კერამიკული კონდენსატორები

DEHR32E222KA2B

DEHR32E222KA2B

ნაწილი საფონდო: 9992

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
GRM0337U1H7R1CD01D

GRM0337U1H7R1CD01D

ნაწილი საფონდო: 1848

ტევადობა: 7.1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H8R4DZ01D

GRM1556S1H8R4DZ01D

ნაწილი საფონდო: 246

ტევადობა: 8.4pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H110JZ01D

GRM1886S1H110JZ01D

ნაწილი საფონდო: 8984

ტევადობა: 11pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM188R71H102JA01D

GRM188R71H102JA01D

ნაწილი საფონდო: 122444

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEHR32E222KB2B

DEHR32E222KB2B

ნაწილი საფონდო: 3018

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
GRM1886S1H8R6DZ01D

GRM1886S1H8R6DZ01D

ნაწილი საფონდო: 774

ტევადობა: 8.6pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H160JZ01D

GRM1886S1H160JZ01D

ნაწილი საფონდო: 4490

ტევადობა: 16pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM219F51H105ZA01J

GRM219F51H105ZA01J

ნაწილი საფონდო: 1095

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
RPE5C1H150J2K1Z03B

RPE5C1H150J2K1Z03B

ნაწილი საფონდო: 9255

ტევადობა: 15pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2166T1H8R0DD01D

GRM2166T1H8R0DD01D

ნაწილი საფონდო: 4840

ტევადობა: 8pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM31CR6YA106MA12K

GRM31CR6YA106MA12K

ნაწილი საფონდო: 6436

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 35V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM0225C1E5R3DDAEL

GRM0225C1E5R3DDAEL

ნაწილი საფონდო: 121362

ტევადობა: 5.3pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2195C2A270JZ01J

GRM2195C2A270JZ01J

ნაწილი საფონდო: 2410

ტევადობა: 27pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRT31CR61E475ME01L

GRT31CR61E475ME01L

ნაწილი საფონდო: 166715

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM1885C1H6R0DA01J

GRM1885C1H6R0DA01J

ნაწილი საფონდო: 131512

ტევადობა: 6pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRJ216R71H103KE01D

GRJ216R71H103KE01D

ნაწილი საფონდო: 158913

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Soft Termination,

სასურველი
GRM0225C1E1R9WDAEL

GRM0225C1E1R9WDAEL

ნაწილი საფონდო: 166727

ტევადობა: 1.9pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GCM188R71H562JA37D

GCM188R71H562JA37D

ნაწილი საფონდო: 109413

ტევადობა: 5600pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0337U1H7R4CD01D

GRM0337U1H7R4CD01D

ნაწილი საფონდო: 6834

ტევადობა: 7.4pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM219R61E225MA12D

GRM219R61E225MA12D

ნაწილი საფონდო: 173907

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM2167U1A273JA01D

GRM2167U1A273JA01D

ნაწილი საფონდო: 120955

ტევადობა: 0.027µF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0225C1E2R2BDAEL

GRM0225C1E2R2BDAEL

ნაწილი საფონდო: 180537

ტევადობა: 2.2pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886T1H9R1DD01D

GRM1886T1H9R1DD01D

ნაწილი საფონდო: 7166

ტევადობა: 9.1pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0225C1E1R2CDAEL

GRM0225C1E1R2CDAEL

ნაწილი საფონდო: 146887

ტევადობა: 1.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C1H6R8CA01J

GRM1885C1H6R8CA01J

ნაწილი საფონდო: 125364

ტევადობა: 6.8pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DHS4E4A122MHXB

DHS4E4A122MHXB

ნაწილი საფონდო: 3461

ტევადობა: 1200pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10000V (10kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: N4700, ოპერაციული ტემპერატურა: 20°C ~ 85°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM188R71C104JA01D

GRM188R71C104JA01D

ნაწილი საფონდო: 148193

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H9R3CZ01D

GRM1556S1H9R3CZ01D

ნაწილი საფონდო: 4169

ტევადობა: 9.3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H7R7DZ01D

GRM1886S1H7R7DZ01D

ნაწილი საფონდო: 1810

ტევადობა: 7.7pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H4R7CZ01D

GRM1556S1H4R7CZ01D

ნაწილი საფონდო: 3043

ტევადობა: 4.7pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H7R1DZ01D

GRM1886S1H7R1DZ01D

ნაწილი საფონდო: 541

ტევადობა: 7.1pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM31CC8YA106MA12K

GRM31CC8YA106MA12K

ნაწილი საფონდო: 632

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 35V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C,

სასურველი
GRM2195C2A270JZ01D

GRM2195C2A270JZ01D

ნაწილი საფონდო: 3064

ტევადობა: 27pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DHR4E4B102K2BB

DHR4E4B102K2BB

ნაწილი საფონდო: 36683

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 12000V (12kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: ZM, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 100°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
DHRB34B151M2BB

DHRB34B151M2BB

ნაწილი საფონდო: 140502

ტევადობა: 150pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 12000V (12kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 100°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი