კერამიკული კონდენსატორები

GRM1886S1H6R7DZ01D

GRM1886S1H6R7DZ01D

ნაწილი საფონდო: 3676

ტევადობა: 6.7pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2195C2A4R7CD01D

GRM2195C2A4R7CD01D

ნაწილი საფონდო: 6022

ტევადობა: 4.7pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H8R8DZ01D

GRM1556S1H8R8DZ01D

ნაწილი საფონდო: 205

ტევადობა: 8.8pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C1H6R2CA01J

GRM1885C1H6R2CA01J

ნაწილი საფონდო: 121884

ტევადობა: 6.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H4R9CZ01D

GRM1556S1H4R9CZ01D

ნაწილი საფონდო: 8748

ტევადობა: 4.9pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H1R0CZ01D

GRM1886S1H1R0CZ01D

ნაწილი საფონდო: 6256

ტევადობა: 1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H8R2DZ01D

GRM1886S1H8R2DZ01D

ნაწილი საფონდო: 4997

ტევადობა: 8.2pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H181JZ01D

GRM1886S1H181JZ01D

ნაწილი საფონდო: 126

ტევადობა: 180pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H8R7CZ01D

GRM1556S1H8R7CZ01D

ნაწილი საფონდო: 2019

ტევადობა: 8.7pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2195C1H821JA01D

GRM2195C1H821JA01D

ნაწილი საფონდო: 143965

ტევადობა: 820pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
RPE5C1H151J2P1A03B

RPE5C1H151J2P1A03B

ნაწილი საფონდო: 3455

ტევადობა: 150pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C1H6R1DA01D

GRM1885C1H6R1DA01D

ნაწილი საფონდო: 155269

ტევადობა: 6.1pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H8R5DZ01D

GRM1556S1H8R5DZ01D

ნაწილი საფონდო: 8585

ტევადობა: 8.5pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E470JD01J

GRM0335C1E470JD01J

ნაწილი საფონდო: 3128

ტევადობა: 47pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEHR32E222KN2A

DEHR32E222KN2A

ნაწილი საფონდო: 4012

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
GRM0337U1H1R1CD01D

GRM0337U1H1R1CD01D

ნაწილი საფონდო: 3918

ტევადობა: 1.1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0337U1E750GD01D

GRM0337U1E750GD01D

ნაწილი საფონდო: 6377

ტევადობა: 75pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C1H6R4DA01D

GRM1885C1H6R4DA01D

ნაწილი საფონდო: 131584

ტევადობა: 6.4pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2166T1H621JD15D

GRM2166T1H621JD15D

ნაწილი საფონდო: 6245

ტევადობა: 620pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0225C1E3R1WDAEL

GRM0225C1E3R1WDAEL

ნაწილი საფონდო: 133463

ტევადობა: 3.1pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0337U1H7R8CD01D

GRM0337U1H7R8CD01D

ნაწილი საფონდო: 3370

ტევადობა: 7.8pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2195C2A240JZ01D

GRM2195C2A240JZ01D

ნაწილი საფონდო: 7128

ტევადობა: 24pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E3R4BD01D

GRM0335C1E3R4BD01D

ნაწილი საფონდო: 3822

ტევადობა: 3.4pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E430GD01D

GRM0335C1E430GD01D

ნაწილი საფონდო: 9573

ტევადობა: 43pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
RPE5C1H1R5C2P1B03B

RPE5C1H1R5C2P1B03B

ნაწილი საფონდო: 4059

ტევადობა: 1.5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEHR32E681KA2B

DEHR32E681KA2B

ნაწილი საფონდო: 7996

ტევადობა: 680pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
GRM188R71E104JA01J

GRM188R71E104JA01J

ნაწილი საფონდო: 100558

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2195C2A4R1CD01D

GRM2195C2A4R1CD01D

ნაწილი საფონდო: 4742

ტევადობა: 4.1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM219C81E225ME15D

GRM219C81E225ME15D

ნაწილი საფონდო: 160810

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C,

სასურველი
GRM219R61H225KE15J

GRM219R61H225KE15J

ნაწილი საფონდო: 140387

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRJ188R71H472KE11D

GRJ188R71H472KE11D

ნაწილი საფონდო: 139860

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Soft Termination,

სასურველი
GRM219C81C475MA73D

GRM219C81C475MA73D

ნაწილი საფონდო: 143468

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C,

სასურველი
GRM2195C2A4R9CD01D

GRM2195C2A4R9CD01D

ნაწილი საფონდო: 4509

ტევადობა: 4.9pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0337U1H7R3DD01D

GRM0337U1H7R3DD01D

ნაწილი საფონდო: 4858

ტევადობა: 7.3pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
RPE5C2A102J2P1B03B

RPE5C2A102J2P1B03B

ნაწილი საფონდო: 2075

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H1R3CZ01D

GRM1886S1H1R3CZ01D

ნაწილი საფონდო: 3349

ტევადობა: 1.3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი