კონდენსატორების ქსელები, მასივები

GNM314R72A331KD01D

GNM314R72A331KD01D

ნაწილი საფონდო: 2155

ტევადობა: 330pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM314R72A182MD01D

GNM314R72A182MD01D

ნაწილი საფონდო: 8083

ტევადობა: 1800pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM314F51C683ZD01D

GNM314F51C683ZD01D

ნაწილი საფონდო: 7595

ტევადობა: 0.068µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM1M2R61A104MA01D

GNM1M2R61A104MA01D

ნაწილი საფონდო: 5917

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM314R71H821KD01D

GNM314R71H821KD01D

ნაწილი საფონდო: 8108

ტევადობა: 820pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM314R71H562KD01D

GNM314R71H562KD01D

ნაწილი საფონდო: 7833

ტევადობა: 5600pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM314R70J105MA01L

GNM314R70J105MA01L

ნაწილი საფონდო: 7329

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM314R72A182KD01D

GNM314R72A182KD01D

ნაწილი საფონდო: 7115

ტევადობა: 1800pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM1M2R71C473MA01D

GNM1M2R71C473MA01D

ნაწილი საფონდო: 5806

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM314R72A561KD01D

GNM314R72A561KD01D

ნაწილი საფონდო: 8364

ტევადობა: 560pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM314F51H473ZD01D

GNM314F51H473ZD01D

ნაწილი საფონდო: 7531

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
GNM214R71H471MA01D

GNM214R71H471MA01D

ნაწილი საფონდო: 9489

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი