რეზონერები

CSTCR6M00G53-R0

CSTCR6M00G53-R0

ნაწილი საფონდო: 144553

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 6MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTCR7M00G55Z-R0

CSTCR7M00G55Z-R0

ნაწილი საფონდო: 104

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 7MHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

სასურველი
CSTNE8M00G55Z000R0

CSTNE8M00G55Z000R0

ნაწილი საფონდო: 70

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

სასურველი
CSTCR7M20G53-R0

CSTCR7M20G53-R0

ნაწილი საფონდო: 189286

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 7.2MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTCE8M00G55Z-R0

CSTCE8M00G55Z-R0

ნაწილი საფონდო: 176378

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

სასურველი
CSTLS5M12G53-B0

CSTLS5M12G53-B0

ნაწილი საფონდო: 167916

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 5.12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
RO3103A

RO3103A

ნაწილი საფონდო: 1915

ტიპი: SAW, სიხშირე: 418MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.032ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±75kHz,

სასურველი
CSTLS16M0X55Z-A0

CSTLS16M0X55Z-A0

ნაწილი საფონდო: 170920

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 30pF,

სასურველი
CSTCR5M00G53Z-R0

CSTCR5M00G53Z-R0

ნაწილი საფონდო: 178262

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 5MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTCC3M58G56-R0

CSTCC3M58G56-R0

ნაწილი საფონდო: 1775

სასურველი
CSTCR6M00G53Z-R0

CSTCR6M00G53Z-R0

ნაწილი საფონდო: 186295

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 6MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTCC2M50G56-R0

CSTCC2M50G56-R0

ნაწილი საფონდო: 184404

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 2.5MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.4%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 47pF,

სასურველი
CSTCR4M00G53-R0

CSTCR4M00G53-R0

ნაწილი საფონდო: 104928

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTLS4M91G53-A0

CSTLS4M91G53-A0

ნაწილი საფონდო: 111267

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4.915MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTCC3M68G53-R0

CSTCC3M68G53-R0

ნაწილი საფონდო: 173813

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 3.68MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTNR4M00GH5C000R0

CSTNR4M00GH5C000R0

ნაწილი საფონდო: 92

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.13%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.07%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 39pF,

სასურველი
CSTNE8M00G55A000R0

CSTNE8M00G55A000R0

ნაწილი საფონდო: 9932

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

სასურველი
CSTNE16M0VH3C000R0

CSTNE16M0VH3C000R0

ნაწილი საფონდო: 9963

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.13%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.07%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTLS6M00G53-B0

CSTLS6M00G53-B0

ნაწილი საფონდო: 187066

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 6MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTCR4M91G55B-R0

CSTCR4M91G55B-R0

ნაწილი საფონდო: 100964

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4.91MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.15%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 39pF,

სასურველი
CSTCR4M91G53Z-R0

CSTCR4M91G53Z-R0

ნაწილი საფონდო: 105933

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4.91MHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTCR6M00G55B-R0

CSTCR6M00G55B-R0

ნაწილი საფონდო: 185814

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 6MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.15%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 39pF,

სასურველი
CSTCE8M00G55-R0

CSTCE8M00G55-R0

ნაწილი საფონდო: 175515

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

სასურველი
CSTLS7M37G53-B0

CSTLS7M37G53-B0

ნაწილი საფონდო: 194361

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 7.37MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
RO3101A

RO3101A

ნაწილი საფონდო: 92499

ტიპი: SAW, სიხშირე: 433.92MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.032ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±75kHz,

სასურველი
CSTNE12M0GH5L000R0

CSTNE12M0GH5L000R0

ნაწილი საფონდო: 58

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.11%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.07%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

სასურველი
CSTLS50M0X51-B0

CSTLS50M0X51-B0

ნაწილი საფონდო: 159234

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 50MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 5pF,

სასურველი
CSTNE12M0GH5C000R0

CSTNE12M0GH5C000R0

ნაწილი საფონდო: 61

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.13%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.07%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

სასურველი
CSTLS16M0X55-A0

CSTLS16M0X55-A0

ნაწილი საფონდო: 182107

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 30pF,

სასურველი
RO3164E-1

RO3164E-1

ნაწილი საფონდო: 172

ტიპი: SAW, სიხშირე: 868.35MHz, სიხშირის სტაბილურობა: 0.032ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±150kHz,

სასურველი
CSTLS8M00G53-B0

CSTLS8M00G53-B0

ნაწილი საფონდო: 159844

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTCR7M68G53-R0

CSTCR7M68G53-R0

ნაწილი საფონდო: 152001

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 7.68MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTCR4M91G55-R0

CSTCR4M91G55-R0

ნაწილი საფონდო: 109

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4.91MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.1%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 39pF,

სასურველი
RO3073A

RO3073A

ნაწილი საფონდო: 230

ტიპი: SAW, სიხშირე: 315MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.032ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±75kHz,

სასურველი
CSTCC2M00G53Z-R0

CSTCC2M00G53Z-R0

ნაწილი საფონდო: 110773

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 2MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.4%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTLS6M00G53Z-B0

CSTLS6M00G53Z-B0

ნაწილი საფონდო: 1921

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 6MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი