R71C473MA01D

GNM214R71C473MA01D

ნაწილი საფონდო: 6570

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM214R71E103MA01D

GNM214R71E103MA01D

ნაწილი საფონდო: 6363

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM314R72A271MD01D

GNM314R72A271MD01D

ნაწილი საფონდო: 1204

ტევადობა: 270pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM314R72A392MD01D

GNM314R72A392MD01D

ნაწილი საფონდო: 7962

ტევადობა: 3900pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM214R71E472MA01D

GNM214R71E472MA01D

ნაწილი საფონდო: 6294

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM314R72A152KD01D

GNM314R72A152KD01D

ნაწილი საფონდო: 1752

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი