კერამიკული კონდენსატორები

GQM2195C2A9R1CB01D

GQM2195C2A9R1CB01D

ნაწილი საფონდო: 103066

ტევადობა: 9.1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
GQM1885C2A1R5CB01D

GQM1885C2A1R5CB01D

ნაწილი საფონდო: 170583

ტევადობა: 1.5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
GRM2165C1H181GA01D

GRM2165C1H181GA01D

ნაწილი საფონდო: 113946

ტევადობა: 180pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM188R72A223MAC4D

GRM188R72A223MAC4D

ნაწილი საფონდო: 110776

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2165C1H152GA01D

GRM2165C1H152GA01D

ნაწილი საფონდო: 147796

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEF2CLH070DN3A

DEF2CLH070DN3A

ნაწილი საფონდო: 161604

ტევადობა: 7pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 6300V (6.3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0H, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM1886S1H5R6DZ01D

GRM1886S1H5R6DZ01D

ნაწილი საფონდო: 7361

ტევადობა: 5.6pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM21BR61A106ME14K

GRM21BR61A106ME14K

ნაწილი საფონდო: 9360

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
DEF2CLH090DN3A

DEF2CLH090DN3A

ნაწილი საფონდო: 138225

ტევადობა: 9pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 6300V (6.3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0H, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM1886T1H100JD01D

GRM1886T1H100JD01D

ნაწილი საფონდო: 6795

ტევადობა: 10pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM219C80G106ME19D

GRM219C80G106ME19D

ნაწილი საფონდო: 162107

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 4V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C,

სასურველი
GRM0337U1H6R1DD01D

GRM0337U1H6R1DD01D

ნაწილი საფონდო: 8164

ტევადობა: 6.1pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2166T1H271JD15D

GRM2166T1H271JD15D

ნაწილი საფონდო: 4159

ტევადობა: 270pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2165C1H182JA01J

GRM2165C1H182JA01J

ნაწილი საფონდო: 162598

ტევადობა: 1800pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM188R72A682KA01J

GRM188R72A682KA01J

ნაწილი საფონდო: 178290

ტევადობა: 6800pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM188R61H224KAC4J

GRM188R61H224KAC4J

ნაწილი საფონდო: 190141

ტევადობა: 0.22µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GQM2195C2A120JB01D

GQM2195C2A120JB01D

ნაწილი საფონდო: 132299

ტევადობა: 12pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
GRM2166T1H201JD15D

GRM2166T1H201JD15D

ნაწილი საფონდო: 1115

ტევადობა: 200pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GA342D1XGF150JY02L

GA342D1XGF150JY02L

ნაწილი საფონდო: 142375

ტევადობა: 15pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2165C1H221GA01J

GRM2165C1H221GA01J

ნაწილი საფონდო: 168758

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C1H4R5CA01D

GRM1885C1H4R5CA01D

ნაწილი საფონდო: 163551

ტევადობა: 4.5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GJM0335C1E1R4BB01E

GJM0335C1E1R4BB01E

ნაწილი საფონდო: 9014

ტევადობა: 1.4pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
GRM216R71H681KA01J

GRM216R71H681KA01J

ნაწილი საფონდო: 9871

ტევადობა: 680pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEF2CLH080DN3A

DEF2CLH080DN3A

ნაწილი საფონდო: 125980

ტევადობა: 8pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 6300V (6.3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0H, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM2195C2A160JZ01D

GRM2195C2A160JZ01D

ნაწილი საფონდო: 7097

ტევადობა: 16pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRJ188R71H103KE11D

GRJ188R71H103KE11D

ნაწილი საფონდო: 183826

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Soft Termination,

სასურველი
GRM1556S1H7R8CZ01D

GRM1556S1H7R8CZ01D

ნაწილი საფონდო: 9144

ტევადობა: 7.8pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H360JZ01D

GRM1556S1H360JZ01D

ნაწილი საფონდო: 1942

ტევადობა: 36pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H2R3CZ01D

GRM1886S1H2R3CZ01D

ნაწილი საფონდო: 9473

ტევადობა: 2.3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H6R8DZ01D

GRM1886S1H6R8DZ01D

ნაწილი საფონდო: 9713

ტევადობა: 6.8pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H2R8CZ01D

GRM1556S1H2R8CZ01D

ნაწილი საფონდო: 9356

ტევადობა: 2.8pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GA342D1XGF120JY02L

GA342D1XGF120JY02L

ნაწილი საფონდო: 126282

ტევადობა: 12pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEHR32E103KB2B

DEHR32E103KB2B

ნაწილი საფონდო: 6401

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
GRM155R71H332KA01J

GRM155R71H332KA01J

ნაწილი საფონდო: 129493

ტევადობა: 3300pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2165C1H151GA01J

GRM2165C1H151GA01J

ნაწილი საფონდო: 157604

ტევადობა: 150pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM188R71E223KA01D

GRM188R71E223KA01D

ნაწილი საფონდო: 121715

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი