რეზონერები

CSTNE12M0G52A000R0

CSTNE12M0G52A000R0

ნაწილი საფონდო: 2070

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

სასურველი
CSTCE20M0V53C-R0

CSTCE20M0V53C-R0

ნაწილი საფონდო: 198939

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.15%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTCE14M7V53-R0

CSTCE14M7V53-R0

ნაწილი საფონდო: 147023

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 14.746MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
RO3030A-1

RO3030A-1

ნაწილი საფონდო: 1919

ტიპი: SAW, სიხშირე: 314.2MHz, სიხშირის სტაბილურობა: 0.032ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±100kHz,

სასურველი
CSBLA640KEC8-B0

CSBLA640KEC8-B0

ნაწილი საფონდო: 2059

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 640kHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±2kHz,

სასურველი
CSTCE14M7V53C-R0

CSTCE14M7V53C-R0

ნაწილი საფონდო: 177287

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 14.746MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.15%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTCE14M7V51-R0

CSTCE14M7V51-R0

ნაწილი საფონდო: 163465

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 14.746MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 5pF,

სასურველი
CSTCE20M0V13C99-R0

CSTCE20M0V13C99-R0

ნაწილი საფონდო: 184886

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.1%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTCE10M0G52-R0

CSTCE10M0G52-R0

ნაწილი საფონდო: 134507

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 10MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

სასურველი
RO3073A-5

RO3073A-5

ნაწილი საფონდო: 1953

ტიპი: SAW, სიხშირე: 315.05MHz, სიხშირის სტაბილურობა: 32ppb,

სასურველი
CSTCE12M0GH5L99-R0

CSTCE12M0GH5L99-R0

ნაწილი საფონდო: 120507

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.07%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

სასურველი
RO3103E

RO3103E

ნაწილი საფონდო: 1914

ტიპი: SAW, სიხშირე: 418MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.032ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm,

სასურველი
CSTCE8M00G52Z-R0

CSTCE8M00G52Z-R0

ნაწილი საფონდო: 128242

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

სასურველი
CSTCR4M00G15L99-R0

CSTCR4M00G15L99-R0

ნაწილი საფონდო: 191604

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.08%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.1%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 39pF,

სასურველი
CSTCR6M25G55B-R0

CSTCR6M25G55B-R0

ნაწილი საფონდო: 1911

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 6.25MHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

სასურველი
CSTCW40M0X51-R0

CSTCW40M0X51-R0

ნაწილი საფონდო: 168287

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 6pF,

სასურველი
RO3156E-2

RO3156E-2

ნაწილი საფონდო: 1924

ტიპი: SAW, სიხშირე: 868.95MHz, სიხშირის სტაბილურობა: 0.032ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±100kHz,

სასურველი
CSBLA400KECE-B0

CSBLA400KECE-B0

ნაწილი საფონდო: 2044

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 400kHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±2kHz,

სასურველი
CSTNE8M00G52A000R0

CSTNE8M00G52A000R0

ნაწილი საფონდო: 2032

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

სასურველი
CSTNE14M7V510000R0

CSTNE14M7V510000R0

ნაწილი საფონდო: 2010

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 14.746MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 5pF,

სასურველი
CSACW60M0X51-R0

CSACW60M0X51-R0

ნაწილი საფონდო: 104120

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 60MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%,

სასურველი
CSTLS10M0G53-A0

CSTLS10M0G53-A0

ნაწილი საფონდო: 197234

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 10MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTCE10M0G55-R0

CSTCE10M0G55-R0

ნაწილი საფონდო: 153533

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 10MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

სასურველი
CSTCE12M0G52-R0

CSTCE12M0G52-R0

ნაწილი საფონდო: 160871

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

სასურველი
CSTNE11M0G550000R0

CSTNE11M0G550000R0

ნაწილი საფონდო: 2042

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 11MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

სასურველი
RO3164D-2

RO3164D-2

ნაწილი საფონდო: 1964

ტიპი: SAW, სიხშირე: 868.35MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.032ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm,

სასურველი
CSTCE16M0VH3C99-R0

CSTCE16M0VH3C99-R0

ნაწილი საფონდო: 171601

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.15%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.3%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTCE8M00GH5L99-R0

CSTCE8M00GH5L99-R0

ნაწილი საფონდო: 177617

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.07%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

სასურველი
CSTNE14M7V53C000R0

CSTNE14M7V53C000R0

ნაწილი საფონდო: 2005

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 14.746MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.15%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTCE20M0VH3C99-R0

CSTCE20M0VH3C99-R0

ნაწილი საფონდო: 138801

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.3%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTNE20M0V53W000R0

CSTNE20M0V53W000R0

ნაწილი საფონდო: 2029

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTCE16M0V13L99-R0

CSTCE16M0V13L99-R0

ნაწილი საფონდო: 182195

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.08%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.1%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

სასურველი
CSTCE12M0G55-R0

CSTCE12M0G55-R0

ნაწილი საფონდო: 142155

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

სასურველი
CSBLA480KEC8-B0

CSBLA480KEC8-B0

ნაწილი საფონდო: 62

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 480kHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±2kHz,

სასურველი
RO3112A

RO3112A

ნაწილი საფონდო: 1978

ტიპი: SAW, სიხშირე: 433.42MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.032ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±75kHz,

სასურველი
CSTNE12M0G520000R0

CSTNE12M0G520000R0

ნაწილი საფონდო: 2005

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

სასურველი