კერამიკული კონდენსატორები

GRM1886S1H111JZ01D

GRM1886S1H111JZ01D

ნაწილი საფონდო: 2797

ტევადობა: 110pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2195C2A110JZ01D

GRM2195C2A110JZ01D

ნაწილი საფონდო: 9960

ტევადობა: 11pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0337U1H6R2DD01D

GRM0337U1H6R2DD01D

ნაწილი საფონდო: 6510

ტევადობა: 6.2pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0337U1H6R2CD01D

GRM0337U1H6R2CD01D

ნაწილი საფონდო: 7357

ტევადობა: 6.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM152C80J224ME19D

GRM152C80J224ME19D

ნაწილი საფონდო: 161531

ტევადობა: 0.22µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C,

სასურველი
GRJ188R71H102KE11D

GRJ188R71H102KE11D

ნაწილი საფონდო: 132505

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Soft Termination,

სასურველი
GRM1556S1H8R3CZ01D

GRM1556S1H8R3CZ01D

ნაწილი საფონდო: 6666

ტევადობა: 8.3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C1H4R4CA01D

GRM1885C1H4R4CA01D

ნაწილი საფონდო: 130878

ტევადობა: 4.4pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886R1H9R3DZ01D

GRM1886R1H9R3DZ01D

ნაწილი საფონდო: 6904

ტევადობა: 9.3pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM188R71A334KA61J

GRM188R71A334KA61J

ნაწილი საფონდო: 167043

ტევადობა: 0.33µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H4R9CZ01D

GRM1886S1H4R9CZ01D

ნაწილი საფონდო: 2926

ტევადობა: 4.9pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM188R70J224KA88D

GRM188R70J224KA88D

ნაწილი საფონდო: 144672

ტევადობა: 0.22µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H2R1CZ01D

GRM1556S1H2R1CZ01D

ნაწილი საფონდო: 5727

ტევადობა: 2.1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM31CC80G226ME19K

GRM31CC80G226ME19K

ნაწილი საფონდო: 9127

ტევადობა: 22µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 4V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C,

სასურველი
DEHR33F561KN3A

DEHR33F561KN3A

ნაწილი საფონდო: 110479

ტევადობა: 560pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 3150V (3.15kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: R, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
GRM188D71A225ME34D

GRM188D71A225ME34D

ნაწილი საფონდო: 6003

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7T, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2195C2A102JA01J

GRM2195C2A102JA01J

ნაწილი საფონდო: 113142

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1555C2AR40BA01D

GRM1555C2AR40BA01D

ნაწილი საფონდო: 172983

ტევადობა: 0.4pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H5R9DZ01D

GRM1886S1H5R9DZ01D

ნაწილი საფონდო: 5501

ტევადობა: 5.9pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM188R71A684KA61J

GRM188R71A684KA61J

ნაწილი საფონდო: 185144

ტევადობა: 0.68µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H5R5DZ01D

GRM1886S1H5R5DZ01D

ნაწილი საფონდო: 2739

ტევადობა: 5.5pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H8R4DZ01D

GRM1886S1H8R4DZ01D

ნაწილი საფონდო: 5854

ტევადობა: 8.4pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E2R8BD01D

GRM0335C1E2R8BD01D

ნაწილი საფონდო: 4300

ტევადობა: 2.8pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GQM1885C2A5R1CB01D

GQM1885C2A5R1CB01D

ნაწილი საფონდო: 181454

ტევადობა: 5.1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
GRM0335C1E2R7CD01J

GRM0335C1E2R7CD01J

ნაწილი საფონდო: 8962

ტევადობა: 2.7pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H3R0CZ01D

GRM1556S1H3R0CZ01D

ნაწილი საფონდო: 6889

ტევადობა: 3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E2R9BD01D

GRM0335C1E2R9BD01D

ნაწილი საფონდო: 6457

ტევადობა: 2.9pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2165C1H152FA01J

GRM2165C1H152FA01J

ნაწილი საფონდო: 180533

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±1%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM188R71H102KA01J

GRM188R71H102KA01J

ნაწილი საფონდო: 156556

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0337U1E160GD01D

GRM0337U1E160GD01D

ნაწილი საფონდო: 9281

ტევადობა: 16pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0337U1E200GD01D

GRM0337U1E200GD01D

ნაწილი საფონდო: 4023

ტევადობა: 20pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H5R3DZ01D

GRM1886S1H5R3DZ01D

ნაწილი საფონდო: 1811

ტევადობა: 5.3pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1887U1H622JA01D

GRM1887U1H622JA01D

ნაწილი საფონდო: 132091

ტევადობა: 6200pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GQM2195C2A3R0CB01D

GQM2195C2A3R0CB01D

ნაწილი საფონდო: 113889

ტევადობა: 3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
GRM32DR71E475KA61K

GRM32DR71E475KA61K

ნაწილი საფონდო: 172769

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H560JZ01D

GRM1886S1H560JZ01D

ნაწილი საფონდო: 5571

ტევადობა: 56pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი