რეზონერები

CSTNE20M0V53C000R0

CSTNE20M0V53C000R0

ნაწილი საფონდო: 9981

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.15%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTCR5M00G55-R0

CSTCR5M00G55-R0

ნაწილი საფონდო: 155165

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 5MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.15%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 39pF,

სასურველი
CSTNE12M0G550000R0

CSTNE12M0G550000R0

ნაწილი საფონდო: 68

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

სასურველი
RO3104E

RO3104E

ნაწილი საფონდო: 188

ტიპი: SAW, სიხშირე: 303.825MHz, სიხშირის სტაბილურობა: 0.032ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±75kHz,

სასურველი
RO3101A-1

RO3101A-1

ნაწილი საფონდო: 232

ტიპი: SAW, სიხშირე: 433.92MHz, სიხშირის სტაბილურობა: 0.032ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50kHz,

სასურველი
CSTLS16M0X53-B0

CSTLS16M0X53-B0

ნაწილი საფონდო: 183077

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
RO3073

RO3073

ნაწილი საფონდო: 47881

ტიპი: SAW, სიხშირე: 315MHz, სიხშირის სტაბილურობა: 0.037ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±75kHz,

სასურველი
RO3164E

RO3164E

ნაწილი საფონდო: 176

ტიპი: SAW, სიხშირე: 868.35MHz, სიხშირის სტაბილურობა: 0.032ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±200kHz,

სასურველი
CSTLS7M16G53-A0

CSTLS7M16G53-A0

ნაწილი საფონდო: 181740

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 7.16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
RO3144E-2

RO3144E-2

ნაწილი საფონდო: 74810

ტიპი: SAW, სიხშირე: 916.5MHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±100kHz,

სასურველი
CSTLS20M0X53-A0

CSTLS20M0X53-A0

ნაწილი საფონდო: 133930

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTCR6M00G55-R0

CSTCR6M00G55-R0

ნაწილი საფონდო: 131797

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 6MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 39pF,

სასურველი
CSTCR7M37G53-R0

CSTCR7M37G53-R0

ნაწილი საფონდო: 115226

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 7.37MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTLS4M00G56Z-A0

CSTLS4M00G56Z-A0

ნაწილი საფონდო: 128710

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: -0.4, +0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 47pF,

სასურველი
CSTCE16M0V53-R0

CSTCE16M0V53-R0

ნაწილი საფონდო: 195347

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTLS8M00G56-A0

CSTLS8M00G56-A0

ნაწილი საფონდო: 119248

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: -0.4, +0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 47pF,

სასურველი
CSTCR4M00G55B-R0

CSTCR4M00G55B-R0

ნაწილი საფონდო: 107342

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.15%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 39pF,

სასურველი