კერამიკული კონდენსატორები

GRM1886R1H9R9DZ01D

GRM1886R1H9R9DZ01D

ნაწილი საფონდო: 4524

ტევადობა: 9.9pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886R1HR60CD01D

GRM1886R1HR60CD01D

ნაწილი საფონდო: 4920

ტევადობა: 0.6pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E2R8CD01D

GRM0335C1E2R8CD01D

ნაწილი საფონდო: 1060

ტევადობა: 2.8pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H7R9DZ01D

GRM1556S1H7R9DZ01D

ნაწილი საფონდო: 6425

ტევადობა: 7.9pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H2R7CZ01D

GRM1556S1H2R7CZ01D

ნაწილი საფონდო: 6814

ტევადობა: 2.7pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM21BR61A106KE14K

GRM21BR61A106KE14K

ნაწილი საფონდო: 9163

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM216R71H272KA01D

GRM216R71H272KA01D

ნაწილი საფონდო: 110743

ტევადობა: 2700pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2166T1H331JD15D

GRM2166T1H331JD15D

ნაწილი საფონდო: 3596

ტევადობა: 330pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C2A8R4CA01D

GRM1885C2A8R4CA01D

ნაწილი საფონდო: 154487

ტევადობა: 8.4pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H270JZ01D

GRM1556S1H270JZ01D

ნაწილი საფონდო: 3518

ტევადობა: 27pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C1H331FA01J

GRM1885C1H331FA01J

ნაწილი საფონდო: 4713

ტევადობა: 330pF, ტოლერანტობა: ±1%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C1H5R4DA01D

GRM1885C1H5R4DA01D

ნაწილი საფონდო: 170046

ტევადობა: 5.4pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2166T1H181JD15D

GRM2166T1H181JD15D

ნაწილი საფონდო: 6339

ტევადობა: 180pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H8R1DZ01D

GRM1556S1H8R1DZ01D

ნაწილი საფონდო: 2007

ტევადობა: 8.1pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H7R7CZ01D

GRM1556S1H7R7CZ01D

ნაწილი საფონდო: 7377

ტევადობა: 7.7pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2166T1H151JD15D

GRM2166T1H151JD15D

ნაწილი საფონდო: 1008

ტევადობა: 150pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H2R3CZ01D

GRM1556S1H2R3CZ01D

ნაწილი საფონდო: 7122

ტევადობა: 2.3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRT21BC81C225MA02L

GRT21BC81C225MA02L

ნაწილი საფონდო: 188479

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C,

სასურველი
GRM1886S1H5R4DZ01D

GRM1886S1H5R4DZ01D

ნაწილი საფონდო: 8282

ტევადობა: 5.4pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H7R5CZ01D

GRM1556S1H7R5CZ01D

ნაწილი საფონდო: 5707

ტევადობა: 7.5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM216R71H183KA01D

GRM216R71H183KA01D

ნაწილი საფონდო: 193799

ტევადობა: 0.018µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H5R7DZ01D

GRM1886S1H5R7DZ01D

ნაწილი საფონდო: 1615

ტევადობა: 5.7pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0337U1E360JD01D

GRM0337U1E360JD01D

ნაწილი საფონდო: 6272

ტევადობა: 36pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0337U1E430JD01D

GRM0337U1E430JD01D

ნაწილი საფონდო: 7478

ტევადობა: 43pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E270JD01J

GRM0335C1E270JD01J

ნაწილი საფონდო: 6840

ტევადობა: 27pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEF2CLH100JJ3B

DEF2CLH100JJ3B

ნაწილი საფონდო: 172486

ტევადობა: 10pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 6300V (6.3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0H, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM188R61E684KA75D

GRM188R61E684KA75D

ნაწილი საფონდო: 123826

ტევადობა: 0.68µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM2195C2A150JZ01D

GRM2195C2A150JZ01D

ნაწილი საფონდო: 6709

ტევადობა: 15pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H300JZ01D

GRM1556S1H300JZ01D

ნაწილი საფონდო: 6812

ტევადობა: 30pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C1H5R2DA01D

GRM1885C1H5R2DA01D

ნაწილი საფონდო: 110659

ტევადობა: 5.2pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GQM2195C2A5R6CB01D

GQM2195C2A5R6CB01D

ნაწილი საფონდო: 198674

ტევადობა: 5.6pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
GRM1886R2A390JZ01D

GRM1886R2A390JZ01D

ნაწილი საფონდო: 2505

ტევადობა: 39pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GQM1885C1H200JB01D

GQM1885C1H200JB01D

ნაწილი საფონდო: 193588

ტევადობა: 20pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
DEF2CLH100JA3B

DEF2CLH100JA3B

ნაწილი საფონდო: 191530

ტევადობა: 10pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 6300V (6.3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0H, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM188R61E104KA01D

GRM188R61E104KA01D

ნაწილი საფონდო: 125457

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM0337U1H5R9DD01D

GRM0337U1H5R9DD01D

ნაწილი საფონდო: 7366

ტევადობა: 5.9pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი