კერამიკული კონდენსატორები

GRM1556S1H3R1CZ01D

GRM1556S1H3R1CZ01D

ნაწილი საფონდო: 3637

ტევადობა: 3.1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM219R61A106ME44J

GRM219R61A106ME44J

ნაწილი საფონდო: 4773

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM1556S1H8R3DZ01D

GRM1556S1H8R3DZ01D

ნაწილი საფონდო: 4418

ტევადობა: 8.3pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GQM1885C1H180JB01D

GQM1885C1H180JB01D

ნაწილი საფონდო: 110068

ტევადობა: 18pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
DEHR33F681KB3B

DEHR33F681KB3B

ნაწილი საფონდო: 181174

ტევადობა: 680pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 3150V (3.15kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: R, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
DEF2CLH080DJ3B

DEF2CLH080DJ3B

ნაწილი საფონდო: 126056

ტევადობა: 8pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 6300V (6.3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0H, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM188R72A152KA01J

GRM188R72A152KA01J

ნაწილი საფონდო: 187823

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C1H4R6CA01D

GRM1885C1H4R6CA01D

ნაწილი საფონდო: 132989

ტევადობა: 4.6pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM188R61C684KA75J

GRM188R61C684KA75J

ნაწილი საფონდო: 112030

ტევადობა: 0.68µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM1556S1H330GZ01D

GRM1556S1H330GZ01D

ნაწილი საფონდო: 7288

ტევადობა: 33pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2166T1H161JD15D

GRM2166T1H161JD15D

ნაწილი საფონდო: 9361

ტევადობა: 160pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886R1H7R7DZ01D

GRM1886R1H7R7DZ01D

ნაწილი საფონდო: 1806

ტევადობა: 7.7pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886R1HR40CD01D

GRM1886R1HR40CD01D

ნაწილი საფონდო: 7108

ტევადობა: 0.4pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM188R72A471KA01J

GRM188R72A471KA01J

ნაწილი საფონდო: 139657

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DHRB34A471M2BB

DHRB34A471M2BB

ნაწილი საფონდო: 58655

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10000V (10kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 100°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
DEHR33F331KB3B

DEHR33F331KB3B

ნაწილი საფონდო: 166851

ტევადობა: 330pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 3150V (3.15kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: R, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
GRM1556S1H8R1CZ01D

GRM1556S1H8R1CZ01D

ნაწილი საფონდო: 5735

ტევადობა: 8.1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GA342D1XGF180JY02L

GA342D1XGF180JY02L

ნაწილი საფონდო: 108610

ტევადობა: 18pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2165C1H121JA01J

GRM2165C1H121JA01J

ნაწილი საფონდო: 140285

ტევადობა: 120pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM21BR61A106KE14L

GRM21BR61A106KE14L

ნაწილი საფონდო: 5982

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM0337U1E180JD01D

GRM0337U1E180JD01D

ნაწილი საფონდო: 9152

ტევადობა: 18pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H4R3CZ01D

GRM1886S1H4R3CZ01D

ნაწილი საფონდო: 2101

ტევადობა: 4.3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEHR32E102KA2B

DEHR32E102KA2B

ნაწილი საფონდო: 2798

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
GRM21BD71C475KA12K

GRM21BD71C475KA12K

ნაწილი საფონდო: 465

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7T, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM188R72A223KAC4J

GRM188R72A223KAC4J

ნაწილი საფონდო: 105748

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2166T1H180JD01D

GRM2166T1H180JD01D

ნაწილი საფონდო: 9090

ტევადობა: 18pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H8R0CZ01D

GRM1556S1H8R0CZ01D

ნაწილი საფონდო: 8158

ტევადობა: 8pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2166T1H391JD15D

GRM2166T1H391JD15D

ნაწილი საფონდო: 4153

ტევადობა: 390pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM188R72A472KA01J

GRM188R72A472KA01J

ნაწილი საფონდო: 199637

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM188R61E684KA75J

GRM188R61E684KA75J

ნაწილი საფონდო: 156748

ტევადობა: 0.68µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM1886R1H9R5DZ01D

GRM1886R1H9R5DZ01D

ნაწილი საფონდო: 9033

ტევადობა: 9.5pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEHR33F271KP3A

DEHR33F271KP3A

ნაწილი საფონდო: 167136

ტევადობა: 270pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 3150V (3.15kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: R, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
GRM0225C1ER90BDAEL

GRM0225C1ER90BDAEL

ნაწილი საფონდო: 147814

ტევადობა: 0.9pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H2R5CZ01D

GRM1886S1H2R5CZ01D

ნაწილი საფონდო: 1017

ტევადობა: 2.5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEHR33F821KN3A

DEHR33F821KN3A

ნაწილი საფონდო: 112009

ტევადობა: 820pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 3150V (3.15kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: R, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
GRM1886S1H101JZ01D

GRM1886S1H101JZ01D

ნაწილი საფონდო: 2484

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი