რეზონერები

CSTLS4M19G53-B0

CSTLS4M19G53-B0

ნაწილი საფონდო: 104609

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4.19MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTCR7M37G55-R0

CSTCR7M37G55-R0

ნაწილი საფონდო: 136268

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 7.37MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 39pF,

სასურველი
CSTNE10M0G550000R0

CSTNE10M0G550000R0

ნაწილი საფონდო: 9937

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 10MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

სასურველი
CSTNE16M0V53Z000R0

CSTNE16M0V53Z000R0

ნაწილი საფონდო: 107

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
RO3112E

RO3112E

ნაწილი საფონდო: 151

ტიპი: SAW, სიხშირე: 433.42MHz, სიხშირის სტაბილურობა: 0.032ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±75kHz,

სასურველი
CSTLS10M0G56-B0

CSTLS10M0G56-B0

ნაწილი საფონდო: 191043

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 10MHz, სიხშირის სტაბილურობა: -0.4, +0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 47pF,

სასურველი
CSTLS3M68G56-B0

CSTLS3M68G56-B0

ნაწილი საფონდო: 153040

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 3.68MHz, სიხშირის სტაბილურობა: -0.4, +0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 47pF,

სასურველი
CSTCR4M00G55Z-R0

CSTCR4M00G55Z-R0

ნაწილი საფონდო: 156348

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 39pF,

სასურველი
RO2103A

RO2103A

ნაწილი საფონდო: 1972

ტიპი: SAW, სიხშირე: 418MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.032ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±75kHz,

სასურველი
CSTNE20M0V530000R0

CSTNE20M0V530000R0

ნაწილი საფონდო: 101

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
RO3300E

RO3300E

ნაწილი საფონდო: 206

ტიპი: SAW, სიხშირე: 403.55MHz, სიხშირის სტაბილურობა: 0.032ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±75kHz,

სასურველი
CSTLS4M00G56-B0

CSTLS4M00G56-B0

ნაწილი საფონდო: 155641

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: -0.4, +0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 47pF,

სასურველი
CSTCW32M0X51-R0

CSTCW32M0X51-R0

ნაწილი საფონდო: 189766

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 6pF,

სასურველი
CSTNE10M0GH5C000R0

CSTNE10M0GH5C000R0

ნაწილი საფონდო: 103

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 10MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.13%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.07%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

სასურველი
CSTCC2M45G56-R0

CSTCC2M45G56-R0

ნაწილი საფონდო: 71258

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 2.457MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 47pF,

სასურველი
CSTNE16M0VH3L000R0

CSTNE16M0VH3L000R0

ნაწილი საფონდო: 112

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.11%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.07%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTNE12M0G55Z000R0

CSTNE12M0G55Z000R0

ნაწილი საფონდო: 59

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

სასურველი
CSTCR4M00G55-R0

CSTCR4M00G55-R0

ნაწილი საფონდო: 193257

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4MHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 39pF,

სასურველი
RO3118A

RO3118A

ნაწილი საფონდო: 139

ტიპი: SAW, სიხშირე: 318MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.032ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm,

სასურველი
CSTNE12M0G55A000R0

CSTNE12M0G55A000R0

ნაწილი საფონდო: 121

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

სასურველი
RO3132A

RO3132A

ნაწილი საფონდო: 154

ტიპი: SAW, სიხშირე: 312MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.032ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm,

სასურველი
CSTCR4M00GH5C99-R0

CSTCR4M00GH5C99-R0

ნაწილი საფონდო: 178626

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.08%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 39pF,

სასურველი
CSTLS8M00G53Z-A0

CSTLS8M00G53Z-A0

ნაწილი საფონდო: 161301

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
RO3073E-1

RO3073E-1

ნაწილი საფონდო: 155

ტიპი: SAW, სიხშირე: 315MHz, სიხშირის სტაბილურობა: 0.032ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50kHz,

სასურველი
CSTCE10M0G55Z-R0

CSTCE10M0G55Z-R0

ნაწილი საფონდო: 181797

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 10MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

სასურველი
CSTNE10M0G55A000R0

CSTNE10M0G55A000R0

ნაწილი საფონდო: 108

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 10MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

სასურველი
CSTLS7M20G53-A0

CSTLS7M20G53-A0

ნაწილი საფონდო: 187560

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 7.2MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTNE20M0VH3C000R0

CSTNE20M0VH3C000R0

ნაწილი საფონდო: 106

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.13%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.07%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTNE10M0G55Z000R0

CSTNE10M0G55Z000R0

ნაწილი საფონდო: 59

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 10MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

სასურველი
CSTNE8M00GH5L000R0

CSTNE8M00GH5L000R0

ნაწილი საფონდო: 62

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.11%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.07%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

სასურველი
RO3101E

RO3101E

ნაწილი საფონდო: 1918

ტიპი: SAW, სიხშირე: 433.92MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.032ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±75kHz,

სასურველი
CSTNE8M00GH5C000R0

CSTNE8M00GH5C000R0

ნაწილი საფონდო: 97

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.13%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.07%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

სასურველი
RO3101

RO3101

ნაწილი საფონდო: 47934

ტიპი: SAW, სიხშირე: 433.92MHz, სიხშირის სტაბილურობა: 0.037ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±75kHz,

სასურველი
CSTLS4M00G56-A0

CSTLS4M00G56-A0

ნაწილი საფონდო: 16251

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 47pF,

სასურველი
RO3144D-1

RO3144D-1

ნაწილი საფონდო: 139

ტიპი: SAW, სიხშირე: 916.5MHz, სიხშირის სტაბილურობა: 0.032ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±150kHz,

სასურველი
CSTCC2M00G56-R0

CSTCC2M00G56-R0

ნაწილი საფონდო: 162980

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 2MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.4%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 47pF,

სასურველი