რეზონერები

CSTNE16M0V510000R0

CSTNE16M0V510000R0

ნაწილი საფონდო: 2010

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 5pF,

სასურველი
CSTNE12M5G550000R0

CSTNE12M5G550000R0

ნაწილი საფონდო: 2040

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 12.5MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

სასურველი
CSTNE8M00G52Z000R0

CSTNE8M00G52Z000R0

ნაწილი საფონდო: 2027

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

სასურველი
RO3156A

RO3156A

ნაწილი საფონდო: 1936

ტიპი: SAW, სიხშირე: 868.95MHz, სიხშირის სტაბილურობა: 0.032ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±200kHz,

სასურველი
RO3156E-1

RO3156E-1

ნაწილი საფონდო: 1918

ტიპი: SAW, სიხშირე: 868.95MHz, სიხშირის სტაბილურობა: 0.032ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±150kHz,

სასურველი
CSTNE10M0G520000R0

CSTNE10M0G520000R0

ნაწილი საფონდო: 2021

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 10MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

სასურველი
CSTCE8M00G15C99-R0

CSTCE8M00G15C99-R0

ნაწილი საფონდო: 112931

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.13%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.1%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

სასურველი
RP1104

RP1104

ნაწილი საფონდო: 2009

ტიპი: SAW, სიხშირე: 824.25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: 0.037ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±100kHz,

სასურველი
CSTCE20M0V13L99-R0

CSTCE20M0V13L99-R0

ნაწილი საფონდო: 172239

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.08%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.1%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTCE12M0G15C99-R0

CSTCE12M0G15C99-R0

ნაწილი საფონდო: 166760

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.13%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.1%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

სასურველი
CSTCV24M0X51Q-R0

CSTCV24M0X51Q-R0

ნაწილი საფონდო: 214

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 5pF,

სასურველი
CSTCE8M00GH5C99-R0

CSTCE8M00GH5C99-R0

ნაწილი საფონდო: 143688

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.15%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.7%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

სასურველი
CSTCE10M0G55A-R0

CSTCE10M0G55A-R0

ნაწილი საფონდო: 193972

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 10MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

სასურველი
CSACW24M0X53-R0

CSACW24M0X53-R0

ნაწილი საფონდო: 192934

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%,

სასურველი
CSTCC2M00G53A-R0

CSTCC2M00G53A-R0

ნაწილი საფონდო: 188081

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 2MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.4%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTCE16M0V13C99-R0

CSTCE16M0V13C99-R0

ნაწილი საფონდო: 163362

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.13%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.1%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTCE16M0V53C-R0

CSTCE16M0V53C-R0

ნაწილი საფონდო: 180141

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.15%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTCR6M24G55-R0

CSTCR6M24G55-R0

ნაწილი საფონდო: 1930

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 6.24MHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

სასურველი
CSTNE10M0G52Z000R0

CSTNE10M0G52Z000R0

ნაწილი საფონდო: 1977

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 10MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

სასურველი
CSTCE8M00G15L99-R0

CSTCE8M00G15L99-R0

ნაწილი საფონდო: 119640

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.08%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.1%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

სასურველი
CSTLS6M60G56-A0

CSTLS6M60G56-A0

ნაწილი საფონდო: 1920

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 6.6MHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 47pF,

სასურველი
CSTCR4M00G15C99-R0

CSTCR4M00G15C99-R0

ნაწილი საფონდო: 182997

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.13%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.1%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 39pF,

სასურველი
CSTCE20M0V53-R0

CSTCE20M0V53-R0

ნაწილი საფონდო: 103212

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTCE8M00G52-R0

CSTCE8M00G52-R0

ნაწილი საფონდო: 134852

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

სასურველი
CSBLA500KEC8-B0

CSBLA500KEC8-B0

ნაწილი საფონდო: 2050

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 500kHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±2kHz,

სასურველი
CSTCE8M71G55-R0

CSTCE8M71G55-R0

ნაწილი საფონდო: 1903

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8.71MHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

სასურველი
RO2044

RO2044

ნაწილი საფონდო: 289

ტიპი: SAW, სიხშირე: 318MHz, სიხშირის სტაბილურობა: 0.037ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±100kHz,

სასურველი
CSTCR7M28G55B-R0

CSTCR7M28G55B-R0

ნაწილი საფონდო: 1986

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 7.28MHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

სასურველი
CSBLA455KEC8-B0

CSBLA455KEC8-B0

ნაწილი საფონდო: 2069

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 455kHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±2kHz,

სასურველი
CSTCE10M0G52Z-R0

CSTCE10M0G52Z-R0

ნაწილი საფონდო: 155287

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 10MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

სასურველი
CSTCE8M64G52-R0

CSTCE8M64G52-R0

ნაწილი საფონდო: 1980

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8.64MHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

სასურველი
CSTCE10M0G52A-R0

CSTCE10M0G52A-R0

ნაწილი საფონდო: 133169

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 10MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

სასურველი
CSTCE11M0G55-R0

CSTCE11M0G55-R0

ნაწილი საფონდო: 137019

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 11MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

სასურველი
CSTCE8M00G55A-R0

CSTCE8M00G55A-R0

ნაწილი საფონდო: 157166

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

სასურველი
CSTCE12M0G55A-R0

CSTCE12M0G55A-R0

ნაწილი საფონდო: 150229

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

სასურველი
CSTNE20M0V510000R0

CSTNE20M0V510000R0

ნაწილი საფონდო: 280

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 5pF,

სასურველი