რეზონერები

CSTNE18M4V530000R0

CSTNE18M4V530000R0

ნაწილი საფონდო: 1978

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 18.432MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTCE12M0G15L99-R0

CSTCE12M0G15L99-R0

ნაწილი საფონდო: 161828

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.08%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.1%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

სასურველი
CSTCE16M0V51-R0

CSTCE16M0V51-R0

ნაწილი საფონდო: 143281

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 5pF,

სასურველი
CSTCC3M58G53A-R0

CSTCC3M58G53A-R0

ნაწილი საფონდო: 100351

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 3.58MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.4%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTCC2M00G56A-R0

CSTCC2M00G56A-R0

ნაწილი საფონდო: 1974

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 2MHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 47pF,

სასურველი
CSTCC3M84G53-R0

CSTCC3M84G53-R0

ნაწილი საფონდო: 1995

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 3.84MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTNE8M00G520000R0

CSTNE8M00G520000R0

ნაწილი საფონდო: 2049

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

სასურველი
CSTCE12M0G52A-R0

CSTCE12M0G52A-R0

ნაწილი საფონდო: 139330

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.02%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

სასურველი
CSTNE14M7V530000R0

CSTNE14M7V530000R0

ნაწილი საფონდო: 2025

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 14.746MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
RO3102A

RO3102A

ნაწილი საფონდო: 1981

ტიპი: SAW, სიხშირე: 433.92MHz, სიხშირის სტაბილურობა: 32ppb, სიხშირის ტოლერანტობა: ±75kHz,

სასურველი
CSTLS4M00G53Z-B0

CSTLS4M00G53Z-B0

ნაწილი საფონდო: 2036

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTCE16M0VH3L99-R0

CSTCE16M0VH3L99-R0

ნაწილი საფონდო: 125445

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.08%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.07%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTNE10M0G52A000R0

CSTNE10M0G52A000R0

ნაწილი საფონდო: 1988

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 10MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

სასურველი
CSTLS27M6X51-B0

CSTLS27M6X51-B0

ნაწილი საფონდო: 1986

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 27.6MHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 5pF,

სასურველი
CSTCE9M09G55-R0

CSTCE9M09G55-R0

ნაწილი საფონდო: 1895

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 9.09MHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

სასურველი
CSTCC3M30G53-R0

CSTCC3M30G53-R0

ნაწილი საფონდო: 189

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 3.3MHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTLS10M0G56-A0

CSTLS10M0G56-A0

ნაწილი საფონდო: 165876

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 10MHz, სიხშირის სტაბილურობა: -0.4, +0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 47pF,

სასურველი
RO3164E-2

RO3164E-2

ნაწილი საფონდო: 1927

ტიპი: SAW, სიხშირე: 868.35MHz, სიხშირის სტაბილურობა: 0.032ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±100kHz,

სასურველი
RO3104A

RO3104A

ნაწილი საფონდო: 266

ტიპი: SAW, სიხშირე: 303.825MHz, სიხშირის სტაბილურობა: 0.032ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±75kHz,

სასურველი
CSTCE18M4V53-R0

CSTCE18M4V53-R0

ნაწილი საფონდო: 115179

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 18.432MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTCE8M00G52A-R0

CSTCE8M00G52A-R0

ნაწილი საფონდო: 168038

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

სასურველი
CSTLS3M88G56-A0

CSTLS3M88G56-A0

ნაწილი საფონდო: 1966

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 3.88MHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 47pF,

სასურველი
CSTCE12M0G55Z-R0

CSTCE12M0G55Z-R0

ნაწილი საფონდო: 191036

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

სასურველი
CSTCE16M8V53-R0

CSTCE16M8V53-R0

ნაწილი საფონდო: 154750

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 16.8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTCE20M0V51-R0

CSTCE20M0V51-R0

ნაწილი საფონდო: 149620

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 5pF,

სასურველი
CSTLS4M00G53-B0

CSTLS4M00G53-B0

ნაწილი საფონდო: 116605

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTLS16M0X53-A0

CSTLS16M0X53-A0

ნაწილი საფონდო: 158403

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTCW48M0X51-R0

CSTCW48M0X51-R0

ნაწილი საფონდო: 115809

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 6pF,

სასურველი
CSTCW24M0X53-R0

CSTCW24M0X53-R0

ნაწილი საფონდო: 117549

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTCR4M19G53-R0

CSTCR4M19G53-R0

ნაწილი საფონდო: 102750

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4.19MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTNE20M0V53Z000R0

CSTNE20M0V53Z000R0

ნაწილი საფონდო: 58812

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
RO3156E

RO3156E

ნაწილი საფონდო: 198

ტიპი: SAW, სიხშირე: 868.95MHz, სიხშირის სტაბილურობა: 0.032ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±200kHz,

სასურველი
CSTCC2M00G53-R0

CSTCC2M00G53-R0

ნაწილი საფონდო: 116041

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 2MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTNE20M0VH3L000R0

CSTNE20M0VH3L000R0

ნაწილი საფონდო: 193

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.11%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.07%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTLS3M58G53-B0

CSTLS3M58G53-B0

ნაწილი საფონდო: 148905

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 3.58MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTCC3M00G53-R0

CSTCC3M00G53-R0

ნაწილი საფონდო: 8560

სასურველი