კერამიკული კონდენსატორები

GRM1886R2A100JZ01D

GRM1886R2A100JZ01D

ნაწილი საფონდო: 6683

ტევადობა: 10pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEHR32E221KA2B

DEHR32E221KA2B

ნაწილი საფონდო: 4674

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
GRM219D71C225KA12D

GRM219D71C225KA12D

ნაწილი საფონდო: 176106

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7T, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H3R2CZ01D

GRM1556S1H3R2CZ01D

ნაწილი საფონდო: 9185

ტევადობა: 3.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2165C1H181GA01J

GRM2165C1H181GA01J

ნაწილი საფონდო: 120066

ტევადობა: 180pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886R2A150JZ01D

GRM1886R2A150JZ01D

ნაწილი საფონდო: 8563

ტევადობა: 15pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S2A3R0CZ01D

GRM1886S2A3R0CZ01D

ნაწილი საფონდო: 7870

ტევადობა: 3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2195C2A1R0CD01D

GRM2195C2A1R0CD01D

ნაწილი საფონდო: 9573

ტევადობა: 1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM188R61C684MA75D

GRM188R61C684MA75D

ნაწილი საფონდო: 147556

ტევადობა: 0.68µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM188R71C104MA01D

GRM188R71C104MA01D

ნაწილი საფონდო: 178829

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E2R9CD01D

GRM0335C1E2R9CD01D

ნაწილი საფონდო: 202

ტევადობა: 2.9pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886R1H8R6DZ01D

GRM1886R1H8R6DZ01D

ნაწილი საფონდო: 9451

ტევადობა: 8.6pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEHR32E103KA2B

DEHR32E103KA2B

ნაწილი საფონდო: 8222

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
DEF2CLH080DA3B

DEF2CLH080DA3B

ნაწილი საფონდო: 135419

ტევადობა: 8pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 6300V (6.3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0H, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
DEHR32E152KN2A

DEHR32E152KN2A

ნაწილი საფონდო: 6106

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
GRM188R72A153MAC4D

GRM188R72A153MAC4D

ნაწილი საფონდო: 174688

ტევადობა: 0.015µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2165C1H122GA01J

GRM2165C1H122GA01J

ნაწილი საფონდო: 160098

ტევადობა: 1200pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2166T1H470JD01D

GRM2166T1H470JD01D

ნაწილი საფონდო: 4599

ტევადობა: 47pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GQM2195C2A3R3BB01D

GQM2195C2A3R3BB01D

ნაწილი საფონდო: 122447

ტევადობა: 3.3pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
GRM1886R1HR80CD01D

GRM1886R1HR80CD01D

ნაწილი საფონდო: 5140

ტევადობა: 0.8pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H390GZ01D

GRM1556S1H390GZ01D

ნაწილი საფონდო: 4452

ტევადობა: 39pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM188R61A394KA61D

GRM188R61A394KA61D

ნაწილი საფონდო: 133618

ტევადობა: 0.39µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM1886S1H100JZ01D

GRM1886S1H100JZ01D

ნაწილი საფონდო: 261

ტევადობა: 10pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEHR33F471KB3B

DEHR33F471KB3B

ნაწილი საფონდო: 143621

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 3150V (3.15kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: R, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
GRM1885C1H4R3BA01J

GRM1885C1H4R3BA01J

ნაწილი საფონდო: 183783

ტევადობა: 4.3pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2166T1H361JD15D

GRM2166T1H361JD15D

ნაწილი საფონდო: 3783

ტევადობა: 360pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2166T1H431JD15D

GRM2166T1H431JD15D

ნაწილი საფონდო: 2114

ტევადობა: 430pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM188C80J475ME15J

GRM188C80J475ME15J

ნაწილი საფონდო: 2047

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C,

სასურველი
GRM0337U1H6R4DD01D

GRM0337U1H6R4DD01D

ნაწილი საფონდო: 5591

ტევადობა: 6.4pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C1H4R1CA01D

GRM1885C1H4R1CA01D

ნაწილი საფონდო: 150125

ტევადობა: 4.1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEHR32E103KN2A

DEHR32E103KN2A

ნაწილი საფონდო: 5395

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
GRM1885C2A9R1CA01D

GRM1885C2A9R1CA01D

ნაწილი საფონდო: 126499

ტევადობა: 9.1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM216R71H682KA01J

GRM216R71H682KA01J

ნაწილი საფონდო: 8875

ტევადობა: 6800pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEHR32E221KB2B

DEHR32E221KB2B

ნაწილი საფონდო: 2482

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
GRM1886S1H680JZ01D

GRM1886S1H680JZ01D

ნაწილი საფონდო: 2423

ტევადობა: 68pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEF2CLH090DJ3B

DEF2CLH090DJ3B

ნაწილი საფონდო: 152177

ტევადობა: 9pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 6300V (6.3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0H, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი